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GaAs-IR-Lumineszenzdioden
GaAs Infrared Emitters
Cathode
SFH 415
SFH 416
29
27
1.8
1.2
spacing
2.54mm
0.6
0.4
Area not flat
Chip position
Approx. weight 0.2 g
0.6
0.4
spacing
2.54 mm
Cathode (Diode)
Collector (Transistor)
Approx. weight 0.4 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
1.8
1.2
29.5
27.5
0.4
Area not flat
0.8
0.4
9.0
8.2
7.8
7.5
0.8
4.8
4.2
6.9
6.1
5.7
5.5
4.0
3.4
Chip position
ø5.1
ø4.8
ø5.1
ø4.8
5.9
5.5
0.6
0.4
GEO06645
5.9
5.5
0.6
0.4
GEX06630
fexf6626
fex06630
Wesentliche Merkmale
● GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt
im Schmelzepitaxieverfahren
● Gute Linearität (I
● Sehr hoher Wirkungsgrad
● Hohe Zuverlässigkeit
● Hohe Impulsbelastbarkeit
● SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
= f [IF]) bei hohen Strömen
e
SFH 203
Anwendungen
● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
● Gerätefernsteuerungen
Features
● GaAs infrared emitting diodes, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
● Good linearity (I
● High efficiency
● High reliability
● High pulse handling capability
● SFH 415: Same package as SFH 300,
= f [IF]) at high currents
e
SFH 203
Applications
● IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
● Remote control of various equipment
Semiconductor Group 1 1997-11-01
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SFH 415
SFH 416
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
SFH 415 Q62702-P296 5-mm-LED-Gehäuse (T 1
SFH 415-T Q62702-P1136
schluß im 2.54-mm-Raster (1/10’’),
Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß
SFH 415-U Q62702-P1137
SFH 416-R Q62702-P1139
5 mm LED package (T 13/4), black-colored epoxy resin
lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode
marking: short lead
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
Wert
Value
– 55 ... + 100 °C
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
T
j
100 °C
Junction temperature
Sperrspannung
V
R
5V
Reverse voltage
3
/4), schwarz eingefärbt, An-
Einheit
Unit
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
t
= 10 µs, D = 0
p
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
I
I
P
R
F
FSM
tot
thJA
100 mA
3A
165 mW
450 K/W
Semiconductor Group 2 1997-11-01
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Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
SFH 415
SFH 416
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
Spectral bandwidth at 50 % of I
I
= 100 m A
F
max
I
max
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 415
SFH 416
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
SFH 415
SFH 416
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
Einheit
Unit
950 nm
∆λ 55 nm
ϕ
ϕ
A
L × B
L
× W
H
H
± 17
± 28
Grad
deg.
0.09 mm
0.3 × 0.3 mm
4.2 ... 4.8
3.4 ... 4.0
mm
mm
2
Schaltzeiten, I
von 10 % auf 90 % und von
e
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Kapazität
Capacitance
V
= 0 V, f = 1 MHz
R
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
I
= 1 A, tp = 100 µs
F
Sperrstrom
Reverse current
V
= 5 V
R
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
t
C
V
V
I
Φ
, t
r
f
o
F
F
R
e
0.5 µs
25 pF
1.3 (≤ 1.5)
2.3 (≤ 2.8)
V
V
0.01 (≤ 1)µA
22 mW
Semiconductor Group 3 1997-11-01
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SFH 415
SFH 416
Kennwerte (
T
= 25 °C)
A
Characteristics
Bezeichnung
Description
Temperaturkoeffizient von I
I
= 100 mA
F
bzw. Φe,
e
Symbol
Symbol
TC
Temperature coefficient of Ie or Φe,
I
= 100 mA
F
V
Temperaturkoeffizient von
, IF = 100 mA
F
TC
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA
Temperaturkoeffizient von λ,
= 100 mA
F
TC
I
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA
Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping of radiant intensity Ie in axial direction
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
I
V
λ
Werte
Values
Wert
Value
Einheit
Unit
– 0.5 %/K
– 2 mV/K
+ 0.3 nm/K
Einheit
Unit
Strahlstärke
Radiant intensity
I
= 100 mA,
F
t
= 20 ms
p
Strahlstärke
Radiant intensity
I
= 1 A,
F
t
= 100 µs
p
I
e min
I
e max
I
e typ.
SFH
415
≥ 25
–
SFH
415-T
25
50
SFH
415-U
> 40
–
SFH
416-R
> 10
–
mW/sr
mW/sr
– 380 600 150 mW/sr
Semiconductor Group 4 1997-11-01
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Relative spectral emission
I
= f (λ)
rel
100
%
Ι
rel
80
60
40
20
0
880 920 960 1000
Forward current
I
= f (VF), single pulse, tp = 20 µs
F
1
10
A
Ι
F
0
10
OHRD1938
nm
λ
OHR01554
1060
I
e
Radiant intensity
t
Single pulse,
2
10
A
Ι
e
Ι
e 100 mA
1
10
0
10
-1
10
-2
10
10
= 20 µs
p
-3
10-110010110A
Ie100 mA
-2
= f (IF)
OHR01551
Ι
F
Radiation characteristics SFH 415 I
40 30 20 10
50
Max. permissible forward current
I
= f (TA)
F
120
Ι
F
100
80
60
40
20
0
0
20 40 60 80 100 120mA˚C
= f (ϕ)
rel
0
ϕ
1.0
0.8
SFH 415
SFH 416
OHR00883
= 450 K/W
R
thjA
T
A
OHR01552
-1
10
-2
10
-3
10
1 2 3 4 V 5
V
F
Radiation characteristics SFH 416 I
ϕ
50˚
60˚
70˚
80˚
rel
= f (ϕ)
0˚10˚20˚30˚40˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
60
70
80
90
100
OHR01553
0.6
0.4
0.2
20 40 60 80 100 1200.40.60.81.0
0
Permissible pulse handling capability
I
= f (τ), TC = 25 °C,
F
duty cycle D = parameter
4
10
mA
Ι
F
5
D
=
0.005
t
p
D
=
T
0.01
0.02
10
3
5
0.1
0.2
0.05
OHR00860
t
p
Ι
F
T
90˚
0
0.5
100˚
0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚0.40.60.81.0
10
DC
2
-5
-410-310-210-1100101102
10
10s
t
p
Semiconductor Group 5 1997-11-01
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