DIOTEC SB 1240 DIO Datasheet

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SB1220 ... SB12100
Type
Ø
±0.05
1.2
Ø
±0.1
5.4
62.5
±0.5
7.5
±0.1
Version 2006-12-08
SB1220 ... SB12100
Schottky Barrier Rectifiers
Schottky-Barrier-Gleichrichter
Nominal current
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
20...100 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Ø 5.4 x 7.5 [mm]
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
1.0 g
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Dimensions - Maße [mm]
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings Grenzwerte
Type Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
[V]
RRM
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
[V]
RSM
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] 1)
IF = 5 A IF = 12 A
SB1220 20 20 < 0.45 < 0.55
SB1230 30 30 < 0.45 < 0.55
SB1240 40 40 < 0.45 < 0.55
SB1250 50 50 < 0.61 < 0.68
SB1260 60 60 < 0.61 < 0.68
SB1290 90 90 < 0.75 < 0.83
SB12100 100 100 < 0.75 < 0.83
Max. average forward rectified current, R-load
TA = 50°C I
FAV
12 A2)
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
f > 15 Hz I
FRM
55 A 2)
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
TA = 25°C I
FSM
280/320 A
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 390 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
at reduced reverse voltage bei reduzierter Sperrspannung in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
VR ≤ 80% V VR ≤ 50% V
RRM
RRM
T
j
T
j
T
j
S
-50...+150°C ≤ 180°C ≤ 200°C
-50...+175°C
1 Tj = 25°C 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
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SB1220 ... SB12100
Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte)
SB1220 … SB1240
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
0
V
F
0.4 0.6
[V]
1.0
SB1250, SB1260
SB1290, SB12100
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current vs. ambient temperature
in Abh. v. d. Umgebungstemp.Zul. Richtstrom
[°C]
T
A
150100
50
0
Vr < 50% Vrrm
Vr < 80% Vrrm
DC
Characteristics Kennwerte
Leakage current Sperrstrom
Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
Tj = 25°C Tj = 100°C
VR = V VR = V
RRM
RRM
I
R
I
R
R
thA
R
thL
< 500 µA
< 20 mA
< 14 K/W 1)
< 4 K/W
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
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