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GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm)
GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm)
Chip position
SFH 4860
4.05
3.45
(2.7)
ø4.8
ø4.6
1.1
0.9
Flat glass cap
ø2.54
Features
● Radiation without IR in the visible red range
● Cathode is electrically connected to the case
● Very high efficiency
● High reliability
● Short switching time
Applications
● Photointerrupters
● Hermetically sealed package
1.1
0.9
5.5
5.2
GMO06983
14.5
ø0.45
spacing
2.54 mm
Cathode
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
12.5
Wesentliche Merkmale
● Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne
IR-Anteil
● Kathode galvanisch mit dem
Gehäuseboden verbunden
● Sehr hoher Wirkungsgrad
● Hohe Zuverlässigkeit
● Kurze Schaltzeiten
Anwendungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb bis 5 MHz
● Hermetisch dichtes Gehäuse
fmo06983
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
SFH 4860 Q62702-P5053 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, Plankappe,
Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’),
Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden
18 A3 DIN 870 (TO -18), flat glass cap, lead spacing
2.54 mm (1/10’’),
anode marking: projection at package bottom
Semiconductor Group 1 1998-08-25
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Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
SFH 4860
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom, tp= 10 µs, D = 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
R
thJC
Wert
Value
Einheit
Unit
– 55 ... + 125 °C
125 °C
3V
50 mA
1A
140 mW
450
160
K/W
K/W
Semiconductor Group 2 1998-08-25
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Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
SFH 4860
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
= 50 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50 % von I
Spectral bandwidth at 50 % of I
I
= 50 m A
F
max
max
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei IF = 50 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to10 %, IF = 50 mA, RL = 50 Ω
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz
Capacitance
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
Einheit
Unit
660 nm
∆λ 25 nm
ϕ±50 Grad
deg.
A
L × B
× W
L
t
, t
r
f
C
o
0.106 mm
0.325 × 0.325 mm
100 ns
30 pF
2
Durchlaßspannung, IF = 50 mA, tp = 20 ms
Forward voltage
Sperrstrom, VR = 3 V
Reverse current
Gesamtstrahlungsfluß, IF = 50 mA, tp = 20 ms
Total radiant flux
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
I
= 50 mA
F
Temperature coefficient of Ie or Φe,
I
= 50 mA
F
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 50 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 50 mA
Temperaturkoeffizient von λ, IF = 50 mA
Temperature coefficient of λ, IF = 50 mA
V
I
R
Φ
TC
TC
TC
F
2 (≤ 2.8) V
0.01 (≤ 10)µA
e
I
V
λ
3mW
– 0.4 %/K
– 3 mV/K
+ 0.16 nm/K
Semiconductor Group 3 1998-08-25
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Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping of radiant intensity Ie in axial direction
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
SFH 4860
Bezeichnung
Description
Strahlstärke
Radiant intensity
I
= 50 mA, tp = 20 ms
F
Strahlstärke
Radiant intensity
I
= 1 A, tp = 100 µs
F
Symbol Werte
Values
I
e min
I
e typ
I
e typ
≥ 0.63
1.3
15 mW/sr
Einheit
Unit
mW/sr
mW/sr
Semiconductor Group 4 1998-08-25
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Relative spectral emission
I
= f (λ)
rel
100
%
Ι
rel
80
60
OHR01869
Radiant intensity
t
Single pulse,
2
10
Ι
e
Ι
e 50 mA
1
10
0
10
= 20 µs
p
I
e
Ie50 mA
= f (IF)
OHR01870
SFH 4860
Max. permissible forward current
I
= f (TC), R
F
120
Ι
mA
F
100
80
60
= 160 K/W
thJC
OHR00390
40
20
0
600
nm650 700 750
λ
Forward current
IF= f (VF), single pulse, tp = 20 µs
3
10
mA
Ι
F
2
10
1
10
OHR01871
-1
10
-2
10
0
10
1
10
2
10 10
mA
Ι
F
Permissible pulse handling capability
I
= f (τ), TA = 25 °C,
F
duty cycle D = parameter
4
10
mA
Ι
F
3
10
0.1
t
P
D
=
T
D =
0.005
0.01
0.02
0.05
0.2
2
0.5
10
DC
OHR01872
t
P
Ι
F
T
40
20
3
0
0
20 40 60 80 100 130
Max. permissible forward current
IF= f (TA), R
120
mA
Ι
F
100
80
60
40
20
= 450 K/W
thJA
˚C
T
A
OHR00391
0
10
0
2468V10
Radiation characteristics I
rel
V
F
= f (ϕ)
ϕ
0
10203040
1.0
1
10
10
-5
10
10-410-310-210
-1
t
OHR00389
1
s
10
P
0
0
20 40 60 80 100 130
˚C
T
A
50
0.8
60
70
80
90
100
0.6
0.4
0.2
0
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
Semiconductor Group 5 1998-08-25
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