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BYZ 50A22 ... BYZ 50A47
BYZ 50K22 ... BYZ 50K47
Silicon Protectifiers Silizium Schutzgleichrichter
with TVS characteristics mit Begrenzereigenschaften
High-temperature diodes Hochtemperaturdioden
Ø 12.75
Ø
11
±0.1
Nominal current – Nennstrom 50 A
Nominal breakdown voltage 19.8 ... 51.7 V
Nominale Abbruch-Spannung
1.3
Rändel 0.8
knurl 0. 8
±0.2
10.7
±0.2
5
±01
Ø
13
Dimensions / Maße in mm
±0.5
28.5
Metal press-fit case with plastic cover
Metall-Einpreßgehäuse mit Plastik-Abdeckung
Weight approx. – Gewicht ca. 10 g
Casting compound has UL classification 94V-0
Vergußmasse UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
Maximum ratings Grenzwerte
Type / Typ
Wire to / Draht an
Anode Cathode
BYZ 50A22 BYZ 50K22 19.8 24.2 > 17.8 31,9 242
BYZ 50A27 BYZ 50K27 24.3 29.7 > 21.8 39,1 192
BYZ 50A33 BYZ 50K33 29.7 36.3 > 26.8 47,7 160
BYZ 50A39 BYZ 50K39 35.1 42.9 > 31.6 56,4 134
BYZ 50A47 BYZ 50K47 42.3 51.7 > 38.1 67,8 112
Breakdown voltage
Abbruch-Spannung
I
= 100 mA
T
V
[V] V
BRmin
BRmax
Reverse voltage
Sperrspannung
I
= 5 :A
R
V
[V]
R
Max. clamping voltage
Max. Begrenzerspanng.
at / bei I
V
C
, tp = 1m s
PP
[V] IPP [A]
Max. average forward rectified current, R-load TC = 150/CI
FAV
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave TA = 25/CI
FSM
Stoßstrom für eine 50 / 60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t <10 ms TA = 25/Ci
Forward voltage – Durchlaßspannung Tj = 25/CI
= 50 A V
F
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
04.09.2002
2
t 800 A2s
F
– 50…+215/C
j
– 50…+215/C
S
50 A
400 / 450 A
< 1.1 V
1
BYZ 50A22 ... BYZ 50A47
BYZ 50K22 ... BYZ 50K47
Max. junction temperature in case of “Load Dump” T
jmax
+280/C
Max. Sperrschichttemperatur bei “Load Dump”
Thermal resistance junction to case R
thC
< 0.6 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
Maximum pressure – Maximaler Einpreßdruck 7 kN
2
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