Datasheet SFH480-2, SFH480-3, SFH481, SFH481-2, SFH482 Datasheet (Siemens)

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm)
GaAlAs Infrared Emitters (880 nm)

SFH 480
SFH 481
SFH 482

Chip position

ø4.8

ø4.6

5.3

5.0

7.4

6.6

Approx. weight 0.5 g

ø0.45

spacing

2.54 mm

welded

(2.7)

14.5

12.5

Cathode (SFH 480)
Anode

(SFH 216, SFH 231,

SFH 400)

ø0.45

14.5

12.5

(2.7)

Chip position

ø4.8

5.3

5.0

6.4

5.6

glass
lens

spacing

2.54mm

ø4.6

0.9

0.9

1.1

1.1

Radiant
Sensitive area

1.1

0.9

GEO06314

Anode
Cathode

1.1

= SFH 481
= SFH 401

0.9

ø5.6
ø5.3

GET06091

ø5.6

ø5.3

(package)

fet06090fet06091

Approx. weight 0.35 g

5.5

5.0

Chip position

Cathode (SFH 402, BPX 65)
Anode (SFH 482)

Approx. weight 0.5 g

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

(2.7)

ø0.45

14.5

12.5

5.3

5.0

Radiant sensitive area

1.1

0.9

1.1

0.9

ø4.8

ø4.6

ø5.6
ø5.3

2.54

spacing

GET06013

fet06092

Semiconductor Group 1 1998-04-16

SFH 480,
SFH 481, SFH 482

Wesentliche Merkmale

● Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren

● Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden

verbunden

● Hohe Zuverlässigkeit

● Gute spektrale Anpassung an

Si-Fotoempfänger

● Hermetisch dichtes Metallgehäuse

● SFH 480: Gehäusegleich mit SFH 216

● SFH 481: Gehäusegleich mit BPX 43,

BPY 63

● SFH 482: Gehäusegleich mit BPX 38,

BPX 65

Anwendungen

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● IR-Gerätefernsteuerungen

Features

● GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in

a liquid phase epitaxy process

● Anode is electrically connected to the case

● High reliability

● Matches all Si-Photodetectors

● Hermetically sealed package

● SFH 480: Same package as SFH 216

● SFH 481: Same package as BPX 43,

BPY 63

● SFH 482: Same package as BPX 38,

BPX 65

Applications

● Photointerrupters

● IR remote control of various equipmet

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Gehäuse
Package

SFH 480-2 Q62703-Q1662 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Anschlüsse im 2.54-mm­SFH 480-3 Q62703-Q1663

Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: Nase am Ge­häuseboden

SFH 481 Q62703-Q1088
SFH 481-1 Q62703-Q1664

18 A3 DIN 41876 (TO-18), lead spacing 2.54 mm
(1/10’’), cathode marking: projection at package

SFH 481-2 Q62703-Q1665
SFH 482 Q62703-Q1089
SFH 482-1 Q62703-Q1667
SFH 482-2 Q62703-Q1668
SFH 482-3 Q62703-Q1669
SFH 482-M E7800 Q62703-Q2186

Semiconductor Group 2 1998-04-16

Grenzwerte (TC = 25 °C)
Maximum Ratings

SFH 480,
SFH 481, SFH 482

Bezeichnung
Description

SFH 481:
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

SFH 480, SFH 482:
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

Sperrspannung
Reverse voltage

Durchlaßstrom
Forward current

Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0
Surge current

Verlustleistung
Power dissipation

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

; T

op

stg

T

j

V

R

I

F

I

FSM

P

tot

Wert
Value

Einheit
Unit

– 55 ... + 100 °C

– 55 ... + 125 °C

100 °C

5V

200 mA

2.5 A

470 mW

Wärmewiderstand
Thermal resistance

Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics

Bezeichnung
Description

Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission

I

= 100 mA

F

Spektrale Bandbreite bei 50 % von I
Spectral bandwidth at 50 % of I

I

= 100 mA

F

max

Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 480
SFH 481
SFH 482

Aktive Chipfläche
Active chip area

max

R

thJA

R

thJC

Symbol
Symbol

λ

peak

450
160

Wert
Value

K/W
K/W

Einheit
Unit

880 nm

∆λ 80 nm

ϕ
ϕ
ϕ

A

± 6
± 15
± 30

Grad
deg.

0.16 mm

2

Semiconductor Group 3 1998-04-16

Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics

SFH 480,
SFH 481, SFH 482

Bezeichnung
Description

Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area

Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
SFH 480
SFH 481
SFH 482

Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω

Kapazität
Capacitance

V

= 0 V, f = 1 MHz

R

Durchlaßspannung
Forward voltage

I

= 100 mA, tp = 20 ms

F

I

= 1 A, tp = 100 µs

F

Sperrstrom
Reverse current

V

= 5 V

R

Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux

I

= 100 mA, tp = 20 ms

F

Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,

I

= 100 mA

F

Temperature coefficient of Ie or Φe,

I

= 100 mA

F

Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA

Symbol
Symbol

L × B

× W

L

H
H
H

t

, t

r

f

C

o

V

F

V

F

I

R

Φ

e

TC

I

TC

V

Wert
Value

Einheit
Unit

0.4 × 0.4 mm

4.0 ... 4.8

2.8 ... 3.7

2.1 ... 2.7

mm
mm
mm

0.6/0.5 µs

25 pF

1.50 (≤ 1.8)

3.00 (≤ 3.8)

V
V

0.01 (≤ 1)µA

12 mW

– 0.5 %/K

– 2 mV/K

Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA

TC

λ

+ 0.25 nm/K

Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA

Semiconductor Group 4 1998-04-16

Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung

gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr

Grouping of radiant intensity Ie in axial direction

at a solid angle of Ω = 0.01 sr

SFH 480,
SFH 481, SFH 482

Bezeichnung
Description

Strahlstärke
Radiant intensity

I

= 100 mA, tp = 20 ms I

F

Strahlstärke
Radiant intensity

I

= 1 A, tp = 100 µs I

F

Bezeichnung
Description

Strahlstärke
Radiant intensity

I

= 100 mA, tp = 20 ms I

F

Strahlstärke
Radiant intensity

I

= 1 A, tp = 100 µs I

F

Symbol
Symbol

e min

I

e max

e typ.

Symbol
Symbol

e min

I

e max

e typ.

SFH
480-2

40
–

SFH
480-3

63
–

Wert

Value

SFH
481

10
–

SFH
481-1

10
20

SFH
481-2

16
–

Einheit
Unit

mW/sr
mW/sr

540 630 220 130 220 mW/sr

SFH
482

3.15
–

SFH
482-1

3.15

6.3

Wert

Value

SFH
482-2

5
10

SFH
482-3

8
–

SFH
482-M
E 7800

1.6 ... 3.2–mW/sr

Einheit
Unit

1)

mW/sr

– 40 65 80 – mW/sr

1)

Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil
(Durchmesser der Lochblende: 2.0 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 5.4 mm). Dadurch wird
sichergestellt, daβ bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die
direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung)
wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über
Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken groβer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen
diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende
Meβverfahren ergibt sich für den Anwender eine besser verwertbare Gröβe. Diese Lochblendenmessung ist
gekennzeichnet durch den Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehängt ist.

1)

An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle
(diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the
radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the
radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These
reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection
switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by
apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values.
This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation.

Semiconductor Group 5 1998-04-16

SFH 480,
SFH 481, SFH 482

Radiation characteristics, SFH 480 I

10203040

ϕ

50

60

70

80

90

100

Radiation characteristics, SFH 481 I

10203040

ϕ

50

rel

rel

= f (ϕ)

0

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

02040 60 80 100 1200.40.60.81.0

= f (ϕ)

0

1.0

0.8

OHR01888

OHR01889

60

70

80

90

100

Radiation characteristics, SFH 482 I

10203040

ϕ

50

60

70

80

rel

0.6

0.4

0.2

0

02040 60 80 100 1200.40.60.81.0

= f (ϕ)

0

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

OHR01890

90

100

0

02040 60 80 100 1200.40.60.81.0

Semiconductor Group 6 1998-04-16

Relative spectral emission

I

= f (λ)

rel

100

%

Ι

rel

80

60

40

20

0

750

800 850 900 950 nm 1000

OHR00877

λ

Radiant intensity

t

Single pulse,

10

Ι

e

Ι

(100mA)

e

10

10

-1

10

-2

10

-3

10

p

2

1

0

0

10 10

= 20 µs

Ie100 mA

1

SFH 480,
SFH 481, SFH 482

I

e

= f (IF)

OHR00878

2

10

3

104mA

10

Ι

F

Max. permissible forward current
SFH 481, I

240

mA

Ι

F

200

160

120

80

40

= f (TA, TC)

F

OHR00946

= 160 K/W

R

thJC

= 450 K/W

R

thJA

0

0 20 40 60 80 100

˚C

T

,

A

T

C

t

= 20 µs

p

= f (VF)

F

Forward current, I

Single pulse,

1

10

A

Ι

F

0

10

-1

10

-2

10

-3

10

0123456V8

OHR00881

V

F

Permissible pulse handling capability

I

= f (τ), TC = 25 °C,

F

duty cycle D = parameter

4

10
mA

Ι

F

5

D

0.005

=

D

0.01

t

p

=

T

0.02

10

3

0.1

0.05

0.2

5

0.5

DC

2

10

-5

10

10-410-310-210-1100s

OHR00948

t

p

Ι

F

T

t

p

Max. permissible forward current
SFH 480, SFH 482, I

240
mA

Ι

F

200

160

120

= 450 K/W

R

thJA

80

40

0

0

20 40 60 80 100 130

= f (TA, TC)

F

= 160 K/W

R

thJC

OHR00396

˚C

T

,

T

A

C

Semiconductor Group 7 1998-04-16