Datasheet SFH487P Datasheet (Siemens)

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)

SFH 487 P

Area not flat

0.6

0.4

spacing

2.54 mm

Approx. weight 0.3 g

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

1.8

1.2

0.7

29
27

0.4

Wesentliche Merkmale

● GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt

im Schmelzepitaxieverfahren

● Hohe Zuverlässigkeit

● Enge Toleranz: Chipoberfläche/

Bauteiloberkante

● Hohe Impulsbelastbarkeit

● Gute spektrale Anpassung an

Si-Fotoempfänger

● Sehr plane Oberfläche

● Gehäusegleich mit SFH 309

0.8

0.4

4.5

4.0

Cathode

3.1

2.5

2.0

1.7

3.5
Chip position

ø3.1

ø2.9

4.0

3.6

0.6

0.4

GEX06308

Features

● GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in

a liquid phase epitaxy process

● High reliability

● Small tolerance: Chip surface to case

surface

● High pulse handling capability

● Good spectral match to silicon

photodetectors

● Plane surface

● Same package as SFH 309

fex06308

Anwendungen

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb bis 500 kHz

● LWL

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Gehäuse
Package

Applications

● Photointerrupters

● Fibre optic transmission

SFH 487 P Q62703-Q517 3-mm-LED-Gehäuse, plan, klares violettes Epoxy-

Gieβharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (

1

/10’’),
Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluβ
3 mm LED package (T 1), plane, violet-colored trans­parent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm
(1/10’’), anode marking: short lead

Semiconductor Group 1 1997-11-01

Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings

SFH 487 P

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

Sperrspannung
Reverse voltage

Durchlaβstrom
Forward current

Stoβstrom, τ≤10 µs
Surge current

Verlustleistung
Power dissipation

Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge
max. 10 mm
Thermal resistance, lead length between
package bottom and PC-board max. 10 mm

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

j

V

R

I

F

I

FSM

P

tot

R

thJA

Wert
Value

Einheit
Unit

– 55 ... + 100 °C

100 °C

5V

100 mA

2.5 A

200 mW

375 K/W

Kennwerte (

T

= 25 °C)

A

Characteristics
Bezeichnung

Description

Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission

I

= 100 mA

F

Spektrale Bandbreite bei 50 % von

I

= 100 mA

F

Spectral bandwidth at 50 % of I

I

max

Abstrahlwinkel
Half angle

Aktive Chipfläche
Active chip area

Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area

max

Symbol
Symbol

λ

peak

,

∆λ 80 nm

Wert
Value

Einheit
Unit

880 nm

ϕ±65 Grad

deg.

A

L × B
L

× W

0.16 mm

0.4 × 0.4 mm

2

Semiconductor Group 2 1997-11-01

SFH 487 P

Kennwerte (

T

= 25 °C)

A

Characteristics
Bezeichnung

Description

Abstand Chipoberfläche bis
Gehäusevorderseite
Distance chip front to case surface

Schaltzeiten, I

von 10 % auf 90 % und von

e

90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω

Kapazität
Capacitance

V

= 0 V, f = 1 MHz

R

Durchlaβspannung
Forward voltage

I

= 100 mA, tp = 20 ms

F

I

= 1 A, tp = 100 µs

F

Sperrstrom
Reverse current

V

= 5 V

R

Gesamtstrahlungsfluβ
Total radiant flux

I

= 100 mA, tp = 20 ms

F

Temperaturkoeffizient von I

I

= 100 mA

F

bzw. Φe,

e

Temperature coefficient or Ie or Φe,

I

= 100 mA

F

Temperaturkoeffizient von

V

, IF = 100 mA

F

Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA

Symbol
Symbol

H

t

, t

r

f

C

o

V

F

I

R

Φ

e

TC

I

TC

V

Wert
Value

Einheit
Unit

0.4 ... 0.8 mm

0.6/0.5 µs

25 pF

1.5 (< 1.8)

V

3.0 (< 3.8)

0.01 (≤ 1)µA

25 mW

– 0.5 %/K

– 2 mV/K

Temperaturkoeffizient von λ
Temperature coefficient of λ

, IF = 100 mA

peak

, IF = 100 mA

peak

TC

λ

0.25 nm/K

Semiconductor Group 3 1997-11-01

Strahlstärke Ie in Achsrichtung

gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr

Grouping of radiant intensity Ie in axial direction

at a solid angle of Ω = 0.01 sr

SFH 487 P

Bezeichnung
Description

Strahlstärke
Radiant intensity

I

= 100 mA, tp = 20 ms I

F

Strahlstärke
Radiant intensity

I

= 1 A, tp = 100 µs I

F

Radiation characteristics I

50

60

70

rel

= f (ϕ)

10203040

ϕ

0

1.0

0.8

0.6

0.4

Symbol Wert

Value

e

e typ.

> 2 mW/sr

30 mW/sr

OHR01894

Einheit
Unit

80

90

100

0.2

0

02040 60 80 100 1200.40.60.81.0

Semiconductor Group 4 1997-11-01

Relative spectral emission

I

= f (λ)

rel

100

%

Ι

rel

80

60

40

20

0

750

800 850 900 950 nm 1000

OHR00877

λ

Radiant intensity

t

Single pulse,

10

Ι

e

Ι

(100mA)

e

10

10

-1

10

-2

10

-3

10

= 20 µs

p

2

1

0

0

10 10110

I

e

Ie100 mA

2

= f (IF)

OHR00878

3

10

Ι

SFH 487 P

Max. permissible forward current

I

= f (TA)

F

125

Ι

mA

F

100

75

50

25

0

104mA

F

0 20 40 60 80 100˚C

OHR00880

T

t

= 20 µs

p

= f (VF)

F

Forward current, I

Single pulse,

1

10
A

Ι

F

0

10

-1

10

-2

10

-3

10

0123456V8

OHR00881

V

F

Permissible pulse handling capability

I

= f (τ), TA = 25oC,

F

duty cycle D = parameter

Ι

F

OHR00886

t

p

4

10

mA

0.1

0.005=

D

0.01

0.02

0.05

Ι

F

3

10

0.2

0.5
DC

2

10

t

p

t

p

D

=

T

1

10

-5

10 s

10-410-310-210-110010110

T

Forward current versus lead length
between the package bottom and the

2

PC-board I

120
mA

Ι

100

F

80

60

40

20

= f (I), TA = 25oC

F

0

0 5 10 15 20 25 mm 30

OHR00949

Semiconductor Group 5 1997-11-01