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東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形
SSM6K203FE
SSM6K203FE
○ 高速スイッチング
○ パワーマネジメントスイッチ
• 1.5V 駆動です
• オン抵抗が低い R
絶対最大定格
ドレイン・ソース間電圧 V
ゲート・ソース間電圧 V
ドレイン電流
ドレイン損失 PD (注 1) 500 mW
チャネル温度 T
保存温度 T
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内
での使用においても、高負荷 (高温および大電流/高電圧印加、多
大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく
低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いお
よびディレーティングの考え方と方法) および個別信頼性情報
(信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼
性設計をお願いします。
注 1: FR4 基板実装時
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 t, Cu Pad: 645 mm
電気的特性
(Ta = 25°C)
= 153mΩ (max) (@VGS = 1.5 V)
on
= 106mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)
R
on
Ron = 76mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)
= 61mΩ (max) (@VGS = 4.0 V)
R
on
DSS
GSS
DP
stg
D
ch
DC I
パルス I
± 10 V
−55~150 °C
2
)
20 V
2.8
5.6
150 °C
A
1,2,5,6 ： ﾄﾞﾚｲﾝ
3 ： ｹﾞｰﾄ
ES6
4 ： ｿｰｽ
JEDEC ―
JEITA ―
東 芝 2-2N1A
質量: 3mg (標準)
単位: mm
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
V
ドレイン･ソース間降伏電圧
ドレインしゃ断電流 I
ゲート漏れ電流 I
ゲートしきい値電圧 Vth VDS = 3 V, ID = 1 mA 0.35 ⎯ 1.0 V
順方向伝達アドミタンス ⏐Yfs⏐ VDS = 3 V, ID = 2.0 A (注 2) 5.3 10.5 ⎯ S
ドレイン･ソース間オン抵抗 R
入力容量 C
出力容量 C
帰還容量 C
総ゲート電荷量
ゲート・ソース間電荷量
ゲート・ドレイン間電荷量
スイッチング時間
ドレイン･ソース間ダイオード順電圧 V
ターンオン時間 ton ⎯ 14 ⎯
ターンオフ時間 t
(BR) DSSID
V
(BR) DSXID
DSS
GSS
DS (ON)
iss
oss
rss
Q
g
Q
gs
Q
gd
off
DSF
= 1 mA, VGS = 0 V 20 ⎯ ⎯
= 1 mA, VGS = −10 V 12 ⎯ ⎯
VDS = 20 V, VGS = 0 V ⎯ ⎯ 1 μA
VGS = ±10 V, VDS = 0 V ⎯ ⎯ ±1 μA
ID = 2.0 A, VGS = 4.0 V (注 2) ⎯ 49 61
ID = 2.0 A, VGS = 2.5 V (注 2) ⎯ 59 76
ID = 1.0 A, VGS = 1.8 V (注 2) ⎯ 73 106
ID = 0.5 A, VGS = 1.5 V (注 2) ⎯ 88 153
⎯ 400 ⎯
= 10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz
V
⎯ 68 ⎯
DS
⎯ 5.9 ⎯
⎯ 4.1 ⎯
ID = −2.8 A, VGS = 0 V (注 2) ⎯ –0.85 –1.2 V
= 10 V, I
V
DS
= 4 V
V
GS
V
= 10 V, ID = 2A,
DD
= 0~2.5 V, RG = 4.7 Ω
V
GS
= 2.8 A
D
⎯ 60 ⎯
⎯ 1.8 ⎯
⎯ 15 ⎯
V
mΩ
pF
nC
ns
注 2: パルス測定
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スイッチング特性測定条件
<
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測定回路
(a)
2.5 V
0
10 μs
入力
G
R
V
DD
出力
VDD = 10 V
R
= 4.7 Ω
G
繰り返し周期
, tf < 5 ns
入力: t
r
ソース接地
Ta = 25°C
現品表示 内部接続
6
1 2 3
5
KM
4
6 5
123
使用上の注意
(b)
1%
(c)
(top view)
4
入力波形
出力波形
2.5 V
0 V
V
DD
V
DS (ON)
90%
10%
90%
10%
tr t
t
t
on
off
f
Vthとは、ある低い動作電流値 (本製品においては ID = 1mA) になるときのゲート･ソース間電圧で表されます。通常のスイッ
チング動作の場合、V
(V
GS (off)
＜ Vth ＜ V
GS (on)
GS (on)
は Vthより十分高い電圧、V
)
GS (off)
は Vthより低い電圧にする必要があります。
ご使用する際には十分注意願います。
取り扱い上の注意
この製品は構造上静電気に弱いため製品を取り扱う際、作業台･人･はんだごてなどに対し必ず静電対策を
講じてください。
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4.0 V
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(A)
D
4
3
2
ドレイン電流 I
1
0
0
0.2
ドレイン・ソース間電圧 VDS (V)
ID – VDS
2.5 V
1.8 V
1.5 V
VGS = 1.2 V
ソース接地
0.4 0.6 1.0
Ta = 25 °C
0.8
(A)
D
0.1
0.01
ドレイン電流 I
0.001
0.0001
10
ソース接地
VDS = 3 V
1
Ta = 100 °C
0
ゲート･ソース間電圧 VGS (V)
ID – VGS
− 25 °C
1.0
25 °C
2.0
200
(mΩ)
100
DS (ON)
R
ドレイン･ソース間オン抵抗
0
0 2
200
ソース接地
100
(mΩ)
R
DS (ON)
– V
4
GS
25 °C
ID =2.0A
ソース接地
Ta = 100 °C
6
ゲート･ソース間電圧 VGS (V)
R
1.0 A / 1.8 V
2.0A / 2.5 V
DS (ON)
– Ta
0.5A / 1.5 V
− 25 °C
R
200
ソース接地
Ta = 25°C
(mΩ)
100
1.5V
1.8 V
DS (ON)
R
2.5 V
ドレイン･ソース間オン抵抗
8
VGS = 4.0 Ｖ
0
0 2 6
DS (ON)
– ID
4
ドレイン電流 ID (A)
Vth – Ta
1.0
0.8
(V)
th
0.6
ソース接地
VDS = 3 V
ID = 1 mA
DS (ON)
R
ドレイン･ソース間オン抵抗
0
−50 0 50 150
ID = 2.0 A / VGS = 4.0 V
100
周囲温度 Ta (°C)
0.4
0.2
ゲートしきい値電圧 V
0
−50
0
50 100
150
周囲温度 Ta (°C)
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⎪
⎪
r
30
ソース接地
VDS = 3 V
10
(S)
fs
Y
Ta = 25 °C
3
1
|Yfs| – ID
(A)
DR
10
0.1
1
ソース接地
VGS = 0 V
G
S
D
I
DR
IDR – VDS
0.3
0.1
0.03
順方向伝達アドミタンス
0.01
0.01
0.1
ドレイン電流 ID (A)
C – V
1000
300
100
30
端子間容量 C (pF)
ソース接地
Ta = 25 °C
f = 1 MHz
VGS = 0 V
10
0.1 1 10 100
DS
ドレイン･ソース間電圧 VDS (V)
0.01
-0.2
100 °C
25 °C
-0.4
-0.6
−25 °C
-1.0 -0.8 -1.2
ドレイン逆電流 I
0.001
1
10 0.001
0.0001
0
ドレイン･ソース間電圧 VDS (V)
t – I
1000
C
iss
C
oss
C
rss
スイッチング時間 t (ns)
100
10
1
0.01
t
off
t
f
t
on
t
0.1
D
ソース接地
VDD = 10 V
VGS = 0 ∼ 2.5 V
Ta = 25 °C
RG = 4.7 Ω
1 10
ドレイン電流 ID (A)
ダイナミック入力特性
10
ソース接地
ID = 2.8 A
Ta = 25°C
8
(V)
GS
6
VDD=10V
4
2
ゲート･ソース間電圧 V
0
0
VDD=16V
5 10
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ゲート電荷量 Qg (nC)
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100
単発パルス
FR4 基板実装時
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 t, Cu Pad: 645 mm2)
100
(°C/W )
th
10
過渡熱抵抗 r
1
0.001 10000.01 0.1 1 100
パルス幅 tw (s)
r
th
– tw
10
(mW)
D
許容損失 P
1000
800
600
400
200
P
– Ta
D
FR4 基板実装時
(25.4mm × 25.4mm × 1.6t ,
Cu Pad : 645 mm2)
0
20 0 -20 -40
80 60 40
120 100
140
160
周囲温度 Ta (°C)
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製品取り扱い上のお願い
• 本資料に掲載されているハードウェア、ソフトウェアおよびシステム（以下、本製品という）に関する情
報等、本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。
• 文書による当社の事前の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。また、文書による当社の事前の承諾を
得て本資料を転載複製する場合でも、記載内容に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。
• 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品は一般に誤作動または故障する場合があります。
本製品をご使用頂く場合は、本製品の誤作動や故障により生命・身体・財産が侵害されることのないよう
に、お客様の責任において、お客様のハードウェア・ソフトウェア・システムに必要な安全設計を行うこ
とをお願いします。なお、設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報（本資料、仕様書、デー
タシート、アプリケーションノート、半導体信頼性ハンドブックなど）および本製品が使用される機器の
取扱説明書、操作説明書などをご確認の上、これに従ってください。また、上記資料などに記載の製品デー
タ、図、表などに示す技術的な内容、プログラム、アルゴリズムその他応用回路例などの情報を使用する
場合は、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。
当社は、適用可否に対する責任は負いません。
• 本製品は、一般的電子機器（コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業用ロボット、家
電機器など）または本資料に個別に記載されている用途に使用されることが意図されています。本製品は、
特別に高い品質・信頼性が要求され、またはその故障や誤作動が生命・身体に危害を及ぼす恐れ、膨大な
財産損害を引き起こす恐れ、もしくは社会に深刻な影響を及ぼす恐れのある機器（以下“特定用途”とい
う）に使用されることは意図されていませんし、保証もされていません。特定用途には原子力関連機器、
航空・宇宙機器、医療機器、車載・輸送機器、列車・船舶機器、交通信号機器、燃焼・爆発制御機器、各
種安全関連機器、昇降機器、電力機器、金融関連機器などが含まれます。本資料に個別に記載されている
場合を除き、本製品を特定用途に使用しないでください。
• 本製品を分解、解析、リバースエンジニアリング、改造、改変、翻案、複製等しないでください。
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非侵害保証を含むがこれに限らない。）をせず、また当社は、本製品および技術情報に関する一切の損害（間
接損害、結果的損害、特別損害、付随的損害、逸失利益、機会損失、休業損、データ喪失等を含むがこれ
に限らない。）につき一切の責任を負いません。
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「米国輸出管理規則」等、適用ある輸出関連法令を遵守し、それらの定めるところにより必要な手続を行っ
てください。
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製品のご使用に際しては、特定の物質の含有･使用を規制する RoHS 指令等、適用ある環境関連法令を十分
調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じ
た損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
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