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MUR130 ... MUR160
Type
Ø 0.77
±0.07
Ø 2.6
-0.1
62.5
+0.5
5.1
-0.1
-2.5
Version 2011-04-28
MUR130 ... MUR160
Superfast Effcient Si-Rectifier Diodes
Superschnelle Hocheffizienz-Si-Gleichrichterdioden
Nominal current
1 A
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
300...600 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
DO-41
DO-204AL
0.4 g
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Dimensions - Maße [mm]
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
[V]
RRM
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
[V]
RSM
MUR130 300 300
MUR140 400 400
MUR160 600 600
Max. average forward rectified current, R-load
TA = 50°C I
FAV
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
f > 15 Hz I
FRM
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
TA = 25°C I
FSM
32/35 A
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 5 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-50...+175°C
-50...+175°C
1 A 1)
6 A 1)
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
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MUR130 ... MUR160
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
[V]V
F
10
1
0.1
10
10
-2
-3
MUR130 ... MUR160
T = 25°C
j
Characteristics Kennwerte
Type
Typ
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
Forward voltage
Durchlass-Spannung
trr [ns] 1) VF [V] at / bei IF = [A]
MUR130 ... MUR160 < 50 < 1.25 1
Leakage current
Sperrstrom
Thermal resistance junction to ambient air
Tj = 25°C
Tj = 125°C
VR = V
VR = V
RRM
RRM
I
R
I
R
R
thA
< 100 µA
< 45 K/W 2)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
R
thL
< 15 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
< 5 µA
1 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
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