Datasheet SFH400-3, SFH401-2, SFH401-3, SFH402, SFH402-2 Datasheet (Siemens)

GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter

SFH 400
SFH 401
SFH 402

Chip position

ø4.8

ø4.6

5.3

5.0

7.4

6.6

Approx. weight 0.5 g

ø0.45

spacing

2.54 mm

welded

(2.7)

14.5

12.5

Cathode (SFH 480)
Anode

(SFH 216, SFH 231,

SFH 400)

ø0.45

14.5

12.5

(2.7)

Chip position

ø4.8

5.3

5.0

6.4

5.6

glass
lens

spacing

2.54mm

ø4.6

0.9

0.9

1.1

1.1

Radiant
Sensitive area

1.1

0.9

GEO06314

Anode
Cathode

1.1

= SFH 481
= SFH 401

0.9

ø5.6
ø5.3

GET06091

ø5.6

ø5.3

(package)

fet06090fet06091fet06092

Approx. weight 0.35 g

5.5

5.0

Chip position

Cathode (SFH 402, BPX 65)
Anode (SFH 482)

Approx. weight 0.5 g

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

(2.7)

ø0.45

14.5

12.5

5.3

5.0

Radiant sensitive area

1.1

0.9

1.1

0.9

ø4.8

ø4.6

ø5.6
ø5.3

2.54

spacing

GET06013

Semiconductor Group 1 1998-04-16

SFH 400,
SFH 401, SFH 402

Wesentliche Merkmale

● Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren

● Kathode galvanisch mit dem

Gehäuseboden verbunden

● Hohe Zuverlässigkeit

● SFH 400: Gehäusegleich mit SFH 216

● SFH 401: Gehäusegleich mit

BPX 43, BPY 62

● SFH 402: Gehäusegleich mit BPX 38,

BPX 65

Anwendungen

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● IR-Fernsteuerungen

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Features

● Fabricated in a liquid phase epitaxy process

● Cathode is electrically connected to the case

● High reliability

● SFH 400: Same package as SFH 216

● SFH 401: Same package as

BPX 43, BPY 62

● SFH 402: Same package as BPX 38,

BPX 65

Applications

● Photointerrupters

● IR remote control

● Industrial electronics

● For drive and control circuits

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Gehäuse
Package

SFH 400 Q62702-P96 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Glaslinse, hermetisch dichtes
SFH 400-3 Q62702-P784
SFH 401-2 Q62702-P786
SFH 401-3 Q62702-P787

Gehäuse, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’)
18 A3 DIN 41876 (TO-18) glass lens, hermetically

sealed package, solder tabs lead spacing 2.54 mm
(1/10’’)

SFH 402 Q62702-P98
SFH 402-3 Q62702-P790
SFH 402-2 on request

Semiconductor Group 2 1998-04-16

Grenzwerte (TC = 25 °C)
Maximum Ratings

SFH 400,
SFH 401, SFH 402

Bezeichnung
Description

SFH 401:
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

SFH 400, SFH 402:
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

Sperrspannung
Reverse voltage

Durchlaßstrom
Forward current

Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0
Surge current

Verlustleistung
Power dissipation

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

; T

op

stg

T

j

V

R

I

F

I

FSM

P

tot

Wert
Value

Einheit
Unit

– 55 ... + 100 °C

– 55 ... + 125 °C

100 °C

5V

300 mA

3A

470 mW

Wärmewiderstand
Thermal resistance

Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics

Bezeichnung
Description

Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission

I

= 100 mA, tp = 20 ms

F

Spektrale Bandbreite bei 50 % von I
Spectral bandwidth at 50 % of I

I

= 100 mA, tp = 20 ms

F

max

Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 400
SFH 401
SFH 402

Aktive Chipfläche
Active chip area

max

R

thJA

R

thJC

Symbol
Symbol

λ

peak

450
160

Wert
Value

K/W
K/W

Einheit
Unit

950 nm

∆λ 55 nm

ϕ
ϕ
ϕ

A

± 6
± 15
± 40

Grad
deg.

0.25 mm

2

Semiconductor Group 3 1998-04-16

Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics

SFH 400,
SFH 401, SFH 402

Bezeichnung
Description

Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area

Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
SFH 400
SFH 401
SFH 402

Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω

Kapazität
Capacitance

V

= 0 V, f = 1 MHz

R

Durchlaßspannung
Forward voltage

I

= 100 mA, tp = 20 ms

F

I

= 1 A, tp = 100 µs

F

Sperrstrom
Reverse current

V

= 5 V

R

Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux

I

= 100 mA, tp = 20 ms

F

Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,

I

= 100 mA

F

Temperature coefficient of Ie or Φe,

I

= 100 mA

F

Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA

Symbol
Symbol

L × B

× W

L

H
H
H

t

, t

r

f

C

o

V

F

V

F

I

R

Φ

e

TC

I

TC

V

Wert
Value

Einheit
Unit

0.5 × 0.5 mm

4.0 ... 4.8

2.8 ... 3.7

2.1 ... 2.7

mm
mm
mm

1 µs

40 pF

1.30 (≤ 1.5)

1.90 (≤ 2.5)

V
V

0.01 (≤ 1)µA

8mW

– 0.55 %/K

– 1.5 mV/K

Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA

TC

λ

+ 0.3 nm/K

Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA

Semiconductor Group 4 1998-04-16

Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung

gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr

Grouping of radiant intensity Ie in axial direction

at a solid angle of Ω = 0.01 sr

SFH 400,
SFH 401, SFH 402

Bezeichnung
Description

Strahlstärke
Radiant intensity

I

= 100 mA, tp = 20 ms

F

Strahlstärke
Radiant intensity

I

= 1 A, tp = 100 µs I

F

Symbol
Symbol

I

e min

I

e max

e typ.

SFH
400

20
–

SFH
400-3

32
–

SFH
401-2

10
20

Wert

Value

SFH
401-3

16
–

SFH
402

2.5
–

SFH
402-2

2.5
–

SFH
402-3

4
–

Einheit
Unit

mW/sr
mW/sr

300 320 120 190 40 40 40 mW/sr

Semiconductor Group 5 1998-04-16

SFH 400,
SFH 401, SFH 402

Radiation characteristics, SFH 400 I

10203040

ϕ

50

60

70

80

90

100

Radiation characteristics, SFH 401 I

10203040

ϕ

50

rel

rel

= f (ϕ)

0

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

02040 60 80 100 1200.40.60.81.0

= f (ϕ)

0

1.0

0.8

OHR01883

OHR01884

60

70

80

90

100

Radiation characteristics, SFH 402 I

10203040

φ

50

60

70

80

rel

0.6

0.4

0.2

0

02040 60 80 100 1200.40.60.81.0

= f (ϕ)

0

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

OHR01885

90

100

0

02040 60 80 100 1200.40.60.81.0

Semiconductor Group 6 1998-04-16

Relative spectral emission

I

= f (λ)

rel

100

%

Ι

rel

80

60

OHRD1938

Radiant intensity

t

2

1

= 20 µs

p

Single pulse,

10

Ι

e

Ι

(100 mA)

e

10

I

e

Ie100 mA

= f (IF)

OHR01037

SFH 400,
SFH 401, SFH 402

Max. permissible forward current
SFH 401, I

350

mA

Ι

F

300

250

200

= f (TA)

F

R

thJC

OHR00486

= 160 K/W

40

20

0

880 920 960 1000

Forward current, I

Single pulse,

1

10

A

Ι

F

0

10

-1

10

t

= 20 µs

p

typ.

= f (VF)

F

max.

nm

λ

OHR01040

1060

0

10

-1

10

-2 -1

10

10

0

10 A 10

Ι

F

Permissible pulse handling capability

I

= f (τ), TC = 25 °C,

F

R

= 160 K/W, duty cycleD = parameter

thJC

4

10

mA

Ι

F

5

0.2

3

10

t

P

=

D

T

0.5

5

DC

t

P

T

D =

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

OHR01937

Ι

F

150

= 450 K/W

R

thJA

100

50

1

0

0 20 40 60 80 100˚C

Max. permissible forward current
SFH 400, SFH 402, I

350

mA

Ι

F

300

250

200

150

R

thJA

100

50

F

R

thJC

= 450 K/W

= f (TA)

= 160 K/W

T

,

T

A

C

OHR00395

-2

10

1

1.5 2 2.5 33.54 4.5

V

V

F

10

2

10

-5

10-410-310

-2

0

s

10

τ

0

0 ˚C

20 40 60 80 100 130

T

,

T

A

C

Semiconductor Group 7 1998-04-16