Datasheet TPD2005F Datasheet (TOSHIBA)

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TPD2005F
東芝インテリジェントパワーデバイス シリコンモノリシックパワーMOS型集積回路
TPD2005F
モータ、ソレノイド、ランプドライブ用 ハイサイドパワースイッチアレイ (8 チャネル)
特 長
z nch パワーMOS FET とチャージポンプを 8 チャネル内蔵したハイサイド
スイッチアレイです。
z マイクロプロセッサから電力負荷を直接ドライブできます。 z 過熱、負荷ショートに対する保護機能を内蔵しています。 z 8 チャネル入りのため、省スペース設計ができます。 z 動作電源電圧が高い。 : 40V z オン抵抗が小さい。 : 1.2Ω(最大) @V
ネル)
z パラ動作ができます。 z 動作電流が小さい。 : 5mA (最大) @V z SSOP–24 パッケージ (300mil) で、梱包形態はエンボステーピングです。
= 12V, IO = 0.5A (各チャ
DD
= 40V, VIN = 0V
DD

ピン接続 現品表示

質量: 0.29g (標準)
TPD2005F
製品名 (または略号)
この製品は MOS 構造ですので取り扱いの際には静電気にご注意ください。
ロット No.
外装鉛フリー 識別マーク
( なし: 鉛含有 あり: 鉛フリー)
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ブロック図

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端子説明

端子番号 端子記号 端子の説明
1 VDD 電源端子。内部で 12 ピンと接続されています。
2 GND 接地端子。内部で 11 ピンと接続されています。
3 IN1 チャネル 1 の入力端子。プルダウン抵抗 (100kΩ標準) 内蔵。
4 IN2 チャネル 2 の入力端子。プルダウン抵抗 (100kΩ標準) 内蔵。
5 IN3 チャネル 3 の入力端子。プルダウン抵抗 (100kΩ標準) 内蔵。
6 IN4 チャネル 4 の入力端子。プルダウン抵抗 (100kΩ標準) 内蔵。
7 IN5 チャネル 5 の入力端子。プルダウン抵抗 (100kΩ標準) 内蔵。
8 IN6 チャネル 6 の入力端子。プルダウン抵抗 (100kΩ標準) 内蔵。
9 IN7 チャネル 7 の入力端子。プルダウン抵抗 (100kΩ標準) 内蔵。
10 IN8 チャネル 8 の入力端子。プルダウン抵抗 (100kΩ標準) 内蔵。
11 GND 接地端子。内部で 2 ピンと接続されています。
12 VDD 電源端子。内部で 1 ピンと接続されています。
13 N.C.
14 N.C.
15 OUT8 チャネル 8 の出力端子。
16 OUT7 チャネル 7 の出力端子。
17 OUT6 チャネル 6 の出力端子。
18 OUT5 チャネル 5 の出力端子。
19 OUT4 チャネル 4 の出力端子。
20 OUT3 チャネル 3 の出力端子。
21 OUT2 チャネル 2 の出力端子。
22 OUT1 チャネル 1 の出力端子。
23 N.C.
24 N.C.

タイミングチャート

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真理値表

入力 出力 動作状態
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L L
H H
L L
H 内部制限
L L
H L
正常
過電流保護
過熱保護
絶対最大定格
電源電圧 VDD 45 V
入力電圧 VIN 0.5~7 V
ドレイン・ソース電圧 VDS 60 V
出力電流 IO 内部制限 A
総 許 容 損 失 (Ta = 25°C) ( 全チャネル動作)
エネルギー耐量 EAS 10 mJ
動作温度 T
接合部温度 T
保存温度 T
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
P
T
4085 °C
opr
150 °C
j
55150 °C
stg
0.8
1.2 (注)
W
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても、高負荷 (高温お
よび大電流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれが あります。 弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。

熱抵抗特性

項目 記号 定格 単位
総熱抵抗 (接合外気間) (全チャネル動作、Ta = 25°C)
ΣR
th (j–a)
: 60mm×60mm×1.6mm ガラスエポキシ基板実装時 (DC)
156.3
104.2 (注)
°C / W
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電気的特性
動作電源電圧 V
消費電流 IDD ― V
入力電圧
入力電流
オン抵抗 R
出力リーク電流 IOL ― VDD = 40V, VIN = 0V ― 100 μA
過電流検出 IS ― 1 3 A
過熱検出
スイッチング時間
特に指定のない場合は、
(
項目 記号
“L” レベル V
“H” レベル V
温度 TSD ― 160 ―
ヒステリシス ΔT
VDD = 8~40V、Tj = 25°C)
測定 回路
8 ― 40 V
DD (opr)
DD
1.5
IL
3.5
IH
IIL VDD = 24V, VIN = 0V −10 10
I
VDD = 24V, VIN = 5V 50 200
IH
VDD = 12V, IO = 0.5A 0.9 1.2 Ω
DS (ON)
10
SD
tON 1 11 200
t
OFF
V
DD
測定条件 最小 標準 最大 単位
= 40V, V
= 12V, RL = 24Ω
IN
= 0V 5 mA
4 50

保護回路動作説明

(1) 過熱検出
y 過熱検出回路は 4 回路内蔵しています。過熱検出は ch1 ch2ch3 ch4ch5 ch6ch7 ch8
の組み合わせで回路構成されており、いずれかの回路が過熱を検出した場合には 2 つのチャンネル (例 えば ch1 ch2) の出力をオフさせるロジック構成になっています。
y 過熱検出回路はヒステリシスを持っており、過熱検出後、ジャンクション温度が過熱検出温度よりヒス
テリシス分 (10°C 標準) 温度が下がると、正常動作に復帰します。
(2) 過電流検出
y 過電流を検出すると電流リミッタ動作になり、出力電流を制限します。負荷電流が過電流検出値以下に
なると正常動作に復帰します。

測定回路 1

V
μA
°C
μs

スイッチング時間

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使用上の注意

1. バッテリーなどの逆接保護は内蔵されておりませんので、外部回路にて対策してください。
2. 出力端子の負バイアス保護回路を内蔵しておりませんので、出力端子に負バイアスが印加される場合には、 OUTGND 間にかならず逆起電圧吸収用ダイオード (FWD) を接続してください。

防湿梱包に関する注意事項

防湿梱包開封後は 30°C・RH60%以下の環境で 48 時間以内に実装してください。 エンボステーピングのため、ベーキング処理ができませんので、かならず防湿梱包開封後の許容範囲内にてご 使用願います。 テーピングの標準梱包数量は、2000 個/リール (EL1) です。
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外形図
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当社半導体製品取り扱い上のお願い
当社は品質,信頼性の向上に努めておりますが,一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当 社半導体製品をご使用いただく場合は,半導体製品の誤作動や故障により,生命・身体・財産が侵害されること のないように,購入者側の責任において,機器の安全設計を行うことをお願いします。 なお,設計に際しては,最新の製品仕様をご確認の上,製品保証範囲内でご使用いただくと共に,考慮されるべ き注意事項や条件について「東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い」,「半導体信頼性ハンドブック」な どでご確認ください。
本資料に掲載されている製品は,一般的電子機器(コンピュータ,パーソナル機器,事務機器,計測機器,産業 用ロボット,家電機器など)に使用されることを意図しています。特別に高い品質・信頼性が要求され,その故 障や誤作動が直接人命を脅かしたり人体に危害を及ぼす恐れのある機器(原子力制御機器,航空宇宙機器,輸送 機器,交通信号機器,燃焼制御,医療機器,各種安全装置など)にこれらの製品を使用すること(以下“特定用 途という)は意図もされていませんし,また保証もされていません。本資料に掲載されている製品を当該特定用 途に使用することは,お客様の責任でなされることとなります。
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20070701-JA
本資料の掲載内容は,技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。
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