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GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitters (880 nm)
Area not flat
0.6
0.4
0.8
spacing
2.54 mm
Approx. weight 0.5 g
1.8
1.2
29
27
Area not flat
9.0
8.2
7.8
7.5
0.5
5.7
5.1
Chip position
Cathode
ø5.1
ø4.8
5.9
5.5
0.6
0.4
GEX06271
SFH 484
SFH 485
0.6
0.4
0.8
spacing
2.54 mm
Approx. weight 0.5 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
1.5
29
27
9.0
8.2
7.8
7.5
0.5
4.8
4.2
Chip position
Wesentliche Merkmale
● Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
● Hohe Zuverlässigkeit
● Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
● SFH 484: Gehäusegleich mit LD 274
● SFH 485: Gehäusegleich mit SFH 300,
Cathode
ø5.1
ø4.8
5.9
5.5
0.6
0.4
GEX06305
Features
● Fabricated in a liquid phase epitaxy process
● High reliability
● Spectral match with silicon photodetectors
● SFH 484: Same package as LD 274
● SFH 485: Same package as SFH 300,
SFH 203
SFH 203
fex06305 fex06271
Anwendungen
● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
● Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Applications
● IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
● Remote control for steady and varying
intensity
Wechsellichtbetrieb
Semiconductor Group 1 1997-11-01
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SFH 484
SFH 485
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
SFH 484 Q62703-Q1092 5-mm-LED-Gehäuse (T 1
SFH 484-1 Q62703-Q1755
Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’),
Anodenkennzeichung: kürzerer Anschluß
SFH 484-2 Q62703-Q1756
SFH 485 Q62703-Q1093
SFH 485-2 Q62703-Q1547
5 mm LED package (T 13/4), violet-colored epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), anode
marking: short lead
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
Wert
Value
– 55 ... + 100 °C
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
T
j
100 °C
Junction temperature
Sperrspannung
V
R
5V
Reverse voltage
3
/4), klares violettes Epoxy-
Einheit
Unit
Durchlaßstrom
Forward current
t
Stoßstrom,
= 10 µs, D = 0
p
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge
max. 10 mm
Thermal resistance, lead length between
package bottom and PC-board max. 10 mm
I
I
P
R
F
FSM
tot
thJA
100 mA
2.5 A
200 mW
375 K/W
Semiconductor Group 2 1997-11-01
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Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
SFH 484
SFH 485
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
= 100 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50 % von I
Spectral bandwidth at 50 % of I
I
= 100 m A
F
rel
rel
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 484
SFH 485
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
SFH 484
SFH 485
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
Einheit
Unit
880 nm
∆λ 80 nm
ϕ
ϕ
A
L × B
L
× W
H
H
± 8
± 20
Grad
deg.
0.16 mm
0.4 × 0.4 mm
5.1 ... 5.7
4.2 ... 4.8
mm
mm
2
Schaltzeiten, I
von 10 % auf 90 % und von
e
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Kapazität
Capacitance
V
= 0 V, f = 1 MHz
R
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
I
= 1 A, tp = 100 µs
F
Sperrstrom
Reverse current
V
= 5 V
R
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
t
C
V
V
I
Φ
, t
r
f
o
F
F
R
e
0.6/0.5 µs
25 pF
1.50 (≤ 1.8)
3.00 (≤ 3.8)
V
V
0.01 (≤ 1)µA
25 mW
Semiconductor Group 3 1997-11-01
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SFH 484
SFH 485
Kennwerte (
T
= 25 °C)
A
Characteristics
Bezeichnung
Description
Temperaturkoeffizient von I
I
= 100 mA
F
bzw. Φe,
e
Symbol
Symbol
TC
I
Wert
Value
Einheit
Unit
– 0.5 %/K
Temperature coefficient of Ie or Φe,
I
= 100 mA
F
V
Temperaturkoeffizient von
, IF = 100 mA
F
TC
V
– 2 mV/K
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA
Temperaturkoeffizient von λ,
= 100 mA
F
TC
λ
0.25 nm/K
I
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA
Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.001 sr bei SFH 484 bzw. Ω = 0.01 sr bei SFH 485
Grouping of radiant intensity Ie in axial direction
at a solid angle of Ω = 0.001 sr at SFH 484 or Ω = 0.01 sr at SFH 485
Bezeichnung
Description
Symbol Wert
Value
Einheit
Unit
Strahlstärke
Radiant intensity
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
Strahlstärke
Radiant intensity
I
= 1 A, tp = 100 µs I
F
Radiation characteristics, SFH 484 I
10203040
ϕ
50
60
70
80
I
e min
I
e max
e typ.
rel
= f (ϕ)
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
SFH
484
50
160
SFH
484-1
50
100
SFH
484-2
> 80
–
SFH
485
16
80
SFH
485-2
> 25
–
mW/sr
mW/sr
800 700 900 300 340 mW/sr
OHR01891
90
100
0
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
Semiconductor Group 4 1997-11-01
Page 5
Relative spectral emission
I
= f (λ)
rel
100
%
Ι
rel
80
60
40
20
0
750
800 850 900 950 nm 1000
OHR00877
λ
Radiant intensity
Ie100 mA
Single pulse, tp = 20 µs
2
10
Ι
e
Ι
(100mA)
e
1
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
0
10 10110
SFH 484
SFH 485
I
e
= f (IF)
OHR00878
2
3
104mA
10
Ι
F
Max. permissible forward current
I
= f (TA)
F
125
Ι
mA
F
100
75
50
25
0
0 20 40 60 80 100˚C
OHR00880
T
Forward current
I
= f (VF), single pulse, tp = 20 µs
F
1
10
A
Ι
F
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
0123456V8
OHR00881
V
F
Radiation characteristics, SFH 485 I
ϕ
50
10203040
Permissible pulse handling capability
IF= f (τ), TA = 25 °C,
duty cycle D = parameter
4
10
rel
= f (ϕ)
0
1.0
0.8
mA
Ι
F
3
10
2
10
1
10
10 s
0.005=
D
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
DC
t
p
t
p
D
=
T
T
-5
10-410-310-210-110010110
OHR00886
Ι
F
t
OHR01892
Forward current versus lead length
between the package bottom and the
PC-board I
120
mA
Ι
100
F
80
60
40
20
2
p
0
= f (I), TA = 25 °C
F
OHR00949
0 5 10 15 20 25 mm 30
60
70
80
90
100
0.6
0.4
0.2
0
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
Semiconductor Group 5 1997-11-01
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