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1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448
Ø 1.9
±0.1
Ø max 0.5
62.5
±3
3.9
±0.4
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448
Small Signal Switching Diodes
Kleinsignal-Schaltdioden
I
= 150...200 mA
FAV
VF1< 0.54 V
T
= 175°C
jmax
V
= 50...100 V
RRM
I
= 2000...4000 mA
FSM
trr< 2...4 ns
Version 2017-08-25
~DO-35 / ~(SOD-27)
Typical Applications
Signal processing,
High-speed switching
Commercial grade 1)
Features
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Mechanical Data 1)
Taped in ammo pack
Weight approx.
5000
0.17 g
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schnelles Schalten
Standardausführung 1)
Besonderheiten
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschichtkapazität
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanische Daten
Gegurtet in Ammo-Pack
Gewicht ca.
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
Dimensions - Maße [mm]
MSL N/A
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Type
Typ
Reverse voltage
Sperrspannung
VR [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
[V]
RRM
1N4148 75 100
1N4150 50 50
1N4151 50 75
1N4448 75 100
1
)
Max. average forward current
Dauergrenzstrom
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Non-repetitive peak forward current
Stoßstrom-Grenzwert
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
tp = 1 µs
Tj = 25°C
1N4148
1N4448
I
FAV
I
FRM
I
FSM
P
T
T
200 mA 3) 300 mA 3) 200 mA 3)
500 mA 3) 600 mA 3) 500 mA 3)
4000 mA 4000 mA 2000 mA
tot
j
S
1N4150 1N4151
500 mW 3)
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
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1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
T = 25°C
j
T = 125°C
j
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
[A]
I
F
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
2
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
2
[°C]
T
A
150100
50
0
Characteristics Kennwerte
1N4148 1N4150 1N4151 1N4448
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C IF =
Leakage current
Sperrstrom Tj = 25°C VR =
Leakage current
Sperrstrom
Junction capacitance
Sperrschichtkapazität
Tj = 150°C VR =
VR = 0 V, f = 1 MHz C
Reverse recovery time
Sperrverzug
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
5 mA
10 mA
50 mA
100 mA
200 mA
20 V
50 V
75 V
20 V
50 V
–
< 1.0 V
V
F
–
–
–
< 25 nA
I
R
–
< 5 µA
I
t
R
< 50 µA
R
T
rr
thA
–
–
–
–
–
< 1.2 V
–
< 100 nA
–
–
–
< 1.0 V
–
–
–
< 50 nA
–
–
< 100 µA–< 50 µA
typ. 4 pF
< 4 ns 1)
< 300 K/W 2)
0.62...0.72 V
–
–
< 1.0 V
–
< 25 nA
–
< 5 µA
< 50 µA
–
1 IF = 10 mA through/über IR = 10 mA to/auf IR = 1 mA
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
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