Datasheet SFH4590, SFH4595 Datasheet (Siemens)

Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode
High-Speed GaAlAs Infrared Emitter

Chip position

4.5

2.7

2.3

7.5

5.5

3.7

3.3

14.7

13.1

3.9

2.05

R

1.95

0...0.1

4.8

4.4

2.7

(3.2)

2.4

5.8

5.4

SFH 4590
SFH 4595

(R2.8)

(3.2)

GEO06968

spacing

2.54 mm

Cathode

spacing

2.54 mm

Cathode

4.5

3.9

7.7

7.1

Chip position

4.5

8.0

7.4

3.9

15.5

14.7

4.5

3.9

7.7

7.1

2.05

1.95

SFH 4590

(3.2)

2.7

2.4

4.4

4.8

SFH 4595

(R2.8)R

(3.2)

5.8

5.4

GEO06969

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Semiconductor Group 1 1998-09-09

SFH 4590

W

●

●

●

●

●

●

●

●

●

A

●

●

●

●

●

●

SFH 4595

esentliche Merkmale

Hohe Pulsleistung sowie hoher
Gesamtstrahlungsfluß Φ

e

Sehr kurze Schaltzeiten (10 ns)
Geringe Vorwärtsspannung und
Leistungsaufnahme
Sehr hohe Langzeitstabilität
Hohe Zuverlässigkeit
Gegurtet lieferbar
Geeignet für Oberflächenmontage (SMT)
Gleiches Gehäuse wie Photodiode SFH 2500/
SFH 2505 und Phototransistor SFH 3500/
SFH 3505
Spektrale Anpassung an Si-Photodetektoren

nwendungen

Schnelle Datenübertragung mit
Übertragungsraten bis zu 100 Mbaud
(IR Tastatur, Joystick, Multimedia)
Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und Video­signalübertragung
Batteriebetriebene Geräte (geringe Strom­aufnahme)
Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeits­ansprüchen bzw. erhöhten Ansprüchen
Alarm- und Sicherungssysteme
IR Freiraumübertragung

Features

● High pulse power and high radiant flux Φ

● Very short switching times (10 ns)

● Low forward voltage and power dissipation

● Very high long-time stability

● High reliability

● Available on tape and reel

● Suitable for surface mounting (SMT)

● Same package as photodiode SFH 2500/

e

SFH 2505 and phototransistor SFH 3500/
SFH 3505

● Spectral match with silicon photodetectors

Applications

● High data transmission rate up to 100 Mbaud

(IR keyboard, Joystick, Multimedia)

● Analog and digital Hi-Fi audio and video

signal transmission

● Low power consumption (battery) equipment

● Suitable for professional and high-reliability

applications

● Alarm and safety equipment

● IR free air transmission

Typ
Type

SFH 4590
SFH 4595

Bestellnummer
Ordering Code

on request
on request

Gehäuse
Package

5 mm-LED-Gehäuse (T13/4), klar, Anschlüsse im 2,54-mm
Raster, Anodenkennzeichnung: kurzer Anschluß
5-mm-LED package (T13/4), clear, solder tabs 2.54-mm (1/10”),
anode marking: short lead

Semiconductor Group 2 1998-09-09

Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings

SFH 4590
SFH 4595

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Sperrspannung
Reverse voltage

Durchlaβstrom
Forward current

Stoβstrom, tp = 10 µs, D = 0
Surge current

Verlustleistung
Power dissipation

Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung,
freie Beinchenlänge max. 10 mm
Thermal resistance junction - ambient,
lead length between package bottom and
PCB max. 10 mm

Symbol
Symbol

Top; T

stg

V

R

Wert
Value

Einheit
Unit

– 40 ... + 100 °C

3V

IF (DC) 100 mA

I

FSM

P

R

tot

thJA

2A

200 mW

375 K/W

Semiconductor Group 3 1998-09-09

Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics

SFH 4590
SFH 4595

Bezeichnung
Description

Wellenlänge der Strahlung
Wavelength of peak emission

IF = 100 mA, tP = 20 ms

Spektrale Bandbreite bei 50% von I
Spectral bandwidth at 50% of I

max

max

IF= 100 mA, tP = 20 ms

Abstrahlwinkel
Half angle

Aktive Chipfläche
Active chip area

Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area

Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von
90% auf 10%, bei IF = 100 mA, tP = 20 ms,

RL = 50 Ω

Switching times, Ie from 10% to 90% and from
90% to10%, IF = 100 mA, tP = 20 ms,

RL = 50 Ω

Symbol
Symbol

λ

peak

Wert
Value

Einheit
Unit

880 nm

∆λ 25 nm

ϕ±14 Grad

deg.

A 0.09 mm

L × B

0.3 × 0.3 mm

L × W
tr, t

f

10 ns

2

Kapazität
Capacitance

VR= 0 V, f = 1 MHz

Durchlaβspannung
Forward voltage

IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µs

Sperrstrom
Reverse current

VR = 3 V

Gesamtstrahlungsfluβ
Total radiant flux

IF = 100 mA, tp = 20 ms

Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,

IF = 100 mA

Temperature coefficient of Ie or Φe,

IF = 100 mA

C

V
V

I

R

Φ

TC

o

F
F

35 pF

1.5 (≤ 2.0)

3.0 (≤ 3.8)

V
V

0.01 (≤ 10) µA

e

I

25 mW

– 0.44 %/K

Semiconductor Group 4 1998-09-09

Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)

SFH 4590
SFH 4595

Bezeichnung
Description

Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA

Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA

Strahlstärke Ie in Achsrichtung

gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr

Radiant intensity Ie in axial direction

at a solid angle of Ω = 0.01 sr

Bezeichnung

Symbol Werte

Description

Strahlstärke
Radiant intensity

I
I

IF = 100 mA, tp = 20 ms

Strahlstärke

I

Radiant intensity

IF = 1 A, tp = 100 µs

Symbol
Symbol

TC

TC

e min
e typ

e typ

Wert
Value

V

λ

– 2 mV/K

+ 0.13 nm/K

Einheit
Unit

Einheit

Values

25

Unit

mW/sr

60

350 mW/sr

Lötbedingungen
Soldering Conditions

Tauch-, Schwall- und Schlepplötung
Dip, wave and drag soldering

Lötbad­temperatur

Temperature
of the
soldering
bath

Maximal
zulässige
Lötzeit

Max. perm.
soldering
time

Abstand
Lötstelle –
Gehäuse

Distance
between
solder joint
and case

Kolbenlötung (mit 1,5-mm-Kolbenspitze)
Iron soldering (with 1.5-mm-bit)

Temperatur
des Kolbens

Temperature
of the solder­ing iron

Maximale
zulässige
Lötzeit

Max. permissi­ble soldering
time

Abstand
Lötstelle –
Gehäuse

Distance
between
solder joint
and case

260 °C 10 s ≥ 1.5 mm 300 °C3 s ≥ 1.5 mm

Semiconductor Group 5 1998-09-09

Relative spectral emission

I

= f (λ)

rel

100

%

Ι

90

rel

80
70
60
50
40
30
20
10

0

750 800 850 900 nm 1000

700

Forward current I

single pulse, t

1

10

Ι

F

A

0

10

F

= 20 µs

p

= f (VF)

OHF00366

λ

OHF00362

I

e

Radiant intensity

---------------- - fIF()=

Ie100mA

Single pulse, t

10

Ι

e

Ι

e (100 mA)

10

10

10

10

= 20 µs

p

2

1

0

-1

-2

10

-2

10

-1

Radiation characteristics I

50

60

10

0

rel

OHF00363

Ι

F

= f (ϕ)

Max. permissible forward current

I

= f (TA)

F

120

Ι

F

100

80

60

40

20

0

1.0

0.8

0.6

0

0

20 40 60 80 100 120mA˚C

1

10A

10203040

SFH 4590
SFH 4595

OHF00359

R

= 375 K/W

thjA

T

A

OHF00265

70

-1

10

80

90

-2

10

0V

0.5 1 1.5 2 2.5 3

V

F

100

Permissible pulse power

Duty cycle D = parameter, T

1

10

A

Ι

F

5

t

p

D

=

T

0

10

5

= 25 °C

A

t

p

T

D = 0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

OHF00361

Ι

F

-1

10

-510-4

10

-3

10 1010

-2 -1100

10 101s

t

p

2

0.4

0.2

0

02040 60 80 100 1200.40.60.81.0

Semiconductor Group 6 1998-09-09