DIOTEC S2M DIO Datasheet

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S2A ... S2Y
S2A50< 1.15
< 5
< 100
S2B
100
< 1.15
< 5
< 100
S2D
200
< 1.15
< 5
< 100
S2G
400
< 1.15
< 5
< 100
S2J
600
< 1.15
< 5
< 100
S2K
800
< 1.15
< 5
< 100
S2M
1000
< 1.15
< 5
< 100
S2T
1300
< 1.15
< 5
< 100
S2W
1600
< 1.15
< 5
< 100
S2X
1800
< 1.15
< 5
< 100
S2Y
2000
< 1.15
< 5
< 100
Max. average forw. rectified current – Dauergrenzstr. in Einwegschaltung
T
= 100°CI2 A3 )
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
I
FRM
10 A 3)
Surge current, 50/60 Hz half sine – Stoßstrom 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
I
FSM
50/55 A
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
12 A2s
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapzität
VR = 4 V
C
j
30 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A
trrtyp. 1500 ns
Junction/Storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur
T
j/S
-50...+150°C
1.1
2.2
± 0.2
Type
Typ
2.1
± 0.1
3.7
± 0.3
2
4.6
± 0.5
5.4
± 0.5
0.15
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
S2A ... S2Y
Standard Recovery SMD Rectifier Diodes
SMD-Gleichrichterdioden mit Standard-Sperrverzug
I
= 2 A
FAV
VF< 1.15 V T
= 150°C
jmax
V
= 50...2000 V
RRM
I
= 50/55 A
FSM
trr~ 1500 ns
Version 2015-09-14
~ SMB / ~ DO-214AA
Typical Applications
50/60 Hz Mains Rectification, Power Supplies, Polarity Protection Commercial grade 1)
Features
V
up to 2000 V
RRM
Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1)
Typische Anwendungen
50/60 Hz Netzgleichrichtung,
Stromversorgungen, Verpolschutz
Standardausführung 1)
Besonderheiten
V
bis zu 2000 V
RRM
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 3000 / 13“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.1 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
Dimensions - Maße [mm]
MSL = 1
Maximum ratings and characteristics 2) Grenz- und Kennwerte 2)
Type Typ
(Repetitive) Peak reverse voltage
(Periodische-)Spitzensperrspannung
V
[V] / V
RRM
[V] VF [V] @ IF = 2A IR [µA] @ V
RSM
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current
Sperrstrom
RRMIR
[µA] @ V
RRM/Tj
= 100°C
Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung Thermal resistance junction-terminal − Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben 3 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal – Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferpad je Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
R R
thA
thT
< 50 K/W 2)
< 15 K/W
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S2A ... S2Y
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4
VF0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
50a-(1a-1.1v)
10
10
1
10
2
1
-2
10
-1
[µA]
I
R
0
V
RRM
40 60 80 100
[%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
T = 25°C
j
T = 100°C
j
T = 125°C
j
Peak fo rward surg e current versus num ber of cycles a t 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in A bh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
10
10
1
2
[A]
î
F
1 10 10 [n] 10
2 3
100
80
60
40
20
0
[pF]
C
j
V
R
[V]
Junction capacitance vs. reverse voltage (typical) Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.)
Rated forward current vs. temp. of the terminals
in Abh. v. d. Temp. der TerminalsZul. Richtstrom
120
100
80
60
40
20
0
I
FAV
[%]
[°C]
T
T
150100
50
0
Disclaimer: See data book page 2 or website
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
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