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GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
Area not flat
0.8
5.0
4.2
0.4
3.85
3.35
1.0
0.5
Chip position
0.6
0.4
spacing
2.54 mm
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
1.8
1.2
29
27
ø5.1
ø4.8
Cathode
5.9
5.5
0.6
0.4
GEX06306
SFH 485 P
fex06306
Wesentliche Merkmale
● GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt
im Schmelzepitaxieverfahren
● Enge Toleranz: Chipoberfläche/
Bauteiloberkante
● Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
● Sehr plane Oberfläche
● Gehäusegleich mit SFH 217
Anwendungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb bis 500 kHz
● LWL
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
Features
● GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
● Small tolerance: Chip surface to case
surface
● Good spectral match to silicon
photodetectors
● Plane surface
● Same package as SFH 217
Applications
● Light-reflection switches for steady and
varying intensity (max. 500 kHz)
● Fibre optic transmission
SFH 485 P Q62703-Q516 5-mm-LED-Gehäuse, plan, klares violettes Epoxy-
Gießharz, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (1/10’’),
Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß
5 mm LED package (T 13/4), plane violet-colored
transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing
2.54 mm (1/10’’), anode marking: short lead.
Semiconductor Group 1 1998-06-26
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Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
SFH 485 P
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom, τ≤ 10 µs
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge
max. 10 mm
Thermal resistance, lead length between
package bottom and PC-board max. 10 mm
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
Wert
Value
Einheit
Unit
– 55 ... + 100 °C
100 °C
5V
100 mA
2.5 A
200 mW
375 K/W
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
= 100 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50 % von I
I
= 100 m A
F
Spectral bandwidth at 50 % of I
max
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis
Gehäusevorderseite
Distance chip front to case surface
max
Symbol
Symbol
λ
peak
,
∆λ 80 nm
Wert
Value
Einheit
Unit
880 nm
ϕ±40 Grad
deg.
A
L × B
× W
L
H
0.16 mm
0.4 × 0.4 mm
0.5 ... 1 mm
2
Semiconductor Group 2 1998-06-26
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Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
SFH 485 P
Bezeichnung
Description
Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Kapazität
Capacitance
V
= 0 V, f = 1 MHz
R
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
I
= 1 A, tp = 100 µs
F
Sperrstrom
Reverse current
V
= 5 V
R
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
I
= 100 mA
F
Temperature coefficient or Ie or Φe,
I
= 100 mA
F
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA
Symbol
Symbol
t
, t
r
f
C
o
V
F
I
R
Φ
e
TC
I
TC
V
Wert
Value
Einheit
Unit
0.6/0.5 µs
25 pF
1.5 (< 1.8)
V
3.0 (< 3.8)
0.01 (≤ 1)µA
25 mW
– 0.5 %/K
– 2 mV/K
Temperaturkoeffizient von λ
Temperature coefficient of λ
, IF = 100 mA
peak
, IF = 100 mA
peak
TC
λ
0.25 nm/K
Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping at radiant intensity Ie in axial direction
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Symbol Werte
Values
Einheit
Unit
Strahlstärke
Radiant intensity
I
= 100 mA, tp = 20 ms I
F
e
> 3.15 mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
I
= 1 A, tp = 100 µs I
F
e typ.
48 mW/sr
Semiconductor Group 3 1998-06-26
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Relative spectral emission
I
= f (λ)
rel
100
%
Ι
rel
80
60
40
20
0
750
800 850 900 950 nm 1000
OHR00877
λ
Radiant intensity
t
Single pulse,
10
Ι
e
Ι
(100mA)
e
10
10
-1
10
-2
10
-3
10
= 20 µs
p
2
1
0
0
10 10110
I
e
Ie100 mA
2
= f (IF)
OHR00878
3
10
Ι
SFH 485 P
Max. permissible forward current
I
= f (TA)
F
125
Ι
mA
F
100
75
50
25
0
104mA
F
0 20 40 60 80 100˚C
OHR00880
T
t
= 20 µs
p
= f (VF)
F
Forward current, I
Single pulse,
1
10
A
Ι
F
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
0123456V8
Radiation characteristics I
50
OHR00881
V
F
= f (ϕ)
rel
Permissible pulse handling capability
I
= f (τ), TA = 25 °C,
F
duty cycle D = parameter
4
10
mA
Ι
F
D
0.005=
0.01
0.02
3
10
0.05
0.1
OHR00886
Forward current versus lead length
between the package bottom and the
PC-board I
120
mA
Ι
100
F
80
= f (I), TA = 25 °C
F
OHR00949
0.2
60
0.5
DC
2
10
t
p
t
p
D
=
T
1
10
-5
10 s
10-410-310-210-110010110
0
10203040
ϕ
1.0
Ι
F
T
2
t
p
OHR01893
40
20
0
0 5 10 15 20 25 mm 30
0.8
60
70
80
90
100
0.6
0.4
0.2
0
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
Semiconductor Group 4 1998-06-26
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