HV3 ... HV6
Type
Ø 0.8
±0.05
Ø 3
+0.5
62 .5
±0 .5
6.3
±0 .3
Type
Ø 0.8
±0.05
Ø 2.6
-0.1
62.5
±0.5
5.1
-0.1
Version 2008-04-09
HV3 ... HV6
Fast Switching High Voltage Silicon Rectifier Diodes
Schnelle Silizium-Hochspannungs-Gleichrichterdioden
HV3 HV5, HV6
Nominal current
200 mA
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
3000...6000 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case HV3
Kunststoffgehäuse HV5, HV6
Weight approx.
DO-41
DO-15
0.4 g
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
[V]
RRM
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
[V]
RSM
HV3 3000 3000
HV5 5000 5000
HV6 6000 6000
Max. average forward rectified current, R-load
TA = 50°C I
FAV
200 mA 1)
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
f > 15 Hz I
FRM
5 A 1)
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
TA = 25°C I
FSM
27/30 A
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 3.5 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
T
j
T
S
-50...+150°C
-50...+150°C
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
HV3 ... HV6
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
I
FAV
[%]
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
1 10 10 [n] 10
2 3
10
10
1
2
[A]
î
F
10
1
10
10
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Characteristics Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 200 mA V
Leakage current
Tj = 25°C VR = V
RRM
Sperrstrom
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
IF = 10 mA through/über
IR = 10 mA to/auf IR = 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
F
I
R
t
rr
R
thA
< 6 V
< 3 µA
< 400 ns
< 60 K/W 1)
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
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