Diotec BYZ50A47, BYZ50A39, BYZ50A33, BYZ50A27, BYZ50A22 Datasheet

Diotec

BYZ 50A22 ... BYZ 50A47

Silicon Press-Fit-Z-Diodes Silizium-Einpreß-Z-Dioden
High-temperature diodes Hochtemperaturdioden

Ø 12.7

Ø 10

Power dissipation – Verlustleistung 50 W

Standard tolerance of Z-voltage ± 10 % (E12)

Ø 1.3

Standard-T oleranz der Arbeitsspannung

Metal press-fit case with plastic cover
Metall-Einpreßgehäuse mit Plastik-Abdeckung

Weight appro x. – Gewicht ca. 10 g

Casting compound has UL classification 94V-0
Vergußmasse UL94V-0 klassifiziert

Ø 13

Rändel / knurl 0.8

Standard: Cathode t o case / am Gehäuse

Dimensions / Maße in mm Index R: Anode to case / am Gehäuse (e.g. BYZ50A22R)

Standard packaging: bulk Standard Lieferform: lose im Karton

Ma ximum rati ngs Grenzwerte

Type / Typ Zener voltage ) D ynamic resistance Max. Z- cur r ent )

Arbeitsspa nnung ) Diff. Wider s tand Max. Arbeits s trom )

I = 100mA f=1kHz, I =100mA T = 50°C

ZZA

V [V] r [6]I [mA]

Zzj Z

1 2

1 2

BYZ 50A22 19.6...24.4 2.5 2040
BYZ 50A27 24.1...30.0 2.8 1600
BYZ 50A33 29.6...36.5 3.2 1360
BYZ 50A39 35.5...43.5 4 1140
BYZ 50A47 42...52 4.5 960

Max. average forward rectified current, R-load T = 150°C I 50 A

CFAV

Dauergr enz strom in Einwegschaltung mit R-Last

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T – 50…+215°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur T – 50…+215°C

j
S

Ma ximum pressure – Maxima ler Einpr eßdruck 7 kN

Thermal resistance junction to case R < 0.6 K/W

thC

Wärmewiderstand Sperr schicht – Gehäuse

1

) Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen

2

) Valid, if the temp. of the case is kept to 150°C – Gültig, wenn die Gehäusetemp. auf 150°C gehalten wird

01.01.99

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