Datasheet T860N Datasheet (Infineon)

N

A

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

enndaten

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert RMS on-state current

Stossstrom-Grenzwert surge current

Grenzlastintegral I²t-value

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage

Elektrische Eigenschaften

T860N

= -40°C... T

T

vj

Tvj = -40°C... T

Tvj = +25°C... T

V

vj max

V

vj max

V

vj max

I

TC = 85 °C

DRM,VRRM

DSM

RSM

TRMSM

I

TAVM

TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms I

I

T

= 25 °C °C, tP = 10 ms

vj

= T

T

vj

, tP = 10 ms

vj max

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms T

= T

vj

, tP = 10 ms

vj max

DIN IEC 60747-6 f = 50 Hz, i

Tvj = T

5.Kennbuchstabe / 5

= 1 A, diG/dt = 1 A/µs

GM

, vD = 0,67 V

vj max

DRM

th

letter F

TAVM

TRMS

I

TSM

I²t

(di

(dv

/dt)cr

T

D

/dt)cr

3000

3100

18000 17000

V

3200

V

3600

V V

3200

V

3600

V V

3300

V

3700

V

2000 A

860 A

1240 A

1960 A

A A

1620

10³ A²s

1445

10³ A²s

80 A/µs

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlassspannung on-state voltage

Schleusenspannung threshold voltage

Ersatzwiderstand slope resistance

Durchlasskennlinie 200 A ≤ iT ≤ 4300 A on-state characteristic

TTT

Zündstrom gate trigger current

Zündspannung gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage

Haltestrom holding current

Einraststrom latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current

Zündverzug gate controlled delay time

Tvj = T

T

vj

iD1)i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=

T

, iT = 3800 A

vj max

vT

V

vj max

r

vj max

= T

A=

vj max

(TO)

T

max. 3,15 V

1,08 V

0,50 mΩ

B= C= D=

-3,194E-01 7,011E-04 3,262E-01

-3,051E-02

Tvj = 25 °C, vD = 12V IGT max. 250 mA

Tvj = 25 °C, vD = 12V VGT max. 2 V

Tvj = T T

vj

Tvj = T

= T

, vD = 12V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

max.

I

DRM

V

DRM

GD

max. 0,25 V

GD

max.

105mA

mA

Tvj = 25°C, vD = 12V IH max. 500 mA

Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω i

= 1 A, diG/dt = 1 A/µs,

GM

t

= 20 µs

g

Tvj = T v

D

= V

vj max

DRM

, vR = V

RRM

DIN IEC 60747-6 T

= 25 °C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs

vj

I

max. 2500 mA

L

, iR max. 250 mA

i

D

max. 5 µs

t

gd

prepared by:

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2009-03-16, H.Sandmann

H.Sandmann date of publication: 2009-03-17

revision: 2.0

14/09 1/10 Seite/page

N

A

g

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time

Thermische Eigenschaften

Mechanische Eigenschaften

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature

Betriebstemperatur operating temperature

Lagertemperatur storage temperature

T860N

th

letter O

DRM

t

q

R

thJC

R

thCH

vj max

-40...+125 °C

c op

-40...+150 °C

stg

T

= T

vj

vRM = 100 V, vDM = 0,67 V dv

4.Kennbuchstabe / 4

Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, θ = 180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, θ = 180°sin Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sides einseiti

T

, iTM = I

vj max

/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

D

/ single-sides

TAVM

typ. 300...400 µs

max.

0,0215

max.

0,0200

max.

0,0365

max.

0,0350

max.

0,0485

max.

0,0470

0,0035

max.

0,0070

max.

125 °C

°C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W

°C/W °C/W

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact

Anpresskraft clamping force

Steueranschlüsse control terminals

Gewicht weight

Kriechstrecke creepage distance

Schwingfestigkeit vibration resistance

Seite 3

page 3

F 20...45 kN

Gate (flat) Gate (round, based on AMP 60598) Kathode / cathode

G typ. 540 g

20 mm

f = 50 Hz 50 m/s²

A 2,8x0,5

A 4,8x0,5

Ø 1,5

mm mm

mm

IFBIP D AEC / 2009-03-16, H.Sandmann

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N

A

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Massbild

T860N

12

IFBIP D AEC / 2009-03-16, H.Sandmann

4 5

1: Anode / Anode

2: Kathode / Cathode

4: Gate

5: Hilfskathode/

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Auxiliary Cathode

N

A

−

=

τ

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z

R,t – Werte

Diagramme

Kühlung /

Diagramme

Cooling

beidseitig two-sided

anodenseitig

anode-sided

kathodenseitig

cathode-sided

Analytische Funktion / Analytical function:

Analytical elements of transient thermal impedance Z

Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

R

[°C/W] 0,0006 0,00205 0,00094 0,00464 0,0075 0,00427 -

thn

τ

[s]

n

R

[°C/W] 0,00075 0,00214 0,00544 0,00637 0,0116 0,0087 -

thn

τ

[s]

n

R

[°C/W] 0,00079 0,002 0,00551 0,0117 0,0127 0,0143 -

thn

τ

[s]

n

T860N

für DC

thJC

n

max

Σ

n=1

thJC

for DC

thnthJC

-t

n

e1RZ

Trans. Wärmewid. beidseitig

0,0014 0,01020 0,07770 0,17700 1,0500 5,10000 -

0,00164 0,01230 0,17400 1,00000 5,8000 44,000 -

0,00170 0,012 0,17000 1,7000 10,200 53,500 -

0,05

0,04

0,03

[°C/W]

thJC

0,02

Z

0,01

0,00

0,001 0,01 0,1 1 10 100 1000

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC

Z

thJC

a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

t [s]

= f(t)

c

a

b

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N

A

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Erhöhung des Z

Rise of Z

th DC

Kühlung / Cooling Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°

beidseitig two-sided

anodenseitig anode-sided

kathodenseitig cathode-sided

bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ

th DC

for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ

∆Z

th Θ rec

[°C/W]

∆Z

th Θ sin

[°C/W]

∆Z

th Θ rec

[°C/W]

∆Z

th Θ sin

[°C/W]

∆Z

th Θ rec

[°C/W]

∆Z

th Θ sin

[°C/W]

Durchlasskennlinie

0,00176 0,00287 0,00373 0,00500 0,00711

0,00121 0,00172 0,00242 0,00361 0,00597

0,00177 0,00292 0,00383 0,00515 0,00728

0,00120 0,00173 0,00248 0,00376 0,00618

0,00178 0,00294 0,00387 0,00522 0,00736

0,00120 0,00174 0,00251 0,00381 0,00626

T860N

∆Z

th Θ rec

/ ∆Z

th Θ sin

5.000

4.500

4.000

3.500

3.000

2.500

[A]

T

i

2.000

1.500

1.000

Z

500

0

11,522,5 33,5

th Θ rec

th Θ sin

= Z = Z

V

T

th DC

[V]

+ ∆Z + ∆Z

th Θ rec

th Θ sin

Tvj = T

vj max

Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i

IFBIP D AEC / 2009-03-16, H.Sandmann

= f(vT)

T

= Tvj

vj

max

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N

A

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

4000

3500

[W]

TAV

P

3000

2500

2000

1500

1000

500

0

0°

0 200 400 600 800 1000 1200 1400

T860N

Durchlassverluste

0

180°

θ = 30°

I

TAV

60°

[A]

90°

120°

180°

Durchlassverlustleistung / On-state power loss P

Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ

Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current

TAV

= f(I

TAV

)

140

120

0°

0

100

80

[°C]

C

T

60

40

180°120°90°60°θ = 30°

20

0 200 400 600 800 1000 1200 1400

[A]

I

TAV

180°

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ

IFBIP D AEC / 2009-03-16, H.Sandmann

Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

14/09 6/10 Seite/page

= f(I

C

TAV

)

N

A

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

4500

4000

[W]

TAV

P

3500

3000

2500

2000

1500

1000

500

0°

0

0 500 1000 1500 2000 2500

0

θ = 30°

180°

T860N

60°

Tc

90°

120°

I

TAV

[A]

180°

DC

= f(I

Durchlassverlustleistung / On-state power loss P

TAV

)

Rechteckförmiger Strom / Rectangular current

Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ

140

120

0°

0

100

80

[°C]

C

T

60

40

DC180°120°90°60°θ = 30°

20

0 500 1000 1500 2000 2500

[A]

I

TAV

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

Rechteckförmiger Strom / Rectangular current

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ

= f(I

C

TAV

)

180°

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14/09 7/10 Seite/page

N

A

C

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

10

T860N

Steuerkennlinie

[V]

G

v

1

= +125°C

vj max

T

= +25°

vj

T

= -40 °C

vj

T

0,1

10 100 1000 10000

i

G

[mA]

Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation P

Steuercharakteristik v

Gate characteristic v

a - 20W / 10ms b - 40W / 1ms c - 60W / 0,5ms

= f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V

G

= f (iG) with triggering area for VD = 12 V

G

Zündverzug

10000

iTM = 2000A

= f (tg) :

GM

a

1000A

500 A

c

b

[µAs]

r

Q

200A

100A

50 A

1000

110100

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q

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Tvj= T

Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM

, vR ≤ 0,5 V

vjmax

RRM

, V

RM

= 0,8 V

14/09 8/10 Seite/page

r

RRM

-di/dt [A/µs]

= f(di/dt)

N

A

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

18

16

14

12

10

[kA]

8

T(OV )M

I

6

4

2

0

1234567891011121314151617

Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I

Typical dependency of maximum overload on-state current I

sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V

T860N

Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen

Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves

von der Anzahl für eine Folge von Sinus

Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V

I

= f (pulses, VRM) ; Tvj = T

T(OV)M

as a number of a sequence of

T(OV)M

vjmax

RM

0-50V

0,33 VRRM

0,67 VRRM

RM

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N

A

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.

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This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics.

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- to perform joint Risk and Quality Assessments;

- the conclusion of Quality Agreements;

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures.

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.

Changes of this product data sheet are reserved.

T860N

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