Datasheet SFH314FA-2, SFH314FA-3, SFH314, SFH314-2, SFH314-3 Datasheet (Siemens)

.

Neu: NPN-Silizium-Fototransistor
New: Silicon NPN Phototransistor

Area not flat

0.8

6.9

6.1

5.7

5.5

0.4

ø5.1

4.0

3.4
Chip position

5.9

5.5

ø4.8

GEX06630

0.6

0.4

spacing

2.54 mm

Cathode (Diode)
Collector (Transistor)

Approx. weight 0.4 g

1.8

1.2

29.5

27.5

SFH 314
SFH 314 FA

SFH 314
SFH 314 FA

0.6

0.4

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensio ns in mm , unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 314)
und bei 880 nm (SFH 314 FA)

● Hohe Linearität

● 5 mm-Plastikbauform

Anwendungen

● Computer-Blitzlichtgeräte

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Features

● Especially suitable for applications from

460 nm to 1080 nm (SFH 314) and of
880 nm (SFH 314 FA)

● High linearity

● 5 mm plastic package

Applications

● Computer-controlled flashes

● Photointerrupters

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

feof6652 feo06652

Semiconductor Group 1 1997-11-27

Typ
Type

SFH 314
SFH 314 FA

Bestellnummer
Ordering Code

SFH 314
SFH 314-2
SFH 314-3

SFH 314 FA
SFH 314 FA-2
SFH 314 FA-3

Q62702-P1668
Q62702-P1755
Q62702-P1756

Q62702-P1675
Q62702-P1757
Q62702-P1758

Grenzwerte
Maximum Ratings

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit

t ≤ 5 s

Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time

t ≤ 5 s

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

S

Wert
Value

Einheit
Unit

– 55 ... + 100 °C

260 °C

Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit

t ≤ 3 s

Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom

t ≤ 3 s

Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage

Kollektorstrom
Collector current

Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current

Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage

Verlustleistung,

T

= 25 °C

A

Total power dissipation
Wärmewiderstand

Thermal resistance

T

S

V

CE

I

C

I

CS

V

EC

P

tot

R

thJA

300 °C

70 V

50 mA

100 mA

7V

200 mW

375 K/W

Semiconductor Group 2 1997-11-27

Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics

SFH 314
SFH 314 FA

Bezeichnung
Description

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10 % von S

max

Spectral range of sensitivity

S = 10 % of S

max

Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area

Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober­fläche
Distance chip front to case surface

Halbwinkel
Half angle

Symbol
Symbol

Wert

Value

Einheit
Unit

SFH 314 SFH 314 FA

λ

S max

850 870 nm

λ 460 ... 1080 740 ... 1080 nm

A

L × B
L

× W

H

0.55 0.55 mm

1 × 11×1mm×mm

3.4 ... 4.0 3.4 ... 4.0 mm

ϕ±40 ± 40 Grad

deg.

2

Kapazität,

V

= 0 V, f = 1 MHz, E = 0

CE

Capacitance
Dunkelstrom

Dark current

V

= 10 V, E = 0

CE

Fotostrom,
Photocurrent

E

= 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V

e

E

= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,

v

V

= 5 V

CE

C

I

I
I

CE

CEO

PCE
PCE

15 15 pF

10 (≤ 200) 10 (≤ 200) nA

≥ 0.63
7

≥ 0.63
–

mA
mA

Semiconductor Group 3 1997-11-27

SFH 314
SFH 314 FA

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.

Bezeichnung
Description

Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent

E

= 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V

e

SFH 314:

E

= 1000 Ix, Normlicht/

v

standard light A,

V

= 5 V

CE

Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time

I

= 1 mA, VCC = 5 V,

C

R

= 1 kΩ

L

Kollektor-Emitter-

Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage

PCEmin

1)

× 0.3,

2

I

= I

C

E

= 0.5 mW/cm

e

Symbol
Symbol

I

PCE

I

PCE

t

, t

r

f

V

CEsat

Wert

Value

Einheit
Unit

-1 -2 -3 -4

0.63 ... 1.25

3.4

1...2

5.4

1.6 ... 3.2

8.6

≥ 2.5

13.5

mA

mA

8101214µs

150 150 150 150 mV

1)

I

ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe

PCEmin

1)

Directional characteristics S

50

60

I

is the min. photocurrent of the specified group

PCEmin

70

80

90

100

= f (ϕ)

rel

ϕ

10203040

0

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

02040 60 80 100 1200.40.60.81.0

OHF02329

Semiconductor Group 4 1997-11-27

T

= 25 °C, λ = 950 nm

A

Rel. spectral sensitivity SFH 314 S

100

S

rel

%
80
70
60
50
40
30
20
10

0

400

500 600 700 800 900 nm 1100

Photocurrent I
V

= 5 V, normalized to 25oC

CE

1.6

Ι

PCE

Ι

25

PCE

1.4

1.2

PCE

= f (TA),

OHF02332

λ

OHF01524

rel

=f (λ)

Rel. spectr.sensitivity SFH 314 FA,S

100

S

rel

%
80
70
60
50
40
30
20
10

0

400

500 600 700 800 900 nm 1100

Photocurrent

I

= f (Ee), VCE= 5 V

PCE

1

10
mA

Ι

PCE

0

10

OHF02331

λ

OHF02339

rel

=f(λ)

Dark current I

2

10

nA

Ι

CEO

1

10

0

10

-1

10

-2

10

0

CEO

10 20 30 40 50 70V

Collector-emitter capacitance

CCE= f (VCE), f = 1 MHz

50

C

CE

pF
40

SFH 314
SFH 314 FA

= f (VCE), E = 0

OHF02341

V

CE

OHF02344

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0 25 50 75 100

-25

Photocurrent

I

= f (VCE), Ee = parameter

PCE

1

10
mA

Ι

PCE

0

10

-1

10

0

10 20 30 40 50 V 70

30

-1

10

-2

10

-3

10

C

T

A

-3 -2

10

10

Total power dissipation

P

= f (TA)

tot

OHF02338

mW

1

2

cm

0.5

0.25

0.1

mW
cm

mW
cm

mW
cm

2

2

2

250
mW

P

tot

200

150

100

50

2

10mW/cm

E

e

OHF02340

0

20

10

0

-2 -1

10

10010110 102V

Dark current

I

= f (TA), VCE= 10 V, E = 0

CEO

2

10

nA

Ι

CEO

1

10

0

10

-1

10

V

CE

OHF02342

-2

0

0 20 40 60 80 ˚C 100

V

CE

T

A

10

0

20 40 60 80 100˚C

T

A

Semiconductor Group 5 1997-11-27