S1A ... S1Y
S1A
50
< 1.1
< 5
< 50
S1B
100
< 1.1
< 5
< 50
S1D
200
< 1.1
< 5
< 50
S1G
400
< 1.1
< 5
< 50
S1J
600
< 1.1
< 5
< 50
S1K
800
< 1.1
< 5
< 50
S1M
1000
< 1.1
< 5
< 50
S1T
1300
< 1.1
< 5
< 50
S1W
1600
< 1.1
< 5
< 50
S1X
1800
< 1.1
< 5
< 50
S1Y
2000
< 1.1
< 5
< 50
Max. average forward rectified current – Dauergrenzstrom in Einwegschaltung
T
= 100°CI1 A
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
I
FRM
6A 3)
Peak forward surge current (half sine) – Stoßstrom (Sinushalbw.) 50/60 Hz
TA = 25°C
I
FSM
30/32 A
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
4.5 A2s
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapzität
VR = 4 V
Cj12 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A
trrtyp. 1500 ns
Junction/Storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur
T
j/S
-50...+150°C
Type
Typ
0.15 1
± 0.3
4.5
± 0.3
1.5
±0.1
2.1
± 0.2
2.2
± 0.2
5
± 0.2
2.7
0.2±
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
S1A ... S1Y
Standard Recovery SMD Rectifier Diodes
SMD-Gleichrichterdioden mit Standard-Sperrverzug
I
= 1 A
FAV
VF< 1.1 V
T
= 150°C
jmax
V
= 50...2000 V
RRM
I
= 30/32 A
FSM
trr~ 1500 ns
Version 2015-09-14
~ SMA / ~ DO-214AC
Typical Applications
50/60 Hz Mains Rectification,
Power Supplies, Polarity Protection
Commercial grade 1)
Features
V
up to 2000 V
RRM
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Typische Anwendungen
50/60 Hz Netzgleichrichtung,
Stromversorgungen, Verpolschutz
Standardausführung 1)
Besonderheiten
V
bis zu 2000 V
RRM
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 7500 / 13“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.07 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Dimensions - Maße [mm]
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings and Characteristics 2) Grenz- und Kennwerte 2)
Type
Typ
(Repetitive) Peak reverse voltage
(Periodische-)Spitzensperrspannung
V
[V] / V
RRM
[V] VF [V] @ IF = 3.0 A IR [µA] @ V
RSM
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current
Sperrstrom
RRMIR
[µA] @ V
RRM/Tj
= 100°C
Thermal resistance junction-ambient − Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung
Thermal resistance junction-terminal − Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 60 mm2 copper pads at each terminal – Montage auf Leiterplatte mit 60 mm2 Kupferpad je Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
R
R
thA
thT
< 75 K/W 3)
< 30 K/W
S1A ... S1Y
Rated forward current vs. temp. of the terminals
in Abh. v. d. Temp. der TerminalsZul. Richtstrom
120
100
80
60
40
20
0
I
FAV
[%]
[°C]
T
T
150100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4
VF0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
30a-(1a-1.1v)
10
10
1
10
2
1
-2
10
-1
[µA]
I
R
0
V
RRM
40 60 80 100
[%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
T = 25°C
j
T = 100°C
j
T = 125°C
j
Relative transient thermal impedance vs. pulse duration (typical)
Relativer transienter Wärmewiderstand über Impulsdauer (typisch)
100
10
1
0.01 0.1 1 10 10 10
2 3
[s] [t ]
p
[%]
Z
R
thA
thA
25
20
15
10
5
0
[pF]
C
j
V
R
[V]
Junction capacitance vs. reverse voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.)
Peak forward surge cu rrent versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß -Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbw ellen bei 50 Hz
10
10
1
2
[A]
î
F
1 10 10 [n] 10
2 3
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
Loading...