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MCL4148, MCL4448
0.2
1.25
2
±0.1
Version 2007-09-21
MCL4148, MCL4448
Surface Mount Small Signal Diodes
Kleinsignal-Dioden für die Oberflächenmontage
Power dissipation
500 mW
Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage
100 V
Periodische Spitzensperrspannung
Glass case Quadro-MicroMELF
(LS-31)
Glasgehäuse Quadro-MicroMELF
Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g
Standard packaging taped and reeled
Dimensions - Maße [mm]
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)
MCL4148, MCL4448
Power dissipation − Verlustleistung P
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) I
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom I
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 µs
tot
FAV
FRM
I
FSM
I
FSM
500 mW 1)
150 mA 1)
300 mA 1)
500 mA 1)
2 A
Reverse voltage – Sperrspannung V
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
RRM
T
T
R
j
S
75 V
100 V
-55...+175°C
-55…+175°C
Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom 2) VR = 20 V
Leakage current – Sperrstrom, Tj = 125°C 2) VR = 20 V
Typ. junction capacitance – Typ. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
MCL4148 IF = 50 mA V
MCL4448 IF = 5 mA
IF = 100 mA
VR = 75 V
VR = 75 V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
C
T
t
rr
< 1.0 V
0.62...0.72 V
< 1 V
< 25 nA
< 5 µA
< 30 µA
< 50 µA
4 pF
< 4 ns
1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
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MCL4148, MCL4448
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
[A]
I
F
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
T = 25°C
j
T = 125°C
j
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
These diodes are also available in other case styles
Diese Dioden sind auch in anderen Gehäuseformen lieferbar
R
thA
DO-35
MiniMELF
Quadro-MiniMELF
SOD-123
SOD-323
< 300 K/W 1)
= 1N4148
= LL4148
= LS4148
= 1N4148W
= 1N4148WS
1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
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