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SBX2030 ... SBX2050
Ø 1.6
±0.05
Ø 8
±0.1
7.5
±0.1
62.5
±0.5
2nd Generation Bypass Diodes for Solar Modules – Schottky Barrier Rectifiers
2. Generation Bypass-Dioden für Solarmodule – Schottky-Barrier-Gleichrichter
Version 2011-07-11
SBX2030 ... SBX2050
Nominal current
20 A
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
30...50 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Ø 8 x 7.5 [mm]
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
2.0 g
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
On request taped on 13” reel Green Molding
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Halogen-Free
Dimensions - Maße [mm]
Auf Anfrage gegurtet auf 13” Rolle
Features Vorteile
Up to 50V reverse voltage at low V
Lowest value R
for lowest T
thL
F
j
Best trade-off between VF and IR 2)
1000pcs/13” reel for longer reel change intervals
1000 Stk. / 13” Rolle für längere Bestückungszyklen
Bis zu 50V Sperrspannung bei niedrigem V
Niedrigster R
Wert für niedrigstes T
thL
Optimaler Kompromiss zwischen VF und IR 2)
1
F
j
Maximum ratings and characteristics Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Repetitive / Surge peak reverse voltage
Periodische- / Spitzen-Sperrspannung
V
[V] / V
RRM
RSM
[V]
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] Tj = 125°C
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] Tj = 25°C
IF = 5 A IF = 5 A IF = 20 A
SBX2030 30 typ. 0.30 < 0.45 < 0.59
SBX2040 40 typ. 0.30 < 0.45 < 0.59
SBX2050 50 typ. 0.32 < 0.47 < 0.61
Max. average forward rectified current, R-load
TA = 50°C I
FAV
20 A3)
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
TA = 25°C I
FSM
290/330 A
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 420 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
T
j
T
j
S
-50...+150°C
≤ 200°C 2)
-50...+175°C
1 From 1H/2012 – Ab 1H/2012
2 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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SBX2030 ... SBX2050
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
T = 125°C
j
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
0
V
F
0.4 0.6
[V]
1.0
T = 25°C
j
10
10
10
1
10
3
2
-1
[mA]
I
R
0
V
RRM
40 60 80 100
[%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
T = 25°C
j
T = 150°C
j
T = 125°C
j
T = 75°C
j
Characteristics Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdrähte
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = V
R
thA
R
thL
RRM
I
R
< 500 µA
typ. 25 mA
< 10 K/W 1)
< 2.1 K/W 2)
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Measured in 3 mm distance from case – use for bypass diodes test
Gemessen in 3 mm Abstand vom Gehäuse – für Bypass-Diodentest
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
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