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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK) NW3
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
Tvj = - 40°C...T
vj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages 1600, 1800 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
Tvj = - 40°C...T
vj max
non-repetitive peak forward off-state voltage 1600, 1800 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
Tvj = + 25°C...T
vj max
non-repetitive peak reverse voltage 1700, 1900 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS on-state current (per chip)
Effektivstrom (pro Phase)
RMS current (per arm)
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
TC = 85°C I
TC = 75°C
TA = 45°C, KM 11
TA = 45°C, KM 33
TA = 35°C, KM 14 (VL = 45l/s)
TA = 35°C, KM 33 (VL = 90l/s)
Tvj = 25°C, tp = 10ms I
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs
Tvj = T
, tp = 10ms
vj max
, tp = 10ms
vj max
, vD = 0,67 V
vj max
DRM
critical rate of rise of off-state voltage 8. Kennbuchstabe / 8th letter F 1000 V/µs
V
DRM
V
DSM
V
RSM
I
TRMSM
RMS
, V
RRM
1200, 1400 V
1200, 1400 V
1300, 1500 V
120 A
145 A
170 A
40 A
59 A
108 A
131 A
TSM
1250 A
1050 A
I²t 7800 A²s
5500 A²s
(di/dt)
(dv/dt)
cr
cr
120 A/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
Tvj = T
, iT = 200A v
vj max
on-state voltage
Schleusenspannung
Tvj = T
vj max
threshold voltage
Ersatzwiderstand
Tvj =T
vj max
slope resistance
Zündstrom
Tvj = 25°C, vD = 6V I
gate trigger current
Zündspannung
Tvj = 25°C, vD = 6V V
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
, vD = 6V I
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
gate non-trigger voltage
Haltestrom
Tvj = 25°C, vD = 6V, RA = 5Ω I
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Tvj = 25°C, vD = 6V, RGK ≥ 20Ω I
iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs, tg = 10µs
Tvj = T
vj max
vD = V
, vR = V
DRM
Zündverzug DIN IEC 747-6
gate controlled delay time
Tvj = 25°C, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs
RRM
DRM
DRM
V
r
T
GT
GD
V
H
L
iD, i
t
gd
T
(T0)
max. 1,87 V
0,95 V
3,2
mΩ
max. 150 mA
GT
max. 2,5 V
max. 5,0 mA
max. 2,5 mA
GD
max. 0,2 V
max. 200 mA
max. 600 mA
R
max. 10 mA
max. 1,2 µs
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK) NW3
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Tvj = T
, iTM = 50A
vj max
vRM = 100V, VDM = 0,67 V
dVD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
7. Kennbuchstabe / 7th letter O
RMS, f = 50Hz, t = 1min V
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
pro Modul / per module, Θ = 180°sin
pro Element / per chip, Θ = 180°sin
pro Modul / per module, DC
pro Element / per chip, DC
pro Modul / per module R
pro Element / per chip
DRM
t
R
T
T
T
q
ISOL
thJC
thCK
vj max
c op
stg
typ. 190 µs
3,0 kV
3,6 kV
max. 0,070 °C/W
max. 0,420 °C/W
max. 0,065 °C/W
max. 0,390 °C/W
max. 0,033 °C/W
max. 0,200 °C/W
125 °C
- 40...+125 °C
- 40...+130 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert
Si-pellets with soldered contact, glass-passivated
Innere Isolation
Al
2O3
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
Toleranz / tolerance ±15%
M1 6 Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
Toleranz / tolerance +5% / -10%
M2 6 Nm
terminal connection torque
Gewicht G
typ.
300 g
weight
Kriechstrecke 12,5 mm
creepage distance
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50 m/s²
vibration resistance
Temperatursensor / Temperature sensor
Nennwiderstand
rated resistance
Verlustleistung
TC = 25°C
R
= 493Ω ± 5%
100
TC = 25°C
power dissipation
Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
R
25
P
25
max. 20 mW
5
kΩ
MOD-E1; R. Jörke 29. Apr 99 Seite/page 2(9)
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
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ϑ
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Phase Control Thyristor Module
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
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für DC
thJC
for DC
thJC
Pos. n 1234567
[]
RCW
thn
° /
0,15200 0,21100 0,02960
[]
τns
Analytische Funktion Z R e
0,31800 0,03870 0,00109
n
max
:
=−
∑
thJC thn
=
n
1
1
t
−
τ
n
MOD-E1; R. Jörke 29. Apr 99 Seite/page 4(9)
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
0,45
0,40
0,35
0,30
TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK) NW3
180° sin
DC
0,25
[°C/W]
thJC
Z
0,20
0,15
0,10
0,05
0,00
0,001 0,01 0,1 1 10
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
MOD-E1; R. Jörke 29. Apr 99 Seite/page 5(9)
thJC
= f(t)
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
140
130
120
110
100
TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK) NW3
90
80
[°C]
C
T
70
60
50
40
30
20
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
I
[A]
RMS
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperatur TC = f(I
MOD-E1; R. Jörke 29. Apr 99 Seite/page 6(9)
RMS
)
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j
)
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Phase Control Thyristor Module
100
90
80
70
TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK) NW3
) [°C]
Sensor
- T
vj
(T
60
50
40
30
20
10
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0
I
/ I
a
RMS(Tc=85°C)
Differenz zwischen Sperrschicht- und Sensortemperatur / Difference between the values of junction and
sensor temperature (T
: Anlaufstrom / Starting current
I
a
: Effektivstrom (pro Phase) / RMS current (per arm)
I
RMS
MOD-E1; R. Jörke 29. Apr 99 Seite/page 7(9)
v
- T
Sensor
) = f(Ia / I
RMS(Tc=85°C
)
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Phase Control Thyristor Module
10000
TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK) NW3
]
Ω
[
1000
Sensor
R
100
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
[°C]
T
Sensor
Sensorwiderstand / Sensor resistance R
MOD-E1; R. Jörke 29. Apr 99 Seite/page 8(9)
Sensor
= f(T
Sensor
)
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Phase Control Thyristor Module
800
700
600
TT W3C 145 N 12...18 (ISOPACK) NW3
[W]
P
tot
500
400
300
200
100
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
I
[A]
RMS
Gesamtverlustleistung pro Modul / Total power dissipation per module P
: Effektivstrom (pro Phase) / RMS current (per arm)
I
RMS
MOD-E1; R. Jörke 29. Apr 99 Seite/page 9(9)
tot
= f(I
RMS
)
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