S16ASD2 ... S16MSD2
1
2
3
4
0.4
4.5
0.2±
1.2
5.08
0.8
1.3
1
Type
Typ
32
4
10.25
±0.5
Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage– Halbbrücke
Version 2010-09-22
S16ASD2 ... S16MSD2
Surface Mount Silicon Rectifier Diodes – Half Bridge
Nominal current
16 A
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
50...1000 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
TO-263AB
D2PAK
1.6 g
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Dimensions - Maße [mm]
Standard Lieferform in Stangen
Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
[V] 1)
RRM
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
[V] 1)
RSM
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] 1), Tj = 25°C
IF = 5 A IF = 8 A
S16ASD2 50 50 < 1.0 < 1.1
S16BSD2 100 100 < 1.0 < 1.1
S16DSD2 200 200 < 1.0 < 1.1
S16GSD2 400 400 < 1.0 < 1.1
S16JSD2 600 600 < 1.0 < 1.1
S16KSD2 800 800 < 1.0 < 1.1
S16MSD2 1000 1000 < 1.0 < 1.1
Max. average forward current, R-load
Dauergrenzstrom mit R-Last
Repetitive peak forward current
TC = 100°C
TC = 100°C
f > 15 Hz I
I
FAV
I
FAV
FRM
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
TA = 25°C I
FSM
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 90 A2s 1)
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
8 A 1)
16 A 2)
30 A 3)
135/150 A 1)
-50...+150°C
-50...+175°C
1 Per diode – Pro Diode
2 Output current when operating two devices in a full bridge configuration
3 Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Ausgangsstrom bei Betrieb zweier Bauteile als Vollbrücke
S16ASD2 ... S16MSD2
Rated forward current vs. temp. of the case
in Abh. v. d. GehäusetemperaturZul. Richtstrom
120
100
80
60
40
20
0
I
FAV
[%]
[°C]
T
C
150100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4
VF0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
200a-(5a- 0.95v)
Characteristics Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
Tj = 25°C VR = V
RRM
I
R
R
thC
< 10 µA
< 2.5 K/W 1)
1 Per diode – Pro Diode
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
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