BC337 / BC338
BC337 / BC338
NPN
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2006-05-30
Power dissipation
Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
16
C
BE
9
18
Plastic material has UL classification 94V-0
2 x 2.54
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings (T
= 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)
A
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short V
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open V
CES
CEO
NPN
625 mW
TO-92
(10D3)
BC337 BC338
50 V 30 V
45 V 25 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open V
EBO
Power dissipation – Verlustleistung P
Collector current – Kollektorstrom (dc) I
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom I
CM
Base current – Basisstrom I
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Characteristics (T
= 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
j
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
V
= 1 V, IC = 100 mA Group -16
CE
V
= 1 V, IC = 300 mA Group -16
CE
2
)
Group -25
Group -40
Group -25
Group -40
T
T
h
h
h
h
h
h
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg.
5 V
tot
C
625 mW 1)
800 mA
1 A
B
j
S
100 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
Min. Typ. Max.
FE
FE
FE
FE
FE
FE
2
100
160
250
60
100
170
)
160
250
400
130
200
320
250
400
630
–
–
–
I
= 500 mA, IB = 50 mA V
C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Tested with pulses t
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
p
CEsat
– – 0.7 V
1
BC337 / BC338
Characteristics (T
Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung
V
= 1 V, IC = 300 mA, V
CE
= 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
j
2
)
Collector-Emitter cutoff current – Kollektor-Emitter-Reststrom
V
= 45 V, (B-E short)
CE
V
= 25 V, (B-E short)
CE
V
= 45 V, Tj = 125°C, (B-E short)
CE
V
= 25 V, Tj = 125°C, (B-E short)
CE
BC337
BC338
BC337
BC338
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
V
= 5 V, IC = 10 mA, f = 50 MHz f
CE
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
V
= 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz C
CB
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
Available current gain groups per type
Lieferbare Stromverstärkungsgruppen pro Typ
Min. Typ. Max.
BE
I
CES
I
CES
I
CES
I
CES
T
CBO
R
thA
– – 1.2 V
–
–
–
–
2 nA
2 nA
–
–
100 nA
100 nA
10 µA
10 µA
– 100 MHz –
– 12 pF –
< 200 K/W 1)
BC327 / BC328
BC337-16
BC337-25
BC337-40
BC338-16
BC338-25
BC338-40
120
[%]
100
80
60
40
20
P
tot
0
T
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
50
A
150100
[°C]
1
1
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
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