Datasheet SFH325, SFH325-3, SFH325-4, SFH325FA, SFH325FA-3 Datasheet (Siemens)

SFH 325
SFH 325 FA

NPN-Silizium-Fototransistor im
SMT SIDELED-Gehäuse

Silicon NPN Phototransistor in
SMT SIDELED-Package

SFH 325
SFH 325 FA

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 380 nm bis 1150 nm
(SFH 325) und bei 880 nm (SFH 325 FA)

● Hohe Linearität

● P-LCC-2 Gehäuse

● Gruppiert lieferbar

● nur für Reflow IR-Lötung geeignet. Bei

Schwallötung wenden Sie sich bitte an uns.

Anwendungen

● Miniaturlichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Lochstreifenleser

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Features

● Especially suitable for applications from

380 nm to 1150 nm (SFH 325) and of
880 nm (SFH 325 FA)

● High linearity

● P-LCC-2 package

● Available in groups

● Suitable only for reflow IR soldering. In case

of dip soldering, please contact us first.

Applications

● Miniature photointerrupters

● punched tape readers

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

fplf6867 fpl06867

Semiconductor Group 1

01.97

SFH 325
SFH 325 FA

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Typ (*vorher)
Type (*formerly)

SFH 325 Q62702-P1638 SFH 325 FA

(*SFH 325 F)

SFH 325-3 Q62702-P1610 SFH 325 FA-3

(*SFH 325 F-3)

SFH 325-4 Q62702-P1611 SFH 325 FA-4

(*SFH 325 F-4)

Grenzwerte
Maximum Ratings

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung

V

CE

Collector-emitter voltage
Kollektorstrom

I

C

Collector current

Bestellnummer
Ordering Code

Q62702-P1639

Q62702-P1614

Q62702-P1615

Wert
Value

Einheit
Unit

– 55 ... + 100 °C

35 V

15 mA

Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current

T

Verlustleistung,

= 25 °C

A

Total power dissipation
Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board

Thermal resistance for mounting on pcb

I

CS

P

tot

R

thJA

75 mA

165 mW

450 K/W

Semiconductor Group 2

Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics

SFH 325
SFH 325 FA

Bezeichnung
Description

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10 % von S

max

Spectral range of sensitivity

S = 10 % of S

max

Bestrahlungsempfindliche Fläche (∅ 240 µm)
Radiant sensitive area

Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober­fläche
Distance chip front to case surface

Halbwinkel
Half angle

Symbol
Symbol

Wert

Value

Einheit
Unit

SFH 325 SFH 325 FA

λ

S max

860 900 nm

λ 380 ... 1150 730 ... 1120 nm

A 0.045 0.045 mm

L × B
L

× W

H

ϕ±60 ± 60 Grad

0.45 × 0.45 0.45 × 0.45 mm × mm

0.5 ... 0.7 0.5 ... 0.7 mm

deg.

2

Kapazität,

V

Capacitance
Dunkelstrom

Dark current

V

= 25 V, E = 0

CE

= 0 V, f = 1 MHz, E = 0

CE

C

I

CE

CEO

5.0 5.0 pF

1 (≤ 200) 1 (≤ 200) nA

Semiconductor Group 3

SFH 325
SFH 325 FA

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.

Bezeichnung
Description

Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent

E

= 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V

e

SFH 325:

E

= 1000 Ix, Normlicht/standard

v

light A, VCE = 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit

Rise and fall time

I

= 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ

C

Kollektor-Emitter­Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage

I

= I

C

E

= 0.1 mW/cm

e

1)

I

PCEmin

1)

I

PCEmin

1)

PCEmin

× 0.3,

2

ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
is the min. photocurrent of the specified group

Symbol
Symbol

I

PCE

I

PCE

t

, t

r

f

V

CEsat

SFH

Wert

Value

-2 -3 -4

Einheit
Unit

325/FA

≥ 16 16 ... 32

420

25 ... 50

650

≥ 40

1000

µA

µA

7678µs

150 150 150 150 mV

Directional characteristics S

rel

= f (ϕ)

Semiconductor Group 4

SFH 325
SFH 325 FA

Relative spectral sensitivity, SFH 325

S

= f (λ)

rel

Total power dissipation

P

= f (TA)

tot

Relative spectral sensitivity,SFH 325 FA

S

= f (λ)

rel

Photocurrent

I

= f (VCE), Ee = Parameter

PCE

Photocurrent

I

= f (Ee), VCE= 5 V

PCE

Dark current

I

= f (VCE), E = 0

CEO

Dark current

I

= f (TA), VCE= 5 V, E = 0

CEO

Capacitance

C

= f (VCE), f = 1 MHz, E = 0

CE

Semiconductor Group 5

Photocurrent

I

PCE/IPCE25

o

= f (TA), VCE= 5 V