ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
V
CC
=± 15V, T
amb
=25oC (unless otherwisespecified)
Symbol Parameter
TL062AC,AI, AM TL062BC,BI,BM
Unit
Min. Typ. Max. Min. Typ. Max.
V
io
Input Offset Voltage (Rs=50Ω)
T
amb
=25oC
T
min
. ≤ T
amb
≤ T
max.
36
7.5
23
5
mV
DV
io
Temperature Coefficient of Input Offset Voltage
(R
s
=50Ω)1010
µV/
o
C
I
io
Input Offset Current *
T
amb
=25oC
T
min
. ≤ T
amb
≤ T
max.
5 100
3
5 1003pA
nA
I
ib
Input Bias Current *
T
amb
=25oC
T
min
. ≤ T
amb
≤ T
max.
30 200
7
30 2007pA
nA
V
icm
Input Common Mode Voltage Range ±11.5 +15
-12
±11.5 +15
-12
V
V
OPP
Output Voltage Swing (RL= 10kΩ)
T
amb
=25oC
T
min
. ≤ T
amb
≤ T
max
.
202027 202027
V
A
vd
Large Signal Voltage Gain (RL= 10kΩ,Vo=±10V)
T
amb
=25oC
T
min
. ≤ T
amb
≤ T
max.
4
4
64
4
6
V/mV
GBP Gain Bandwidth Product
(T
amb
=25oC, RL= 10kΩ,CL= 100pF) 1 1
MHz
R
i
Input Resistance 10
12
10
12
Ω
CMR Common Mode Rejection Ratio (R
s
=50Ω) 8086 8086 dB
SVR Supply Voltage Rejection Ratio (R
s
=50Ω) 8095 8095 dB
I
cc
Supply Current (Per Amplifier)
(T
amb
=25oC, no load, no signal) 200 250 200 250
µA
V
O1/VO2
Channel Separation (Av= 100, T
amb
=25oC) 120 120
P
D
Total Power Consumption (Each Amplifier)
(T
amb
=25oC, no load, no signal) 6 7.5 6 7.5
mW
SR Slew Rate (V
i
= 10V, RL= 10kΩ,CL= 100pF, AV= 1) 1.5 3.5 1.5 3.5 V/µs
t
r
Rise Time (Vi= 20mV, RL= 10kΩ,CL= 100pF, AV= 1) 0.2 0.2 µs
K
OV
Overshoot Factor (Vi= 20mV, RL= 10kΩ,CL= 100pF,
A
V
= 1) - (see figure 1) 10 10
%
e
n
Equivalent Input Noise Voltage
(R
s
= 100Ω, f = 1KHz) 42 42
nV
√Hz
* The input bias currents of a FET-input operational amplifier are normaljunction reverse currents, which are temperature sensitive.
Pulse techniques must be used that will maintain the junction temperature as close to the ambient temperature as possible.
TL062 - TL062A - TL062B
4/10