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SFH 320
SFH 320 FA
NPN-Silizium-Fototransistor im
SMT TOPLED-Gehäuse
Silicon NPN Phototransistor in
SMT TOPLED-Package
SFH 320
SFH 320 FA
fpl06724fplf6724
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 380 nm bis 1150 nm
(SFH 320) und bei 880 nm (SFH 320 FA)
● Hohe Linearität
● P-LCC-2 Gehäuse
● Gruppiert lieferbar
● für alle Lötverfahren geeignet
Anwendungen
● Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● Lochstreifenleser
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Features
● Especially suitable for applications from
380 nm to 1150 nm (SFH 320) and of
880 nm (SFH 320 FA)
● High linearity
● P-LCC-2 package
● Available in groups
● Suitable for all soldering methods
Applications
● Miniature photointerrupters
● punched tape readers
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
Semiconductor Group 1
01.97
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SFH 320
SFH 320 FA
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
SFH 320 Q62702-P0961 SFH 320 FA
(*SFH 320 F)
SFH 320-3 Q62702-P390 SFH 320 FA-3
(*SFH 320 F-3)
SFH 320-4 Q62702-P1606 SFH 320 FA-4
(*SFH 320 F-4)
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
V
CE
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
I
C
Collector current
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P0988
Q62702-P393
Q62702-P1607
Wert
Value
Einheit
Unit
– 55 ... + 100 °C
35 V
15 mA
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
T
Verlustleistung,
= 25 °C
A
Total power dissipation
Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board
Thermal resistance for mounting on pcb
I
CS
P
tot
R
thJA
75 mA
165 mW
450 K/W
Semiconductor Group 2
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Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
SFH 320
SFH 320 FA
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche (∅ 240 µm)
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 320 SFH 320 FA
λ
S max
860 900 nm
λ 380 ... 1150 730 ... 1120 nm
A 0.045 0.045 mm
L × B
L
× W
H
ϕ±60 ± 60 Grad
0.45 × 0.45 0.45 × 0.45 mm × mm
0.5 ... 0.7 0.5 ... 0.7 mm
deg.
2
Kapazität,
V
Capacitance
Dunkelstrom
Dark current
V
= 25 V, E = 0
CE
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
CE
C
I
CE
CEO
5.0 5.0 pF
1 (≤ 200) 1 (≤ 200) nA
Semiconductor Group 3
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SFH 320
SFH 320 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
E
= 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V
e
SFH 320:
E
= 1000 Ix, Normlicht/standard
v
light A, VCE = 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
= 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ
C
Kollektor-EmitterSättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
= I
C
E
= 0.1 mW/cm
e
1)
I
PCEmin
1)
I
PCEmin
1)
PCEmin
× 0.3,
2
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
is the min. photocurrent of the specified group
Symbol
Symbol
I
PCE
I
PCE
t
, t
r
f
V
CEsat
SFH
Wert
Value
-2 -3 -4
Einheit
Unit
320/FA
≥ 16 16 ... 32
420
25 ... 50
650
≥ 40
1000
µA
µA
7678µs
150 150 150 150 mV
Directional characteristics S
rel
= f (ϕ)
Semiconductor Group 4
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SFH 320
SFH 320 FA
Relative spectral sensitivity, SFH 320
S
= f (λ)
rel
Total power dissipation
P
= f (TA)
tot
Relative spectral sensitivity,SFH 320 FA
S
= f (λ)
rel
Photocurrent
I
= f (VCE), Ee = Parameter
PCE
Photocurrent
I
= f (Ee), VCE= 5 V
PCE
Dark current
I
= f (VCE), E = 0
CEO
Dark current
I
= f (TA), VCE= 5 V, E = 0
CEO
Capacitance
C
= f (VCE), f = 1 MHz, E = 0
CE
Semiconductor Group 5
Photocurrent
I
PCE/IPCE25
o
= f (TA), VCE= 5 V
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