Datasheet SFH4580, SFH4585 Datasheet (Siemens)

GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitters (880 nm)

Chip position

4.5

2.7

2.3

Cathode

spacing

2.54 mm

7.5

5.5

3.7

3.3

14.7

13.1

4.5

3.9

3.9

7.7

7.1

2.05

R

1.95

-0.1...0.1

4.8

4.4

2.7

(3.2)

2.4

6.0

5.4

SFH 4580
SFH 4585

(R2.8)

(3.2)

GEO06960

Chip position

4.5

15.5

14.7

4.5

3.9

3.9

7.7

7.1

R

2.05

1.95

4.8

4.4

2.7

2.4

8.0

7.4

Cathode

spacing

2.54 mm

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

(3.2)

(3.2)

6.0

5.4

-0.15...0..15

(R2.8)

GEO06961

Semiconductor Group 1 1998-11-12

SFH 4580

W

●

●

●

●

●

●

A

●

●

s

SFH 4585

esentliche Merkmale

Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
Für Oberflächenmontage geeignet
Gegurtet lieferbar
Gehäusegleich mit Fotodiode SFH 2500/
SFH 2505
Hohe Zuverlässigkeit
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger

nwendungen

IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Features

● Fabricated in a liquid phase epitaxy proces

● Suitable for surface mounting (SMT)

● Available on tape and reel

● Same package as photodiode SFH 2500/

SFH 2505

● High reliability

● Spectral match with silicon photodetectors

Applications

● IR remote control of hi-fi and TV-sets, video

tape recorders, dimmers

● Remote control for steady and varying

intensity

Gehäuse
Package

SFH 4580 on request 5-mm-LED-Gehäuse (T 13/4), klares violettes Epoxy­SFH 4585 on request

Gießharz, Anschlüsse (SFH 4580 gebogen, SFH 4585
gerade) im 2.54-mm-Raster (1/10’’),Kathodenkenn­zeichnung: siehe Maßzeichnung.
5 mm LED package (T 13/4), violet-colored epoxy res­in, solder tabs (SFH 4580 bent, SFH 4585 straight)
lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: see
package outline.

Semiconductor Group 2 1998-11-12

Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings

SFH 4580
SFH 4585

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

Sperrspannung
Reverse voltage

Durchlaßstrom
Forward current

Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0
Surge current

Verlustleistung
Power dissipation

Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge
max. 10 mm
Thermal resistance, lead length between
package bottom and PC-board max. 10 mm

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

j

V

R

I

F

I

FSM

P

tot

R

thJA

Wert
Value

Einheit
Unit

– 55 ... + 100 °C

100 °C

5V

100 mA

2.5 A

200 mW

375 K/W

Semiconductor Group 3 1998-11-12

Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics

SFH 4580
SFH 4585

Bezeichnung
Description

Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission

I

= 100 mA

F

Spektrale Bandbreite bei 50 % von I
Spectral bandwidth at 50 % of I

I

= 100 m A

F

rel

rel

Abstrahlwinkel
Half angle

Aktive Chipfläche
Active chip area

Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area

Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top

Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω

Symbol
Symbol

λ

peak

Wert
Value

Einheit
Unit

880 nm

∆λ 80 nm

ϕ±15 Grad

deg.

A

L × B

× W

L

0.16 mm

0.4 × 0.4 mm

H 4.2 ... 4.8 mm

t

, t

r

f

0.6/0.5 µs

2

Kapazität
Capacitance

V

= 0 V, f = 1 MHz

R

Durchlaßspannung
Forward voltage

I

= 100 mA, tp = 20 ms

F

I

= 1 A, tp = 100 µs

F

Sperrstrom
Reverse current

V

= 5 V

R

Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux

I

= 100 mA, tp = 20 ms

F

Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,

I

= 100 mA

F

Temperature coefficient of Ie or Φe,

I

= 100 mA

F

Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA

C

V
V

I

R

Φ

TC

TC

o

F
F

25 pF

1.50 (≤ 1.8)

3.00 (≤ 3.8)

V
V

0.01 (≤ 1)µA

e

I

V

25 mW

– 0.5 %/K

– 2 mV/K

Semiconductor Group 4 1998-11-12

Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics

SFH 4580
SFH 4585

Bezeichnung
Description

Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA

Strahlstärke
Radiant intensity

I

= 100 mA, tp = 20 ms I

F

Strahlstärke
Radiant intensity

I

= 1 A, tp = 100 µs I

F

Radiation characteristics I

50

60

rel

= f (ϕ)

ϕ

10203040

0

1.0

0.8

0.6

Symbol
Symbol

TC

λ

e min

e typ

OHF00300

Wert
Value

Einheit
Unit

0.25 nm/K

≥ 25 mW/sr

225 mW/sr

70

80

90

100

0.4

0.2

0

02040 60 80 100 1200.40.60.81.0

Semiconductor Group 5 1998-11-12

Relative spectral emission

I

= f (λ)

rel

100

%

Ι

rel

80

OHR00877

Radiant intensity

Ie100 mA

Single pulse, tp = 20 µs

2

10

Ι

e

Ι

(100mA)

e

1

10

SFH 4580
SFH 4585

I

e

= f (IF)

OHR00878

Max. permissible forward current

I

= f (TA)

F

125

Ι

mA

F

100

OHR00880

60

40

20

0

750

800 850 900 950 nm 1000

Forward current

I

= f (VF), single pulse, tp = 20 µs

F

1

10

A

Ι

F

0

10

-1

10

-2

10

-3

10

0123456V8

λ

OHR00881

V

F

0

10

-1

10

-2

10

-3

10

0

10 10110

2

3

104mA

10

Ι

F

Permissible pulse handling capability

IF= f (τ), TA = 25 °C,
duty cycle D = parameter

Ι

F

OHR00886

t

p

2

4

10

mA

Ι

F

D

0.005=

0.01

0.02

3

10

0.05

0.1

0.2

0.5
DC

2

10

t

p

t

p

D

=

T

1

10

-5

10 s

10-410-310-210-110010110

T

75

50

25

0

0 20 40 60 80 100˚C

T

Forward current versus lead length
between the package bottom and the
PC-board I

120

mA

Ι

100

F

= f (I), TA = 25 °C

F

OHR00949

80

60

40

20

0

0 5 10 15 20 25 mm 30

Semiconductor Group 6 1998-11-12