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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Datenblatt / Data sheet
TT162N
Date of Publication 2017-08-16
Revision: 3.4
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Kenndaten
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
TT162N
TD162N
TT162N...-K
TD162N...-A
TT162N...-A
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Tvj = -40°C... T
vj max
V
DRM,VRRM
1200
1400
1600
V
V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = -40°C... T
vj max
V
DSM
1200 1400
1600
V
V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... T
vj max
V
RSM
1300
1500
1700
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
TRMSM
260
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85°C
I
TAVM
162
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T
vj max
, tP = 10 ms
I
TSM
5200
4400
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T
vj max
, tP = 10 ms
I²t
135000
97000
A²s
A²s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6 f = 50 Hz,
iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs
(diT/dt)cr
150
A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = T
vj max
, vD = 0,67 V
DRM
6.Kennbuchstabe / 6
th
letter C
6.Kennbuchstabe / 6
th
letter F
(dvD/dt)cr
500
1000
V/µs
V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = T
vj max
, iT = 500 A
vT
max.
1,41
V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = T
vj max
V
(TO)
0,85
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = T
vj max
rT
0,95
mΩ
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 6 V
IGT
max.
150
mA
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = 25°C, vD = 6 V
VGT
max.
2
V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = T
vj max
, vD = 6 V
Tvj = T
vj max
, vD = 0,5 V
DRM
IGD
max.
max.
10
5
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = T
vj max
, vD = 0,5 V
DRM
VGD
max.
0,25
V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
IH
max.
200
mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs,
tg = 20 µs
IL
max.
800
mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = T
vj max
vD = V
DRM
, vR = V
RRM
iD, iR
max.
30
mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6T
vj
= 25 °C,
iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs
tgd
max.
3
µs
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ML
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Elektrische Eigenschaften
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Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = T
vj max
, iTM = I
TAVM
vRM = 100 V, vDM = 0,67 V
DRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5th letter O
tq
typ.
200
µs
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
V
ISOL
2,5
3,0
kV
kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
0,100
0,200
0,096
0,192
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
R
thCH
max.
max.
0,03
0,06
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
125
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+130
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Toleranz / Tolerance ± 15%
M1 6 Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz / Tolerance ± 10%
M2 6 Nm
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46 244 A 2,8 x 0,8
Gewicht
weight
G
typ.
310
g
Kriechstrecke
creepage distance
15
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50
m/s²
file-No. E 83335
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
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Maßbild
1 2 3
TT
45
7 6
1 2 3
TD
45
1 2 3
TT-K
4 5
7 6
1 2 3
TD-A
45
1 2 3
TT-A
45
76
Maßbild
Maßbild
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R,T – Werte
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n
1 2 3 4 5 6 7
R
thn
[°C/W]
0,0094
0,0224
0,0586
0,102
τ
n
[s]
0,0014
0,0253
0,267
1,68
Analytische Funktion / Analytical function:
max
n
n=1
thn
thJC
n
– t
- e1R
Z
Luftselbstkühlung / Natural cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (45W)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thCA
Pos. n
1 2 3 4 5 6 7
R
thn
[°C/W]
1,71
0,135
0,013
τ
n
[s]
1200
14 4
Verstärkte Kühlung / Forced cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650N)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thCA
Pos. n
1 2 3 4 5 6 7
R
thn
[°C/W]
0,515
0,119
0,026
τ
n
[s]
354
13,6
2,41
Analytische Funktion / Analytical function:
max
n
n=1
thn
thCA
n
– t
- e1R
Z
Di
R,T-Werte
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Diagramme
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z
thJC
= f(t)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z
thJC
= f(t)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
Trans. Wärmewiderstand bei Sinus
Trans. Wärmewiderstand bei Rechteck
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Diagramme
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P
TAV
= f(I
TAV
)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P
TAV
= f(I
TAV
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
Durchgangsverluste bei Sinus
Durchgangsverluste bei Rechteck
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Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(I
TAVM
)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(I
TAVM
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
Gehäusetemperatur bei Sinus
Gehäusetemperatur bei Rechteck
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0 50 100 150 200 250 300 350
I D [A]
L-Last
L-load
R-Last
R-load
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
tot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
thCA
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450
ID [A]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
tot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
thCA
Maximaler Strom bei B2 und B6
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0 100 200 300 400
I
RMS
[A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
RMS
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
tot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäuse und Umgebung / Thermal resistance case to ambient R
thCA
0 50 100 150 200 250 300 350
I
RMS
[A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
RMS
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
tot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
thCA
Maximaler Strom bei W1C und W3C
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Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 6 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 6 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation P
GM
= f (tg) :
a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms
Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iG)
Tvj = 25°C, diG/dt = iGM/1µs
a - maximaler Verlauf / Limiting characteristic
b - typischer Verlauf / Typical characteristic
Steuercharakteristik
Zündverzug
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Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = T
vjmax
, vR ≤ 0,5 V
RRM
, vRM = 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
Grenzstrom / Maximum overload on-state current I
T(OV)M
= f(t), vRM = 0,8 V
RRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: nach Belastung mit I
TAVM
/ after load with I
TAVM
TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling
TA = 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling
Sperrverzögerungsladung
Grenzstrom
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Überstrom je Zweig / Overload on-state current I
T(OV)
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KM17 (45W) Luftselbstkühlung bei / Natural cooling at TA = 45°C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm I
TAV(vor)
Überstrom je Zweig / Overload on-state current I
T(OV)
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KM17 (Papst 4650N) Verstärkte Kühlung bei / Forced cooling at TA = 35°C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm I
TAV(vor)
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