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FE6A ... FE6G
FE6A ... FE6G
Superfast Switching Silicon Rectifier Diodes
Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2012-06-21
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
6 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...400 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 8 x 7.5 [mm]
P600 Style
Weight approx.
Gewicht ca.
1.3 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF at/bei IF = 5 A
FE6A 50 50 < 0.98
FE6B 100 100 < 0.98
FE6D 200 200 < 0.98
FE6F 300 300 < 1.00
FE6G 400 400 < 1.30
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 25°C I
FAV
6 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz I
FRM
50 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C I
FSM
200/220 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 200 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Ø
±0.05
1.2
Ø
±0.1
8
7,5
±0.1
62.5
±0.5
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FE6A ... FE6G
Characteristics Kennwerte
Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = V
RRM
I
R
< 5 µA
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to IR = 0.25 A
t
rr
< 50 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
R
thA
< 20 K/W 1)
Thermal resistance junction to lead
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
R
thL
< 6 K/W
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4
VF0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
T = 125°C
j
T = 25°C
j
FE6G
FE6A...F
200a-(5a-0.95/ 1.25v)
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