Diotec BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06 Schematic [ru]

BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06

2.4

1.3

±0.1

1.1

+0.1

0.4

+0.1

2.9

±0.1

1

2

3

Type
Code

1.9

±0.1

-0.05

-0.2

±0.2

BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06

Surface Mount Schottky Barrier Single/Double Diodes

Schottky-Barrier Einzel-/Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage

Version 2015-05-12

Power dissipation – Verlustleistung 310 mW

Repetitive peak reverse voltage

40 V

Periodische Spitzensperrspannung

Plastic case
Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Dimensions - Maße [mm]

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)

per diode / pro Diode BAS40-series

Power dissipation – Verlustleistung 1) P

Max. average forward current (dc)

tot

I

FAV

310 mW 2)

200 mA 2)

Dauergrenzstrom

Repetitive peak forward current

I

FRM

300 mA 2)

Periodischer Spitzenstrom

Non repetitive peak forward surge current

tp ≤ 1 s I

FSM

0.6 A

Stoßstrom-Grenzwert

Repetitive peak reverse voltage

V

RRM

40 V

Periodische Spitzensperrspannung

Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur

T

j

T

S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)

Forward voltage 3)
Durchlass-Spannung 3)

Leakage current
Sperrstrom

Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität

IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 40 mA

VR = 30 V
VR = 40 V

V

F

V

F

V

F

I

R

I

R

C

T

< 380 mV
< 500 mV

< 1.00 V

< 200 nA

< 10 µA

5 pF

VR = 0 V, f = 1 MHz

Reverse recovery time – Sperrverzug

t

rr

< 5 ns

IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA

Thermal resistance junction to ambient air

R

thA

< 400 K/W 2)

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

1 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden
2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

3 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1

BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06

21

323

1

21

3213

[%]

P

tot

Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp. )

1

1

120

100

80

20

0

0 150

50 100

T

A

[°C]

60

40

Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)

V

F

[V] 1.41.00.80.60.40

[A]

I

F

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

1

T = 25°C

j

Pinning – Anschlussbelegung Marking – Stempelung

Single Diode

Einzeldiode

BAS40 = 43

1 = A 2 = n.c./frei 3 = C

Dual diode, series connection

Doppeldiode, Reihenschaltung

BAS40-04 = 44

1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2

Dual diode, common cathode

Doppeldiode, gemeinsame Katode

BAS40-05 = 45

1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2

Dual diode, common anode

Doppeldiode, gemeinsame Anode

BAS40-06 = 46

1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2

2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG