) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
1
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
336
01.01.99
Diotec
DAF 811 A/K … DAF 814 A/K (1.2 W)
Fast Switching Rectifier Arrays Schnelle Gleichrichter Sätze
Nominal power dissipation 1.2 W
Nenn-Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage 100...1000 V
Periodische Spitzensperrspannung
9 Pin-Plastic case 23 x 2.6 x 4.5 [mm]
Dimensions / Maße in mm 9 Pin-Kunststoffgehäuse
Standard packaging: bulk Weight approx. 0,6 g
Standard Lieferform: lose im Karton Gewicht ca.
"DAF 811 A...8110 A": com. anodes / gem. Anode "DAF 811 K...8110 K" : com. kathodes / gem. Kathode
Maximum ratings Grenzwerte
Type Repetitive peak reverse voltage Surge peak reverse voltage
Typ Periodische Spitzensperrspannung Stoßspitzensperrspannung
V [V] V [V]
RRM RSM
DAF 811 A/K 100 120
DAF 814 A/K 400 480
Max. average forward rectified current, R-load, T = 25°C
A
For one diode operation only I 600 mA )
FAV
1
For all diodes together I 150 mA )
FAV
1
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last, T = 25°C
U
Nur eine Diode im Einsatz I 600 mA )
FAV
1
Für alle Dioden zusammen I 150 mA )
FAV
1
Peak fwd. surge current, 50 Hz half sine-wave, T = 25°C I 30 A
A FSM
superimposed on rated load, one diode only
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle,
überlagert bei Nennlast, für eine Diode
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
1
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
337
01.01.99
Diotec
DAF 811 A/K … DAF 814 A/K (1.2 W)
Max. power dissipation – Verlustleistung T = 25°C P 1.2 W )
A tot
1
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T – 50…+150°C
j
Storage temperature – Lagerungstemperatur T – 50…+150°C
S
Characteristics Kennwerte
Forward voltage T = 25°C I = 1 A V < 1.1 V
j F F
Durchlaßspannung
Leakage current T = 25°C V = V I < 10 µA
j R RRM R
Sperrstrom T =100°C V = V I < 90 µA
j R RRM R
Reverse recovery time I = 10 mA through/über t < 350 ns
F rr
Sperrverzug I = 10 mA to/auf I = 1 mA
R R
Thermal resistance junction to ambient air R < 85 K/W )
thA
1
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
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