Diotec DAN401, DAP401 Datasheet
Diotec
DAN 401 / DAP 401 (200 mW)
Small Signal Diode Arrays Dioden Sätze mit Allzweckdioden
Nominal power dissipation 200 mW
Nenn-Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage 80 V
Periodische Spitzensperrspannung
5 Pin-Plastic case 13 x 3.5 x 6.6 [mm]
5 Pin-Kunststoffgehäuse
Weight approx. 0,6 g
Dimensions / Maße in mm Gewicht ca.
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
1 2 3 4 51 2 3 4 5
"DAP": com. anodes / gemeinsame Anode "DAN": com. kathodes / gemeinsame Kathode
Maximum ratings Grenzwerte
Type Repetitive peak reverse voltage Surge peak reverse voltage
Typ Periodische Spitzensperrspg. Stoßspitzensperrspannung
V [V] V [V]
R RM
DAN 401 80 80
DAP 401 80 80
Max. average forward rectified current, R-load, T = 25°C
For one diode operation only I 100 mA )
For all diodes together I 150 mA )
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last, T = 25°C
Für eine einzelne Diode I 100 mA )
Für alle Dioden zusammen I 150 mA )
A
FAV
FAV
U
FAV
FAV
1
1
1
1
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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01.01.99
DAN 401 / DAP 401 (200 mW)
Diotec
Peak fwd. surge current, 50 Hz half sine-wave T = 25°C I 500 mA
A FSM
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T – 50…+150°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur T – 50…+150°C
j
S
Characteristics Kennwerte
Forward voltage T = 25°C I = 10 mA V < 1 V
j F F
Durchlaßspannung
Leakage current T = 25°C V = 20 V I < 25 nA
j R R
Sperrstrom
Reverse recovery time I = 10 mA through/über t < 4 ns
Sperrverzug I = 10 mA to/auf I = 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air R < 85 K/W )
F rr
R R
thA
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
01.01.99
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