
東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形(PCT方式)
TPCP8507
○ 高速スイッチング用
○ DC-DC コンバータ用
• 直流電流増幅率が高い。:h
• コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低い。:V
• スイッチング時間が速い。:t
= 120~300 (IC = 0.1A)
FE
CE(sat)
= 0.2 μs (標準)
f
= 0.14 V (最大)
絶対最大定格
コレクタ・ベース間電圧 V
コレクタ・エミッタ間電圧 V
コレクタ・エミッタ間電圧 V
エミッタ・ベース間電圧 V
コレクタ電流
ベース電流 IB 0.1 A
コレクタ損失
接合温度 T
保存温度 T
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
DC (注 1) IC 1.0 A
パルス (注 1) I
t = 10s 3.00 W
DC
180 V
CBO
150 V
CEX
120 V
CEO
7 V
EBO
2.0 A
CP
PC (注 2)
150 °C
j
−55~150 °C
stg
1.25 W
図 1. 回路構成
8 7 6 5
(TOP VIEW)
図 2. 現品表示(注 3)
8 7 6 5
1 2 3 4
8507
※
1 2 3 4
型名
ロットNo.
(ウィークリーコード)
0.33±0.05
8
0.475
0.65
2.9±0.1
0.025
S
1.コレクタ 5.エミッタ
2.コレクタ 6.コレクタ
3.コレクタ 7.コレクタ
4.ベース 8.コレクタ
JEDEC ⎯
JEITA ⎯
TOSHIBA 2-3V1A
質量:0.017g(標準)
TPCP8507
A
M
0.05
5
41
S
0.17±0.02
2.4±0.1
B
A
0.8±0.05
0.28
1.12
1.12
0.28
単位: mm
2.8±0.1
B
M
0.05
+0.1
-0.11
+0.13
-0.12
+0.13
-0.12
+0.1
-0.11
注 1: ジャンクション温度が 150℃を超えることのない放熱条件にてご使用ください。
注 2: FR4 基板(Cu 面積 645mm2、ガラスエポキシ、t=1.6mm)実装時。
注 3: 正面から見て左下のドット(●)が 1 番端子を示しています。
注 4: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電
流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
※週別ロット表示
3 桁算用数字で構成し、西暦年号の末尾 1 桁、および残りの 2 桁は製造週とする。
製造週コード(その年の第一週を 01 とし、以降 52 または 53 まで)
製造年コード゙(西暦の下 1 桁)
1
2006-11-08

TPCP8507
電気的特性
コレクタしゃ断電流 I
エミッタしゃ断電流 I
コレクタ・ベース間降伏電圧 V
コレクタ・エミッタ間降伏電圧 V
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 V
ベース・エミッタ間飽和電圧 V
スイッチング時間
(Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
上昇時間 t
蓄積時間 t
下降時間 t
図 3. スイッチング時間測定回路
I
B1
繰り返し周期 < 1 %
20μs
入力
IB2
I
B1
I
B2
VCB = 180 V, IE = 0 ⎯ ⎯ 100 nA
CBO
VEB = 7 V, IC = 0 ⎯ ⎯ 100 nA
EBO
(BR) CBOIC
(BR) CEOIC
hFE(1) VCE = 2 V, IC = 0.1A 120 ⎯ 300
hFE(2) V
CE (sat)
BE (sat)
⎯
r
⎯
stg
f
VCC
= 1 mA, IB = 0 180 ⎯ ⎯ V
= 10 mA, IB = 0 120 ⎯ ⎯ V
= 2 V, IC = 0.3A 60 ⎯ ⎯
CE
IC = 0.3 A, IB = 0.01A ⎯ ⎯ 0.14 V
IC = 0.3 A, IB = 0.01A ⎯ ⎯ 1.1 V
⎯
0.1
1.5
0.2
図3.回路において
≅ 72 V, RL = 240Ω
V
CC
IB1 = −IB2 = 10mA
RL
出力
⎯
⎯
⎯
μs
2
2006-11-08

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r
– tw
th
1000
この過渡熱抵抗データは熱抵抗制限領域のみ適用されます。
単発パルス測定 Ta= 25 ℃ FR4 基板実装時(645mm2×1.6t,ガラスエポキシ,Cu 面積 645mm2)
100
/W)
℃
th (
10
過渡熱抵抗 r
1
0.001
0.01 0.1 1 10 100 1000
安全動作領域
10
1ms※ 10ms※
IC max (パルス)※
1
(A)
IC max (連続)
C
0.1
コレクタ電流 I
0.01
0.001
0.1 10 1 100
直流動作*
Ta = 25°C
※: 単発パルス
Ta = 25°C
FR4 基板実装時(645mm2×1.6t,ガラスエポキシ,
Cu 面積 645mm2)
100ms*,10s*,直流動作*ラインは実装状態で
影響を受けますのでご注意ください。
安全動作領域は温度によってディレーティ
ングして考える必要があります。
10s※*
100μs※
100ms※*
10μs※
V
CEO
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
パルス幅 tw (s)
max
1000
4
2006-11-08

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製品取り扱い上のお願い
• 本資料に掲載されているハードウェア、ソフトウェアおよびシステム(以下、本製品という)に関する情
報等、本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。
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得て本資料を転載複製する場合でも、記載内容に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。
• 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品は一般に誤作動または故障する場合があります。
本製品をご使用頂く場合は、本製品の誤作動や故障により生命・身体・財産が侵害されることのないよう
に、お客様の責任において、お客様のハードウェア・ソフトウェア・システムに必要な安全設計を行うこ
とをお願いします。なお、設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報(本資料、仕様書、デー
タシート、アプリケーションノート、半導体信頼性ハンドブックなど)および本製品が使用される機器の
取扱説明書、操作説明書などをご確認の上、これに従ってください。また、上記資料などに記載の製品デー
タ、図、表などに示す技術的な内容、プログラム、アルゴリズムその他応用回路例などの情報を使用する
場合は、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。
当社は、適用可否に対する責任は負いません。
• 本製品は、一般的電子機器(コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業用ロボット、家
電機器など)または本資料に個別に記載されている用途に使用されることが意図されています。本製品は、
特別に高い品質・信頼性が要求され、またはその故障や誤作動が生命・身体に危害を及ぼす恐れ、膨大な
財産損害を引き起こす恐れ、もしくは社会に深刻な影響を及ぼす恐れのある機器(以下“特定用途”とい
う)に使用されることは意図されていませんし、保証もされていません。特定用途には原子力関連機器、
航空・宇宙機器、医療機器、車載・輸送機器、列車・船舶機器、交通信号機器、燃焼・爆発制御機器、各
種安全関連機器、昇降機器、電力機器、金融関連機器などが含まれます。本資料に個別に記載されている
場合を除き、本製品を特定用途に使用しないでください。
• 本製品を分解、解析、リバースエンジニアリング、改造、改変、翻案、複製等しないでください。
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「米国輸出管理規則」等、適用ある輸出関連法令を遵守し、それらの定めるところにより必要な手続を行っ
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製品のご使用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制する RoHS 指令等、適用ある環境関連法令を十分
調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じ
た損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
5
2006-11-08