Datasheet SFH3400, SFH3400-2, SFH3400-3 Datasheet (Siemens)

NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor

Chip position

0.2

4.8

4.4

2.7

2.5

0.3

0.1

notActive area
connected

0.5

0.3

EmitterCollector

0.0

0.9

1.1

2.1

GEO06953

0.55

1.1

0.7

0.3

0.8

1.0

0.6

SFH 3400

1.9

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 460 nm bis 1080 nm

● Hohe Linearität

● SMT-Bauform ohne Basisanschluß,

geeignet für Vapor Phase-Löten und
IR-Reflow-Löten (JEDEC level 4)

● Nur gegurtet lieferbar

Anwendungen

● Umgebungslicht-Detektor

● Lichtschranken für Gleich- und Wechsel-

lichtbetrieb

● Industrieelektronik

● „Messen/Steuern/Regeln“

Features

● Especially suitable for applications from

460 nm to 1080 nm

● High linearity

● SMT package without base connection,

suitable for vapor phase and IR reflow
soldering (JEDEC level 4)

● Available only on tape and reel

Applications

● Ambient light detector

● Photointerrupters

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

Semiconductor Group 1 1998-04-27

SFH 3400

Typ
Type

SFH 3400 Q62702-P1796 Klares Epoxy-Gieβharz, Kollektorkennzeichung:

SFH 3400-2 Q62702-P1103
SFH 3400-3 Q62702-P1805

Grenzwerte
Maximum Ratings

Bestellnummer
Ordering Code

Gehäuse
Package

breiter Anschluß
Transparent epoxy resin, collector marking: broad

lead

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage

Kollektor-Emitterspannung,

t

< 120 s

Collector-emitter voltage
Kollektorstrom

Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs

Collector surge current
Emitter-Kollektorspannung

Emitter-collector voltage
Verlustleistung, T

= 25 °C

A

Total power dissipation
Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board

Thermal resistance for mounting on pcb

Symbol
Symbol

; T

T

op

stg

V

CE

V

CE

I

C

I

CS

V

EC

P

tot

R

thJA

Wert
Value

– 40 ... + 85

Einheit
Unit

o

C

20 V

70 V

50 mA

100 mA

7V

120 mW

450 K/W

Semiconductor Group 2 1998-04-27

Kennwerte (TA = 25 oC, λ = 950 nm)
Characteristics

SFH 3400

Bezeichnung
Description

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10% von

S

max

Spectral range of sensitivity

S = 10% of

S

max

Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area

Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface

Halbwinkel
Half angle

Kapazität, V

= 0 V, f = 1 MHz, E = 0

CE

Capacitance

Symbol
Symbol

λ

S max

Wert
Value

Einheit
Unit

850 nm

λ 460 ... 1080 nm

A

L x B

0.55 mm

1 x 1 mm x mm

L x W
H 0.2 ... 0.3 mm

ϕ±60 Grad

deg.

C

CE

15 pF

2

Dunkelstrom
Dark current

V

= 10 V, E = 0

CE

I

CEO

10 (≤ 200) nA

Semiconductor Group 3 1998-04-27

SFH 3400

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.

Bezeichnung
Description

Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent

= 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V

E

e

E

= 1000 Ix, Normlicht/standard

v

light A, V

CE

= 5 V

Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time

= 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ

I

C

Kollektor-Emitter-

Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage

= I

I

C

PCEmin

E

= 0.1 mW/cm

e

1)

I

PCEmin

1)

I

PCEmin

1)

x 0.3,

2

ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
is the min. photocurrent of the specified group

Symbol
Symbol

I

PCE

I

PCE

t

r, tf

V

CEsat

Wert
Value

Einheit
Unit

-1 -2 -3

63 ... 125

1.65

100 ... 200

2.6

160 ... 320

4.2

µA

mA

16 24 34 µs

170 170 170 mV

Directional characteristics S

40 30 20 10

50

60

70

80

90

100

= f (ϕ)

rel

0

ϕ

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

20 40 60 80 100 1200.40.60.81.0

0

OHF01402

Semiconductor Group 4 1998-04-27

T

= 25 oC, λ = 950 nm

A

Rel.spectral sensitivity S

100

S

rel

%
80
70
60
50
40
30
20
10

0

400

500 600 700 800 900 nm 1100

= f (λ)

rel

OHF02332

λ

Photocurrent I

1

10

mA

Ι

pce

0

10

-1

10

-2

10

-3

10

-4

10

-3

10

PCE

-2

= f (Ee), V

1
2
3

mW/cm10

= 5 V

CE

OHF00326

2

10

E

e

SFH 3400

Collector-emitter capacitance

= f (VCE), f = 1 MHz

C

CE

50

C

CE

pF

40

30

20

10

0

0

-2 -1

10

10010110 102V

OHF02344

V

CE

Photocurrent I

= 5 V, normalized to 25 °C

V

CE

1.6

Ι

PCE

Ι

PCE

25

1.4

PCE

= f (TA),

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

-25

0 25 50 75 100

Photocurrent I

= f (VCE)

PCE

3.0

mA

Ι

pce

2.5

1.0 mW/cm

2.0

OHF01524

T

A

OHF00327

2

Dark current

= f (T

I

CEO

Ι

CEO

A

2

10

nA

1

10

0

10

), VCE = 10 V, E = 0

OHF02342

Total power dissipation

= f (T

140

mW

120

100

80

)

A

P

tot

P

tot

OHF00309

60

-1

10

-2

10

0

C

20 40 60 80 100˚C

T

A

Dark current I

2

10

nA

Ι

CEO

1

10

= f (VCE), E = 0

CEO

OHF02341

40

20

0

0

20 40 60 80 C 100

T

A

1.5

0.5 mW/cm

2

10

0

1.0

-1

0.25 mW/cm

0.5

0.1 mW/cm

0

01020 30 40 50 60 70V

2

2

V

ce

10

-2

10

0

10 20 30 40 50 70V

V

CE

Semiconductor Group 5 1998-04-27