Diotec DAN403 Datasheet

Diotec
DAN 403 (200 mW)
Small Signal Diode Arrays Dioden Sätze mit Allzweckdioden
1 3 5 7 9
Nominal power dissipation 200 mW Nenn-Verlustleistung
42 6 8
±0.2
13
3.5
±0.2
Repetitive peak reverse voltage 80 V Periodische Spitzensperrspannung
9 Pin-Plastic case 13 x 3.5 x 6.6 [mm] 9 Pin-Kunststoffgehäuse
2.54
0.5
2.54
Weight approx. 0,6 g Gewicht ca.
Standard packaging: bulk
Dimensions / Maße in mm Standard Lieferform: lose im Karton
4 independent elements – 4 einzelne Bauelemente
Maximum ratings Grenzwerte
Type Repetitive peak reverse voltage Surge peak reverse voltage Typ Periodische Spitzensperrspg. Stoßspitzensperrspannung
V [V] V [V]
R RM
DAN 403 80 80
Max. average forward rectified current, R-load, T = 25°C
For one diode operation only I 100 mA ) For all diodes together I 150 mA )
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last, T = 25°C
Für eine einzelne Diode I 100 mA ) Für alle Dioden zusammen I 150 mA )
Peak fwd. surge current, 50 Hz half sine-wave, T = 25°C I 500 mA
A
FAV FAV
U
FAV FAV
A FSM
superimposed on rated load, one diode only
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle,
überlagert bei Nennlast, für eine Diode
1 1
1 1
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
324
01.01.99
DAN 403 (200 mW)
Diotec
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T – 50…+150°C Storage temperature – Lagerungstemperatur T – 50…+150°C
j S
Characteristics Kennwerte
Forward voltage T = 25°C I = 10 mA V < 1 V
j F F
Durchlaßspannung
Leakage current T = 25°C V = 20 V I < 25 nA
j R R
Sperrstrom
Reverse recovery time I = 10 mA through/über t < 4 ns Sperrverzug I = 10 mA to/auf I = 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air R < 85 K/W )
F rr R R
thA
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
01.01.99
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