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GaAs-IR-Lumineszenzdioden (950 nm)
GaAs Infrared Emitters (950 nm)
Chip position
4.5
2.7
2.3
7.5
5.5
3.7
3.3
14.7
13.1
3.9
2.05
R
1.95
-0.1...0.1
4.8
4.4
2.7
(3.2)
2.4
6.0
5.4
SFH 4510
SFH 4515
(R2.8)
(3.2)
GEO06968
spacing
2.54 mm
Cathode/
Collector
spacing
2.54 mm
Cathode/
Collector
4.5
3.9
7.7
7.1
Chip position
4.5
8.0
7.4
3.9
15.5
14.7
4.5
3.9
7.7
7.1
2.05
1.95
SFH 4510
2.7
2.4
4.4
4.8
-0.15...0.15
SFH 4515
(3.2)
(R2.8)R
(3.2)
6.0
5.4
GEO06969
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Semiconductor Group 1 1998-11-12
Page 2
SFH 4510
W
●
●
●
●
●
●
A
●
●
s
SFH 4515
esentliche Merkmale
Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
Für Oberflächenmontage geeignet
Gegurtet lieferbar
Gehäusegleich mit Fotodiode SFH 2500/
SFH 2505 und Fototransistor SFH 3500/
SFH 3505
Hohe Zuverlässigkeit
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
nwendungen
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Features
● Fabricated in a liquid phase epitaxy proces
● Suitable for surface mounting (SMT)
● Available on tape and reel
● Same package as photodiode SFH 2500/
SFH 2505 and phototransistor SFH 3500/
SFH 3505
● High reliability
● Spectral match with silicon photodetectors
Applications
● IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
● Remote control for steady and varying
intensity
Gehäuse
Package
SFH 4510 Q62702-P1798 5-mm-LED-Gehäuse (T 13/4), schwarzes EpoxySFH 4515 Q62702-P1821
Gießharz, Anschlüsse (SFH 4510 gebogen, SFH 4515
gerade) im 2.54-mm-Raster (1/10’’),Kathodenkennzeichnung: siehe Maßzeichnung.
5 mm LED package (T 13/4), black-colored epoxy resin, solder tabs (SFH 4510 bent, SFH 4515 straight)
lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: see
package outline.
Semiconductor Group 2 1998-11-12
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Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
SFH 4510
SFH 4515
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je
20 mm
2
Thermal resistance junction - ambient
mounted on PC-board (FR4), padsize 20 mm
each
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
j
V
R
I
(DC) 100 mA
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
2
Wert
Value
– 40 ... + 85 °C
85 °C
5V
3A
150 mW
300 K/W
Einheit
Unit
Semiconductor Group 3 1998-11-12
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Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
SFH 4510
SFH 4515
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
= 100 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50 % von I
Spectral bandwidth at 50 % of I
I
= 100 mA
F
max
max
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Kapazität
Capacitance
V
= 0 V, f = 1 MHz
R
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
I
= 1 A, tp = 100 µs
F
Sperrstrom
Reverse current
V
= 5 V
R
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
Einheit
Unit
950 nm
∆λ 55 nm
ϕ±14 Grad
deg.
A
L × B
× W
L
t
, t
r
f
C
o
V
F
V
F
I
R
Φ
e
0.09 mm
0.3 × 0.3 mm
0.5 µs
25 pF
1.30 (≤ 1.5)
2.30 (≤ 2.8)
V
V
0.01 (≤ 1)µA
22 mW
2
Semiconductor Group 4 1998-11-12
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Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
SFH 4510
SFH 4515
Bezeichnung
Description
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
I
= 100 mA
F
Symbol
Symbol
TC
Temperature coefficient of Ie or Φe,
I
= 100 mA
F
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
TC
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA
Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA
TC
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA
Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.001 sr
Grouping of radiant intensity Ie in axial direction
at a solid angle of Ω = 0.001 sr
Bezeichnung
Description
Strahlstärke
Radiant intensity
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
Strahlstärke
Symbol
Symbol
I
e typ
I
e min
I
e typ
Radiant intensity
I
= 1 A, tp = 100 µs
F
Wert
Value
I
V
λ
– 0.5 %/K
– 2 mV/K
0.3 nm/K
Wert
Value
50
≥ 25
Einheit
Unit
Einheit
Unit
mW/sr
mW/sr
450 mW/sr
Semiconductor Group 5 1998-11-12
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Relative spectral emission
I
= f (λ)
rel
100
%
Ι
rel
80
60
40
20
OHRD1938
Radiant intensity
Ie100 mA
Single pulse, tp = 20 µs
2
10
A
Ι
e
Ι
e 100 mA
1
10
0
10
-1
10
SFH 4510
SFH 4515
I
e
= f (IF)
OHR01551
Max. permissible forward current
I
= f (TA)
F
120
mA
Ι
F
OHF00387
100
80
60
40
20
0
880 920 960 1000
Forward current
I
= f (VF), single pulse, tp = 20 µs
F
1
10
A
Ι
F
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
0123456V8
Radiation characteristics I
50
rel
nm
λ
OHR01554
V
F
= f (ϕ)
1060
-2
10
-3
10
-2
10-110010110A
Permissible pulse handling capability
IF= f (τ), TA = 25 °C,
duty cycle D = parameter
4
10
mA
Ι
F
5
D
0.005
=
D
t
p
t
p
=
T
T
0.01
0.02
10
3
5
0.1
0.2
0.05
0.5
DC
2
10
-410-310-210-1100101102
-5
10
10203040
0
1.0
Ι
F
OHR00860
Ι
F
t
p
10s
OHF00265
0
0
20 40 60 80 100 120
˚C
T
A
0.8
60
70
80
90
100
0.6
0.4
0.2
0
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
Semiconductor Group 6 1998-11-12
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