Datasheet SFH4591, SFH4592 Datasheet (Siemens)

Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode
High-Speed GaAlAs Infrared Emitter

Area not flat

9.0

0.4

8.2

7.8

7.5

ø5.1

5.7

5.1
Chip position

5.9

5.5

ø4.8

GEX06626

0.6

0.4

spacing

2.54 mm

Anode

0.8

1.8

1.2

29.5

27.5

Area not flat

SFH 4591
SFH 4592

0.6

0.4

SFH 4591

0.4

9.0

8.2

7.8

7.5

4.8

4.2
Chip position

e

ø5.1

ø4.8

5.9

5.5

0.6

0.4

SFH 4592

GEX06984

Features

● High pulse power and high radiant flux Φ

● Very short switching times (10 ns)

● Low forward voltage and power dissipation

● Very high long-time stability

● Available on tape and reel

Applications

● High data transmission rate up to 100 Mbaud

(IR keyboard, Joystick, Multimedia)

● Analog and digital Hi-Fi audio and video

signal transmission

● Low power consumption (battery) equipment

● Suitable for professional and high-reliability

applications

● Alarm and safety equipment

● IR free air transmission

0.6

0.4

0.8

spacing

2.54 mm

Anode
Approx. weight 0.2 g

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

1.8

1.2
29

27

Wesentliche Merkmale

● Hohe Pulsleistung sowie hoher

Gesamtstrahlungsfluß Φ

● Sehr kurze Schaltzeiten (10 ns)

● Geringe Vorwärtsspannung und

Leistungsaufnahme

● Sehr hohe Langzeitstabilität

● Gegurtet lieferbar

Anwendungen

● Schnelle Datenübertragung mit

Übertragungsraten bis 100 Mbaud
(IR Tastatur, Joystick, Multimedia)

● Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und Video-

signalübertragung

● Batteriebetriebene Geräte (geringe Strom-

aufnahme)

● Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeits-

ansprüchen bzw. erhöhten Anforderungen

● Alarm- und Sicherungssysteme

● IR Freiraumübertragung

fex06626 fex06260

e

Semiconductor Group 1 1998-09-08

SFH 4591
SFH 4592

Typ
Type

SFH 4591
SFH 4592

Bestellnummer
Ordering Code

Q62702-P5059
Q62702-P5060

Gehäuse
Package

5 mm-LED-Gehäuse (T13/4), klar, Anschlüsse im 2,54-mm
Raster, Anodenkennzeichnung: kurzer Anschluß
5-mm-LED package (T13/4), clear, solder tabs 2.54-mm (1/10”),
anode marking: short lead

Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Sperrspannung
Reverse voltage

Durchlaβstrom
Forward current

Stoβstrom, tp = 10 µs, D = 0
Surge current

Symbol
Symbol

Top; T

stg

V

R

Wert
Value

Einheit
Unit

– 40 ... + 100 °C

3V

IF (DC) 100 mA

I

FSM

2A

Verlustleistung
Power dissipation

Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung,
freie Beinchenlänge max. 10 mm
Thermal resistance junction - ambient,
lead length between package bottom and
PCB max. 10 mm

P

R

tot

thJA

200 mW

375 K/W

Semiconductor Group 2 1998-09-08

Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics

SFH 4591
SFH 4592

Bezeichnung
Description

Wellenlänge der Strahlung
Wavelength of peak emission

IF = 100 mA, tP = 20 ms

Spektrale Bandbreite bei 50% von I
Spectral bandwidth at 50% of I

max

max

IF= 100 mA, tP = 20 ms

Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 4591
SFH 4592

Aktive Chipfläche
Active chip area

Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area

Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von
90% auf 10%, bei IF = 100 mA, tP = 20 ms,

RL = 50 Ω

Switching times, Ie from 10% to 90% and from
90% to10%, IF = 100 mA, tP = 20 ms,

RL = 50 Ω

Symbol
Symbol

λ

peak

Wert
Value

Einheit
Unit

880 nm

∆λ 25 nm

ϕ

Grad
deg.

± 7
± 18

A 0.09 mm

L × B

0.3 × 0.3 mm

L × W
tr, t

f

10 ns

2

Kapazität
Capacitance

VR= 0 V, f = 1 MHz

Durchlaβspannung
Forward voltage

IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µs

Sperrstrom
Reverse current

VR = 3 V

Gesamtstrahlungsfluβ
Total radiant flux

IF = 100 mA, tp = 20 ms

Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,

IF = 100 mA

Temperature coefficient of Ie or Φe,

IF = 100 mA

C

V
V

I

R

Φ

TC

o

F
F

35 pF

1.5 (≤ 2.0)

3.0 (≤ 3.8)

V
V

0.01 (≤ 10) µA

e

I

25 mW

– 0.44 %/K

Semiconductor Group 3 1998-09-08

Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)

SFH 4591
SFH 4592

Bezeichnung
Description

Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA

Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA

Strahlstärke Ie in Achsrichtung

gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr

Radiant intensity Ie in axial direction

at a solid angle of Ω = 0.01 sr

Bezeichnung

Symbol Werte

Description

Strahlstärke
Radiant intensity

I

e min

I

e typ

IF = 100 mA, tp = 20 ms

Strahlstärke

I

e typ

Radiant intensity

IF = 1 A, tp = 100 µs

Symbol
Symbol

TC

V

TC

λ

Wert
Value

Einheit
Unit

– 2 mV/K

+ 0.13 nm/K

Values

SFH 4591 SFH 4592

40
80

25
40

600 300 mW/sr

Einheit
Unit

mW/sr

Lötbedingungen
Soldering Conditions

Tauch-, Schwall- und Schlepplötung
Dip, wave and drag soldering

Lötbad­temperatur

Temperature
of the
soldering
bath

Maximal
zulässige
Lötzeit

Max. perm.
soldering
time

Abstand
Lötstelle –
Gehäuse

Distance
between
solder joint
and case

Kolbenlötung (mit 1,5-mm-Kolbenspitze)
Iron soldering (with 1.5-mm-bit)

Temperatur
des Kolbens

Temperature
of the solder­ing iron

Maximale
zulässige
Lötzeit

Max. permissi­ble soldering
time

Abstand
Lötstelle –
Gehäuse

Distance
between
solder joint
and case

260 °C 10 s ≥ 1.5 mm 300 °C3 s ≥ 1.5 mm

Semiconductor Group 4 1998-09-08

Relative spectral emission

I

= f (λ)

rel

100

%

Ι

90

rel

80
70
60
50
40
30
20
10

0

750 800 850 900 nm 1000

700

Forward current I

single pulse, t

1

10

Ι

F

A

0

10

F

= 20 µs

p

= f (VF)

OHF00366

λ

OHF00362

I

e

Radiant intensity

---------------- - fIF()=

Ie100mA

Single pulse, t

10

Ι

e

Ι

e (100 mA)

10

10

10

10

= 20 µs

p

2

1

0

-1

-2

10

-2

10

-1

Radiation characteristics I

50˚

60˚

OHF00363

0

10

10A

Ι

F

= f (ϕ), SFH 4591

rel

ϕ

Max. permissible forward current

I

= f (TA)

F

120

Ι

F

100

80

R

60

40

20

1.0

0.8

0.6

0

0

20 40 60 80 100 120mA˚C

0˚10˚20˚30˚40˚

1

SFH 4591
SFH 4592

OHF00359

= 375 K/W

thjA

T

A

OHF00365

70˚

-1

10

80˚

90˚

-2

10

0V

0.5 1 1.5 2 2.5 3

V

F

Permissible pulse power

Duty cycle D = parameter, T

1

10

A

Ι

F

5

t

p

D

=

T

t

p

= 25 °C

A

OHF00361

Ι

F

100˚

Radiation characteristics I

50˚

T

D = 0.005

0

10

5

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

60˚

70˚

80˚

90˚

-1

10

-510-4

10

-3

10 1010

-2 -1100

10 101s

t

p

2

100˚

= f (ϕ), SFH 4592

rel

ϕ

0.4

0.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚0.40.60.81.0

0˚10˚20˚30˚40˚

OHR00397

0

0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚0.40.60.81.0

Semiconductor Group 5 1998-09-08