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NPN Silizium Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Chip position
4.5
2.7
2.3
7.5
5.5
3.7
3.3
14.7
13.1
3.9
2.05
R
1.95
-0.1...0.1
4.8
4.4
2.7
2.4
SFH 3500/FA
SFH 3505/FA
(3.2)
(R2.8)
(3.2)
6.0
5.4
GEO06968
spacing
2.54 mm
Cathode/
Collector
spacing
2.54 mm
Cathode/
Collector
4.5
3.9
7.7
7.1
Chip position
4.5
8.0
7.4
3.9
15.5
14.7
4.5
3.9
7.7
7.1
2.05
1.95
SFH 3500/FA
(3.2)
2.4
6.0
5.4
-0.15...0.15
4.8
2.7
4.4
SFH 3505/FA
(R2.8)R
(3.2)
GEO06969
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Semiconductor Group 1 1998-11-12
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SFH 3500/FA
SFH 3505/FA
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 450 nm bis 1060 nm (SFH 3500/3505) und
bei 880 nm (SFH 3500 FA/3505 FA)
● Hohe Empfindlichkeit
● Auf PCB aufsetzbar (SFH 3500/FA) oder in
PCB einlegbar (SFH 3505/FA)
● Passend zu IRED SFH 451x, SFH 458x
● Für Oberflächenmontage (SMT) geeignet
● Gegurtet lieferbar
Anwendungen
● Fertigungs- und Kontrollanwendungen der
Industrie
● “Messen/Steuern/Regeln”
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
Features
● Especially suitable for applications from
450 nm to 1060 nm (SFH 3500/3505) and of
880 nm (SFH 3500 FA/3505 FA)
● High sensitivity
● For mounting on pcb (SFH 3500/FA) or in
pcb (SFH 3505/FA)
● Matches IRED SFH 451x, SFH 458x
● Suitable for surface mounting (SMT)
● Available on tape and reel
Applications
● A variety of manufacturing and monitoring
applications
● For control and drive circuits
● Photointerrupters
SFH 3500 Q62702-P5031 5-mm-LED-Gehäuse (T 13/4), klares (SFH 3500/3505) und
SFH 3505 Q62702-P5050
schwarz eingefärbtes (SFH 3500 FA/3505 FA) EpoxyGießharz, Anschlüsse (SFH 3500/3500 FA gebogen,
SFH 3500 FA Q62702-P5032
SFH 3505 FA Q62702-P5051
SFH 3505/3505 FA gerade) im 2.54-mm-Raster (1/10’’),
Kathodenkennzeichnung: siehe Maßzeichnung.
5 mm LED package (T 13/4), clear (SFH 3500/3505) and
black-colored (SFH 3500 FA/3505 FA) epoxy resin, solder
tabs (SFH 3500/3500 FA bent, SFH 3505/3505 FA straight)
lead spacing 2.54 mm (1/10’’),
cathode marking: see package outline.
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 85 °C
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
V
CE
35 V
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
I
C
50 mA
Collector current
Semiconductor Group 2 1998-11-12
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Grenzwerte
Maximum Ratings (cont’d)
SFH 3500/FA
SFH 3505/FA
Bezeichnung
Description
Kollektorspitzenstrom, τ =10 µs
Collector surge current
Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Symbol
Symbol
I
CS
V
EC
P
tot
R
thJA
Symbol
Symbol
λ
S max
Wert
Value
Einheit
Unit
100 mA
7V
150 mW
400 K/W
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 350x SFH 350x FA
830 860 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S=10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S=10% of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der Chip-Fläche
Dimensions of chip area
Halbwinkel
Half angle
Kapaziät, VCE= 5 V,f = 1 MHz,E = 0
Capacitance
Dunkelstrom, VCE= 20 V
Dark current
λ 450 ... 1060 740 ... 1070 nm
A 0.55 0.55 mm
L x B
x W
L
ϕ±13 Grad
C
CE
I
CE0
1.00 x 1.00 mm x mm
deg.
10 pF
3 (< 200) nA
2
Semiconductor Group 3 1998-11-12
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SFH 3500/FA
SFH 3505/FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Fotostrom
Photocurrent
E
= 0.5 mW/cm2,
e
V
= 5 V, λ = 950 nm
CE
SFH 3500/05:
E
= 1000 lx, Normlicht/
v
stand. light A, VCE = 5 V
Anstiegs- und Abfallzeit
Rise and fall time
R
= 1 kΩ, VCC= 5 V,
L
λ = 950 nm, IC = 1 mA
Kollektor-EmitterSättigungsspannung
Collector-emitter
saturation voltage
PCE min
1)
x 0.3,
2
I
= I
C
E
= 0.5 mW/cm
e
Symbol
Symbol
I
PCE
t
r,tf
V
CEsat
Wert
Value
-1 -2 -3 -4 -5
Einheit
Unit
mA
1.0 ... 2.0
5.4
1.6 ... 3.2
8.6
2.5 ... 5.0
13.5
4.0 ... 8.0
21.5
6.3 ... 12.5
34.0
10 12 14 17 20 µs
150
(< 200)
150
(< 200)
150
(< 200)
150
(< 200)
150
(< 200)
mV
1)
I
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
PCEmin
1)
I
is the min. photocurrent of the specified group.
PCEmin
Photocurrent I
9
mA
Ι
PCE
8
7
6
5
4
3
2
1
0
5
0
= f (VCE), Ee = parameter
PCE
OHF00385
2
1.0 mW/cm
2
0.5 mW/cm
0.25 mW/cm
0.1 mW/cm
10 15 20 25 30 35
2
2
V
CE
Semiconductor Group 4 1998-11-12
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SFH 3500/FA
SFH 3505/FA
Relative spectral sensitivity
S
= f (λ), SFH 3500/3505
rel
100
S
rel
%
80
70
60
50
40
30
20
10
0
400
500 600 700 800 900 nm 1100
Relative spectral sensitivity
S
= f (λ), SFH 3500 FA/3505 FA
rel
100
S
rel
%
80
60
40
20
0
400 600 800 1000 1200
Photocurrent I
2
10
mA
Ι
PCE
= f (Ee), VCE = 5 V
PCE
OHF02332
λ
OHF02331
nm
λ
OHF00346
Total power dissipation
P
= f (TA)
tot
160
mW
P
tot
140
120
100
80
60
40
20
0
0
20 40 60 80 ˚C 100
Photocurrent
I
/ I
PCE
Ι
PCE
Ι
25
PCE
Dark current
I
= f (VCE), E = 0
CE0
Ι
CEO
10
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
nA
PCE25
0
-25
2
°= f (T
), VCE = 5 V
A
0 25 50 75 100
OHF00958
T
A
OHF01524
C
T
A
OHF00384
Dark current
I
= f (TA), VCE = 20 V, E = 0
CE0
2
10
nA
Ι
CEO
1
10
0
10
-1
10
-2
10
0
20 40 60 80 100˚C
Directional characteristics
S
= f (ϕ)
rel
100
S
rel
%
80
70
60
50
40
30
20
10
0
-90
-60 -30 0 30 60 90˚
Capacitance
C
= f (VCE), f = 1 MHz, E = 0
CE
18
pF
C
CE
16
OHF02342
T
A
OHF00350
ϕ
OHF00349
1
10
0
10
-1
10
-2
10
-3 -2
10
1
5
4
3
2
1
10
10
-1
0
2
10mW/cm
E
e
10
0
10
-1
10
-2
10
0
5 10 15 20 25 30 35V
V
CE
14
12
10
8
6
4
2
0
-2
10
-1
10010110210
V
V
CE
Semiconductor Group 5 1998-11-12
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