Page 1
TPD1033F
東芝インテリジェントパワーデバイス シリコンモノリシックパワーMOS型集積回路
TPD1033F
モータ、ソレノイド、ランプドライブ用
ハイサイドパワースイッチ
TPD1033F は縦型パワーMOS FET 出力のハイサイドスイッチで、CMOS、
TTL ロジック回路 (MPU など) から直接ドライブでき保護、診断のインテリ
ジェント機能を備えたモノリシックパワーIC です。
特 長
z コントロール部 (Bi−CMOS) と縦型パワーMOS FET (π−MOS) を 1
チップ上に組み込んだ新構造のモノリシックパワーIC です。
z 負荷端を接地できるハイサイドスイッチです。
z マイクロプロセッサから電力負荷を直接ドライブできます。
z 過熱、負荷ショートに対する保護機能を内蔵しています
z 負荷ショート、オープン、過熱時診断出力が外部に取り出せる診断機能を
内蔵しています。
z L 負荷による逆起電圧を−10V まで印加できます。
z オン抵抗が小さい。 R
z 動作電流が小さい。 I
z 面実装タイプの SOP–8 パッケージで、梱包形態はエンボステーピングです。
ピン接続
= 220mΩ (最大)
ON
= 1mA (標準)、@VDD = 12V、VIN = 0
DD
現品表示
質量: 0.08g (標準)
TPD1033
* この製品は MOS 構造ですので取り扱いの際には静電気にご注意ください。
製品名 (または略号)
ロット No.
外装鉛フリー
識別マーク
( なし: 鉛含有
あり: 鉛フリー)
1
2006-10-30
Page 2
ブロック図
TPD1033F
端子説明
端子番号 端子記号 端子の説明
1 IN
2 DIAG
3 GND 接地端子。
4 VDD 電源端子。
5, 6, 7 OUT
入力端子。
入力は CMOS コンパチブルでプルダウン抵抗が接続されています。
仮に入力の配線がオープンとなっても出力が誤ってオンすることはありません。
自己診断検出端子。
過熱検出時または、入力オン時 (“H” レベル) に出力がショートすると “L” レベルになります。
回路構成は、n–ch オープンドレインです。
出力端子。負荷が短絡状態になり、検出電流 (8A 標準) を超える電流が出力端子に流れると、IC 保護
のため出力はスイッチングモードで動作をします。
2
2006-10-30
Page 3
タイミングチャート
TPD1033F
真理値表
入力信号 出力信号 診断出力 状態
H H H
L L L
H L L
L L L
H H H
L H H
H L L
L L L
通常
負荷ショート
負荷オープン
過熱
3
2006-10-30
Page 4
TPD1033F
絶対最大定格
ドレイン・ソース電圧 VDS 60 V
電源電圧
入力電圧
診断出力電圧 V
出力電流 IO 内部制限 A
入力電流 IIN ±10 mA
診断出力電流 I
許 容 損 失 (Ta=25°C) PD
動作温度 T
チャネル温度 Tch 150 °C
保存温度 T
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
DC V
パルス V
DC V
パルス V
25 V
DD (1)
60 (Rs = 1Ω, τ = 250ms) V
DD (2)
−0.5～12 V
IN (1)
VDD (1) + 1.5 (t = 100ms) V
IN (2)
−0.5～25 V
DIAG
5 mA
DIAG
−40～110 °C
opr
−55～150 °C
stg
1.4 (注 1)
2.4 (注 2)
W
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても、高負荷 (高温お
よび大電流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれが
あります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
熱抵抗特性
項目 記号 定格 単位
接合部– 外気間熱抵抗 R
th (j−a)
89.3 (注 1)
52.1 (注 2)
注 1: 25.4mm×25.4mm×0.8mm ガラスエポキシ基板実装時 (DC)
注 2: 25.4mm×25.4mm×0.8mm ガラスエポキシ基板実装時 (t
≦10s)
w
°C / W
4
2006-10-30
Page 5
TPD1033F
電気的特性
動作電源電圧 V
消費電流 IDD ― VDD = 12V, VIN = 0V ― 1 5 mA
入力電圧
入力電流
オン電圧 V
オン抵抗 R
出力リーク電流 IOL ― VDD = 18V, VIN = 0V ― ― 1.2 mA
診断出力電圧 “L” レベル VDL ― V
診断出力電流 “H” レベル IDH ― V
過電流検出
過熱検出
オープン検出抵抗 R
スイッチングタイム
特に指定のない場合は、
(
項目 記号
DD (opr)
VIH ― VDD = 12V, IO = 2A 3.5 ― ― V
V
I
IN (1)
I
IN (2)
DS (ON)
DS (ON)
I
S (1)
I
S (2)
温度 Ts ― 150 160 200 °C
ヒステリシス ΔTs ―
tON 3 10 100 ― μs
t
OFF
Tch = −40～110°C、VDD = 8～18V)
測定
回路
― ― 5 12 18 V
― VDD = 12V, IO = 1.2mA ― ― 1.5 V
IL
― VDD = 12V, VIN = 5V ― 50 200 μA
― VDD = 12V, VIN = 0V −0.2 ― 0.2 μA
V
―
―
(注 3) 1 4 6 8 A
(注 4) 2
― VDD = 8V 1 20 100 kΩ
ops
3
DD
T
ch
V
DD
T
ch
DD
DD
V
DD
V
DD
T
ch
測定条件 最小 標準 最大 単位
= 12V, IO = 2A,
= 25°C
= 12V, IO = 2A,
= 25°C
= 12V, I
= 18V, V
= 12V, Tch = 25°C
= 12V, RL = 5Ω,
= 25°C
= 2mA ― ― 0.4 V
DL
= 18V ― ― 10 μA
DH
―
― ― 0.44 V
― ― 0.22 Ω
4 8 12 A
― 10 ― °C
10 30 ― μs
注 3: 負荷が短絡状態で VIN = “L” → “H” になった場合の過電流検出値
注 4: V
= “H” の状態で負荷電流が増加した場合の過電流検出値
IN
5
2006-10-30
Page 6
測定回路 1
過電流検出
TPD1033F
測定回路 2
過電流検出
測定回路 3
スイッチングタイム
6
2006-10-30
Page 7
TPD1033F
7
2006-10-30
Page 8
TPD1033F
使用上の注意
1. バッテリーなどの逆接保護は内蔵されておりませんので、外部回路にて対策してください。
8
2006-10-30
Page 9
TPD1033F
9
2006-10-30
Page 10
外形図
TPD1033F
10
2006-10-30
Page 11
TPD1033F
当社半導体製品取り扱い上のお願い
• 当社は品質，信頼性の向上に努めておりますが，一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当
社半導体製品をご使用いただく場合は，半導体製品の誤作動や故障により，生命・身体・財産が侵害されること
のないように，購入者側の責任において，機器の安全設計を行うことをお願いします。
なお，設計に際しては，最新の製品仕様をご確認の上，製品保証範囲内でご使用いただくと共に，考慮されるべ
き注意事項や条件について「東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い」，「半導体信頼性ハンドブック」な
どでご確認ください。
• 本資料に掲載されている製品は，一般的電子機器（コンピュータ，パーソナル機器，事務機器，計測機器，産業
用ロボット，家電機器など）に使用されることを意図しています。特別に高い品質・信頼性が要求され，その故
障や誤作動が直接人命を脅かしたり人体に危害を及ぼす恐れのある機器（原子力制御機器，航空宇宙機器，輸送
機器，交通信号機器，燃焼制御，医療機器，各種安全装置など）にこれらの製品を使用すること（以下“特定用
途”という）は意図もされていませんし，また保証もされていません。本資料に掲載されている製品を当該特定用
途に使用することは，お客様の責任でなされることとなります。
• 本資料に掲載されている製品を，国内外の法令，規則及び命令により製造，使用，販売を禁止されている応用製
品に使用することはできません。
• 本資料に掲載してある技術情報は，製品の代表的動作・応用を説明するためのもので，その使用に際して当社及
び第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。
• 本資料に掲載されている製品の RoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合
せください。本資料に掲載されている製品のご使用に際しては、特定の物質の含有･使用を規制する RoHS 指令な
どの法令を十分調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様が適用される法令を遵守しないこ
とにより生じた損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
20070701-JA
• 本資料の掲載内容は，技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。
11
2006-10-30
Loading...