Datasheet SFH483E7800 Datasheet (Siemens)

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAlAs Infrared Emitter

SFH 483

ø0.45

spacing

2.54 mm

Anode
Cathode (SFH 483)

Approx. weight 0.5 g

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

14.5

12.5

(LD 242, BPX 63, SFH 464)

Wesentliche Merkmale

● GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode mit hohem

Wirkungsgrad

● Die Anode ist galvanisch mit dem

Gehäuseboden verbunden

● Hohe Impulsbelastbarkeit

● Hohe Zuverlässigkeit

● Anwendungsklasse nach DIN 40040 GQG

● Gehäusegleich mit BPX 63, BP 103, LD 242,

2.7

3.6

3.0

Chip position

ø4.1

ø4.3

0.9

1.1

1.1

ø5.5
ø5.2

1

0.9

GET06625

Features

● Highly efficient GaAlAs LED

● Anode is electrically connected to the case

● High pulse power

● High reliability

● DIN humidity category in acc. with

DIN 40040 GQG

● Same package as BPX 63, BP 103, LD 242,

SFH 464

SFH 464

fet06625

Anwendungen

● IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen

● Lichtschranken für Gleich- und

Applications

● IR remote controls and sound transmission

● Photointerrupter

Wechsellichtbetrieb

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Gehäuse
Package

SFH 483 E7800 Q62703-Q1090 18 A3 DIN 41870 (TO-18), Bodenplatte, klares Epoxy-

Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (

1

/10’’)
18 A3 DIN 41870 (TO-18), clear epoxy resin, lead
spacing 2.54 mm (1/10’’)

Semiconductor Group 1 1997-11-01

Grenzwerte
Maximum Ratings

SFH 483

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

Sperrspannung
Reverse voltage

Vorwärtsgleichstrom,

T

C

≤ 25 °C

Forward current

t

Stoßstrom,

= 10 µs, D = 0, TC = 25 °C

p

Surge current

T

Verlustleistung,

= 25 °C

C

Power dissipation
Wärmewiderstand

Thermal resistance

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

j

V

R

I

F

I

FSM

P

tot

R

thJA

R

thJC

Wert
Value

Einheit
Unit

– 40 ... + 80 °C

100 °C

5V

200 mA

2.5 A

470 mW

450
160

K/W
K/W

Kennwerte (

T

= 25 °C)

A

Characteristics
Bezeichnung

Description

Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission

I

= 100 mA

F

Spektrale Bandbreite bei 50 % von
Spectral bandwidth at 50 % of I

I

= 100 mA

F

Abstrahlwinkel

1)

I

max

Half angle
Aktive Chipfläche

Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche

Dimension of the active chip area
Abstand Gehäuserückseite bis

Chipoberfläche
Distance chip front to case back

max

Symbol
Symbol

λ

peak

Wert
Value

Einheit
Unit

880 nm

∆λ 80 nm

ϕ±23 Grad

deg.

A

L × B
L

× W

H

0.16 mm

0.4 × 0.4 mm

2.7 ... 2.9 mm

2

Semiconductor Group 2 1997-11-01

Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics

SFH 483

Bezeichnung
Description

Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω

Kapazität
Capacitance

V

= 0 V, f = 1 MHz

R

Durchlaßspannung
Forward voltage

I

= 100 mA, tp = 20 ms

F

I

= 1 A, tp = 100 µs

F

Sperrstrom
Reverse current

V

= 5 V

R

Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux

I

= 100 mA, tp = 20 ms

F

Temperaturkoeffizient von I

I

= 100 mA

F

bzw. Φe,

e

Temperature coefficient of Ie or Φe,

I

= 100 mA

F

Temperaturkoeffizient von

V

, IF = 100 mA

F

Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA

Symbol
Symbol

t

, t

r

f

C

o

V

F

I

R

Φ

e

TC

I

TC

V

Wert
Value

Einheit
Unit

0.6/0.5 µs

25 pF

1.5 (< 1.8)

V

3.0 (< 3.8)

0.01 (≤ 1)µA

23 mW

– 0.5 %/K

– 2.5 mV/K

Temperaturkoeffizient von λ,

= 100 mA

F

TC

l

+ 0.25 nm/K

I

Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA

Semiconductor Group 3 1997-11-01

Strahlstärke Ie in Achsrichtung

gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr

Grouping of radiant intensity Ie in axial direction

at a solid angle of Ω = 0.01 sr

SFH 483

Bezeichnung
Description

Strahlstärke

1)

Radiant intensity

I

= 100 mA, tp = 20 ms

F

Strahlstärke

1)

(typ.)

Symbol Werte

Values

I

e min

I

e max

I

e typ.

1

3.2
20 mW/sr

Einheit
Unit

mW/sr
mW/sr

Radiant intensity

I

= 1 A, tp = 100 ms

F

1)

Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil
(Durchmesser der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4.0 mm). Dadurch wird
sichergestellt, daβ bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die
direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung)
wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über
Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken groβer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen
diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende
Meβverfahren ergibt sich für den Anwender eine besser verwertbare Gröβe. Diese Lochblendenmessung ist
gekennzeichnet durch den Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehängt ist.

1)

An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle
(diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the
radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the
radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These
reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection
switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by
apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values.
This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation.

Semiconductor Group 4 1997-11-01

Relative spectral emission

I

= f (λ)

rel

100

%

Ι

rel

80

60

40

20

0

750

800 850 900 950 nm 1000

OHR00877

λ

Radiant intensity

t

Single pulse,

10

Ι

e

Ι

(100mA)

e

10

10

-1

10

-2

10

-3

10

= 20 µs

p

2

1

0

0

10 10110

I

e

Ie100 mA

2

= f (IF)

OHR00878

3

10

Ι

F

SFH 483

Max. permissible forward current

I

= f (TA), R

F

I

= f (TC), R

F

240

mA

Ι

F

200

160

120

80

40

0

104mA

0 20 40 60 80 100

thJA
thJC

R

thJA

= 450 k/W

= 160 k/W

R

thJC

= 450 K/W

OHR00946

= 160 K/W

T

˚C

,

T

C

A

Forward current, IF= f (VF)

Single pulse,

10

A

Ι

F

10

-1

10

-2

10

-3

10

t

= 20 µs

p

1

0

0123456V8

Radiation characteristics I

50

Permissible pulse handling capability

IF= f (tp), TC = 25 °C,
duty cycle D = parameter

OHR00881

V

F

= f (ϕ)1) Fuβnote siehe vorhergehende Seite/footnote see previous page.

rel

10203040

0

ϕ

1.0

0.8

4

10
mA

Ι

F

5

D

=

0.005

0.01

t

p

D

=

T

OHR00948

t

p

Ι

F

T

0.02

10

3

0.1

0.05

0.2

5

0.5

DC

2

10

-5

10

10-410-310-210-1100s

t

p

OHR01457

60

70

80

90

100

0.6

0.4

0.2

0

02040 60 80 100 1200.40.60.81.0

Semiconductor Group 5 1997-11-01