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TPD1044F
Datasheet (TOSHIBA)
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Datasheet TPD1044F Datasheet (TOSHIBA)

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Page 1
東芝インテリジェントパワーデバイスシリコンモノリシックパワーMOS 型集積回路
TPD1044F
モータ､ソレノイド､ランプドライブ用 ローサイドパワースイッチ
特 長
• 制御部と縦型出力パワーMOSFET を 1 チップ上に組み込んだ
IC です。
• CMOS ロジック IC 等から電力負荷を直接制御できます。
• 過電圧( アクティブクランプ)､過熱､過電流(電流リミッタ)
保護回路を内蔵しています。
• オン抵抗が小さい。 : R
• ドレインしゃ断電流が小さい。 : I
• 入力電流が小さい。 : I
• 面実装の PS-8(東芝呼称名)パッケージで梱包形態はエンボステーピングです。
DS (ON)
DSS
IN
= 0.6 Ω (最大) (@VIN = 5 V､ID = 0.5 A､Tch = 25°C)
= 10 μA (最大) (@VIN = 0 V､VDS = 30 V､Tch = 25°C)
= 300 μA (最大) (@VIN = 5 V､Tch = 25°C)

ピン接続 現品表示

質量: 0.017 g (標準)
TPD1044F
SON8-P-0303-0.65
DRAIN
DRAIN
DRAIN
この製品は MOS構造ですので取り扱いの際には静電気にご注意ください。
1
2
3
4
(TOP VIEW)
8
7
6
5
DRAIN
DRAIN
DRAIN
IN SOURCE
・正面から見てマーク下ドット(●)が 1番端子を示して います。
※週別ロット表示 3桁算用数字で構成し､西暦年号の末尾 1 桁､ および残りの 2桁を製造週とする。
形名
1044F
※
製造週コードその年の第一週を 01 とし､ 以降 52または 53 まで
製造年コード(西暦の下一桁)
1
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ブロック図

SOURCE

端子説明

TPD1044F
DRAIN
1
DRAIN
2
DRAIN
3
DRAIN
6
DRAIN
IN
5
過熱検出/保護回路 過電流検出/保護回路
4
7
8
DRAIN
端子番号 端子記号 端子の説明
1,2,3,6,7,8 DRAIN
4 SOURCE ソース端子。
5 IN
ドレイン端子。出力電流が 1 A (min) を超えると IC保護のため出力電流を制限 (電流リミッタ) し ます。
入力端子。内部でプルダウン抵抗が接続されており､仮に入力の配線がオープンになっても､出力が 誤ってオンすることはありません。
2
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タイミングチャート

入力信号
過電流検出
チャネル温度
ドレイン・ソース 間電圧
ドレイン電流
通常動作
電流制限
(リミッタ)
インダクタンス 負荷
アクティブ
クランプ
V
(CL)DSS
過熱保護
(注 1)
TPD1044F
ヒステリシス
過熱検出温度
V
DD
注 1: 過熱保護は自己復帰します。検出と復帰のヒステリシスは 5°C (標準) です。

真理値表

IN VDS 出力状態 動作状態
L H オフ H L オン L H オフ H H 電流制限(リミッタ) L H オフ
H H
オフ
通常
過電流
過熱
3
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絶対最大定格
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
TPD1044F
ドレイン･ソース間電圧 V ドレイン電流 ID 内部制限 A 入力電圧 VIN −0.3~7 V 許容損失 (Ta = 25°C) (注 2) PD 0.9 W アクティブクランプ耐量 (単発) (注 3) EAS 125 mJ アクティブクランプ電流 IAR 1 A アクティブクランプ耐量 (連続) (注 4) EAR 0.09 mJ 動作温度 T チャネル温度 Tch 150 °C 保存温度 T
41 V
DS(DC)
−40~125 °C
opr
−55~150 °C
stg
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても､高負荷 (高温お
よび大電流/高電圧印加､多大な温度変化等) で連続して使用される場合は､信頼性が著しく低下するおそれがあ ります。 弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート､推定故障率等) をご確認の上､適切な信頼性設計をお願いします。

熱抵抗特性

項目 記号 最大 単位
チャネル･外気間熱抵抗 (注 2) R
138.9 °C/W
th (ch-a)
注 2:
ガラスエポキシ基板
FR-4
25.4mm×25.4mm×0.8mm
注 3: アクティブクランプ耐量 (単発) 印加条件
V
= 40 V､Tch = 25°C(初期)､L = 50 mH､IAR = 1 A､RG = 25 Ω
DD
注 4: 連続印加の際､パルス幅は製品のチャネル温度によって制限されます。
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電気的特性(Ta = 25℃)

TPD1044F
項目 記号
ドレイン･ソース間クランプ電圧 V 入力しきい値電圧 Vth - VDS = 13 V,ID = 10 mA 1.0 - 2.8 V 保護回路動作入力電圧範囲 V ドレインしゃ断電流 I
高レベル入力電流
ドレイン･ソース間オン抵抗 R 過熱検出 TOT - VIN = 5 V 150 160 - °C 過電流検出 IOC 1 VIN = 5 V 1.0 1.8 - A
スイッチングタイム
(CL) DSS
IN (opr)
DSS
I
IH (1)
I
IH (2)
DS (ON)
ton - 10 ­t
off
測定 回路
- VIN = 0 V,ID = 1 mA 41 - 60 V
- - 3 - 6 V
- VIN = 0 V,VDS = 30 V - - 10 μA
- VIN = 5 V,定常動作時 - - 300
- VIN = 5 V,過電流保護回路動作時 - - 350
- VIN = 5 V, ID = 0.5 A - 0.44 0.6 Ω
2 V
DD
測定条件 最小 標準 最大 単位
= 13 V,VIN = 0 V/5 V, ID = 0.5 A
- 15 -

測定回路 1

過電流保護測定回路

測定回路
V
IN
IN
= 5 V
DRAIN
V
TPD1044F
SOURCE
DD
I
D
RL
=13V
測定波形
R
L
ID
R
大
L
0
μA
μs
R
小
L
I
OC

測定回路 2

スイッチングタイム測定回路

DRAIN
IN
P.G.
VDD=13V
ID=0.5A
TPD1044F
SOURCE
測定回路
V
IN
IN
DS
波形
波形
5 V
13 V
10%
t
on
90%
90%
10%
t
off
測定波形
V
VDS
V
V
5
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TPD1044F
(
) (
)
(2)
(
)
(V)
th
入力しきい値電圧 V
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
V
– Tch
th
−80
−40 0 40 80 120 160
チャネル温度 Tch (°C)
VDS = 13 V ID = 10 mA
(V)
DSS CL
V
ドレイン･ソース間クランプ電圧
60
50
40
30
20
10
0
−80
−40 0 40 80 120 160
チャネル温度 Tch (°C)
V
(CL) DSS
– Tch
VIN = 0 V ID = 1 mA
I
– Tch
IH (1)
400
300
VIN = 5 V
定常動作時
(μA)
(1) IH
200
100
入力電流 I
0
−80
−40 0 40 80 120 160
チャネル温度 Tch (°C)
(μA)
(2) IH
入力電流 I
400
300
200
100
– Tch
I
IH
0
−80
−40 0 40 80 120 160
チャネル温度 Tch (°C)
VIN = 5 V
過電流保護 回路動作時
0.8
R
DS (ON)
– Tch
0.8
DS (ON)
– VIN
R
0.6
(Ω)
ON
0.4
DS
R
0.2
ドレイン･ソース間オン抵抗
VIN = 5 V ID = 0.5 A
0.0
−80
−40 0 40 80 120 160
チャネル温度 Tch (°C)
0.6
(Ω)
ON
0.4
DS
R
0.2
ドレイン･ソース間オン抵抗
ID = 0.5 A Tch = 25 °C
0.0 0
2 4 6 8
入力電圧 VIN (V)
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TPD1044F
f
4.0
I
OC
– Tch
VIN = 5 V
4.0
– VIN
I
OC
Tch = 25 °C
3.0
(A)
OC
2.0
1.0
過電流検出値 I
0.0
−80
−40 0 120 160
チャネル温度 Tch (°C)
40 80
3.0
(A)
OC
2.0
1.0
過電流検出値 I
0.0 0
2 4 6 8
入力電圧 VIN (V)
60
(μs)
off
, t
on
40
t
, t
– Tch
on
off
VDD = 13 V VIN = 5 V ID = 0.5 A
, t
– VIN
t
on
off
60
(μs)
off
, t
on
40
VDD = 13 V Tch = 25 °C ID = 0.5 A
20
t
on
t
of
スイッチングタイム t
0
−80
−40 0 120 160
チャネル温度 Tch (°C)
40 80
スイッチングタイム t
20
0
0
2 4 6 8
ton
t
off
入力電圧 VIN (V)
200
VDD = 13 V
150
(°C)
OT
100
50
過熱検出温度 T
0
0
2 6 8
入力電圧 VIN (V)
T
OT
– VIN
4
– Ta
P
D
P
T
－
D
周囲温度
a
25.4×25.4×0.8(mm)
ガラ スエポキ シ 基板実装時
(℃)
T
a
2.0
1.6
(W)
(W)
D
1.2
D
P
0.8
消費電力
許容損失 P
0.4
0.0
-40 0 40 80 120 160
周囲温度 Ta (°C)
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TPD1044F
1000
25.4
×25.4×0.8(mm) ガラ スエポ キシ基板実装時 単発パルス
100
/W)
(°C /W)
℃
(
th
rth(ch-a)
過渡熱抵抗 r
10
1
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
– tw
r
th
rth-tw
パルス幅 tw (s)
パルス幅 tw　
(s)
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A
A
外形図
SON8-P-0303-0.65
0.33±0.05
0.475
0.33±0.05
0.65
0.05
M
2.4±0.1
2.8±0.1
B
0.05
M
TPD1044F
単位:mm
0.17±0.02
B
S
質量: 0.017 g (標準)
0.025
2.9±0.1
S
0.8±0.05
-0.11
+0.1
0.28
-0.12
+0.13
1.12
-0.12
+0.13
1.12
-0.11
+0.1
0.28
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TPD1044F
製品取り扱い上のお願い
• 本資料に掲載されているハードウェア、ソフトウェアおよびシステム（以下、本製品という）に関する情 報等、本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。
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• 本製品は、一般的電子機器（コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業用ロボット、家 電機器など）または本資料に個別に記載されている用途に使用されることが意図されています。本製品は、 特別に高い品質・信頼性が要求され、またはその故障や誤作動が生命・身体に危害を及ぼす恐れ、膨大な 財産損害を引き起こす恐れ、もしくは社会に深刻な影響を及ぼす恐れのある機器（以下“特定用途”とい う）に使用されることは意図されていませんし、保証もされていません。特定用途には原子力関連機器、 航空・宇宙機器、医療機器、車載・輸送機器、列車・船舶機器、交通信号機器、燃焼・爆発制御機器、各 種安全関連機器、昇降機器、電力機器、金融関連機器などが含まれます。本資料に個別に記載されている 場合を除き、本製品を特定用途に使用しないでください。
• 本製品を分解、解析、リバースエンジニアリング、改造、改変、翻案、複製等しないでください。
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