Datasheet SFH487, SFH487-2 Datasheet (Siemens)

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880nm)
GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)

Area not flat

0.6

0.4

spacing

2.54 mm

Cathode
Anode (SFH 487)

Approx. weight 0.3 g

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

0.7

0.4

0.8

1.8

1.2
29

27

(SFH 409)

0.4

5.2

4.5

(3.5)
Chip position

6.3

5.9

4.1

3.9

ø3.1

ø2.9

4.0

3.6

0.6

0.4

GEX06250

SFH 487

fex06250

Wesentliche Merkmale

● Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren

● Hohe Zuverlässigkeit

● Hohe Impulsbelastbarkeit

● Gute spektrale Anpassung an

Si-Fotoempfänger

● Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409

Anwendungen

● IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk-

und Videogeräten, Lichtdimmern

● Lichtschranken bis 500 kHz

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Gehäuse
Package

Features

● Fabricated in a liquid phase epitaxy process

● High reliability

● High pulse handling capability

● Good spectral match to silicon

photodetectors

● Same package as SFH 309, SFH 409

Applications

● IR remote control for hifi and TV sets, video

tape recorder, dimmers

● Light-reflection switches (max. 500 kHz)

SFH 487 Q62703-Q1095 3-mm-LED-Gehäuse (T1), klares violettes Epoxy­SFH 487-2 Q62703-Q2174

Gieβharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (

1

/10’’),
Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluβ
3 mm LED package (T1), violet-colored transparent
epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’),
anode marking: short lead

Semiconductor Group 1 1997-11-01

Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings

SFH 487

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

Sperrspannung
Reverse voltage

Durchlaβstrom
Forward current

Stoβstrom, τ≤10 µs
Surge current

Verlustleistung
Power dissipation

Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge
max. 10 mm
Thermal resistance, lead length between
package bottom and PC-board max. 10 mm

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

j

V

R

I

F

I

FSM

P

tot

R

thJA

Wert
Value

Einheit
Unit

– 55 ... + 100 °C

100 °C

5V

100 mA

2.5 A

200 mW

375 K/W

Kennwerte (

T

= 25 °C)

A

Characteristics
Bezeichnung

Description

Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission

I

= 100 mA

F

I

Spektrale Bandbreite bei 50 % von

I

= 100 mA

F

Spectral bandwidth at 50 % of I

max

max

,

Abstrahlwinkel
Half angle

Aktive Chipfläche
Active chip area

Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area

Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top

Symbol
Symbol

λ

peak

Wert
Value

Einheit
Unit

880 nm

∆λ 80 nm

ϕ±20 Grad

deg.

A

L × B
L

× W

H

0.16 mm

0.4 × 0.4 mm

2.6 mm

2

Semiconductor Group 2 1997-11-01

Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics

SFH 487

Bezeichnung
Description

Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω

Kapazität
Capacitance

V

= 0 V, f = 1 MHz

R

Durchlaβspannung
Forward voltage

I

= 100 mA, tp = 20 ms

F

I

= 1 A, tp = 100 µs

F

Sperrstrom
Reverse current

V

= 5 V

R

Gesamtstrahlungsfluβ
Total radiant flux

I

= 100 mA, tp = 20 ms

F

Temperaturkoeffizient von I

I

= 100 mA

F

bzw. Φe,

e

Temperature coefficient of Ie or Φe,

I

= 100 mA

F

Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of V

Temperaturkoeffizient von λ
Temperature coefficient of λ

VF, I

= 100 mA

F

, I

= 100 mA

F

F

, IF = 100 mA

peak

, IF = 100 mA

peak

Symbol
Symbol

t

, t

r

f

C

o

V

F

I

R

Φ

e

TC

I

TC

V

TC

λ

Wert
Value

Einheit
Unit

0.6/0.5 µs

25 pF

1.5 (< 1.8)

V

3.0 (< 3.8)

0.01 (≤ 1)µA

25 mW

– 0.5 %/K

– 2 mV/K

0.25 nm/K

Semiconductor Group 3 1997-11-01

Strahlstärke Ie in Achsrichtung

gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr

Grouping of radiant intensity Ie in axial direction

at a solid angle of Ω = 0.01 sr

SFH 487

Bezeichnung
Description

Strahlstärke
Radiant intensity

I

= 100 mA, tp = 20 ms I

F

Strahlstärke
Radiant intensity

I

= 1 A, tp = 100 µs I

F

Radiation characteristics I

50

60

70

rel

= f (ϕ)

10203040

ϕ

Symbol Wert

e

e typ.

0

1.0

0.8

0.6

0.4

Einheit

Value

Unit

SFH 487 SFH 487-2

> 12.5 > 20 mW/sr

270 270 mW/sr

OHR01895

80

90

100

0.2

0

02040 60 80 100 1200.40.60.81.0

Semiconductor Group 4 1997-11-01

Relative spectral emission

I

= f (λ)

rel

100

%

Ι

rel

80

60

40

20

0

750

800 850 900 950 nm 1000

OHR00877

λ

Radiant intensity

t

Single pulse,

10

Ι

e

Ι

(100mA)

e

10

10

-1

10

-2

10

-3

10

= 20 µs

p

2

1

0

0

10 10110

I

e

Ie100 mA

2

= f (IF)

OHR00878

3

10

Ι

SFH 487

Max. permissible forward current

I

= f (TA)

F

125

Ι

mA

F

100

75

50

25

0

104mA

F

0 20 40 60 80 100˚C

OHR00880

T

t

= 20 µs

p

= f (VF)

F

Forward current, I

Single pulse,

1

10

A

Ι

F

0

10

-1

10

-2

10

-3

10

0123456V8

OHR00881

V

F

Permissible pulse handling capability

I

= f (τ), TA = 25oC,

F

duty cycle D = parameter

Ι

F

OHR00886

t

p

2

4

10

mA

0.1

0.005=

D

0.01

0.02

0.05

Ι

F

3

10

0.2

0.5
DC

2

10

t

p

t

p

D

=

T

1

10

-5

10 s

10-410-310-210-110010110

T

Forward current versus lead length
between the package bottom and the
PC-board I

120
mA

Ι

100

F

80

60

40

20

0

= f (I), TA = 25oC

F

OHR00949

0 5 10 15 20 25 mm 30

Semiconductor Group 5 1997-11-01