FX2000A ... FX2000G
Ø 1.6
±0.05
Ø 8
±0.1
7.5
±0.1
62.5
±0.5
Version 2010-06-23
FX2000A ... FX2000G
Superfast Silicon Rectifier Diodes
Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden
Nominal Current
20 A
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
50...400 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Ø 8 x 7.5 [mm]
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
2.0 g
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
[V]
RRM
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
[V]
RSM
FX2000A 50 50
FX2000B 100 100
FX2000D 200 200
FX2000G 400 400
Max. average forward rectified current, R-load
TA = 50°C I
FAV
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
f > 15 Hz I
FRM
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
TA = 25°C I
FSM
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 680 A2s
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
T
j
T
j
S
20 A 1)
80 A 1)
375/390 A
-50...+150°C
+200°C
-50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
FX2000A ... FX2000G
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
10
10
1
10
3
2
-1
[A]
I
F
0.4
VF0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
400a-(5a-0,8v )
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
Characteristics Kennwerte
Forward Voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 5 A
IF = 20 A
Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C
VR = V
Tj = 100°C
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RRM
V
F
V
F
I
R
I
R
t
rr
R
thA
R
thL
< 0.82 V
< 0.94 V
< 25 µA
< 200 µA
< 200 ns
< 8 K/W 1)
< 1.5 K/W
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
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