SFH 310
SFH 310 FA
Neu: NPN-Silizium-Fototransistor
New: Silicon NPN Phototransistor
spacing
2.54 mm
Collector/
Cathode
Area not flat
0.7
0.4
0.6
1.8
1.2
29.0
27.0
0.4
0.8
0.4
1.1
0.9
4.8
4.4
6.1
5.7
3.7
3.5
2.7
2.1
ø2.9
Chip position
ø2.7
SFH 310
SFH 310 FA
3.4
3.1
0.6
0.4
GEX06710
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
(SFH 310) und bei 880 nm (SFH 310 FA)
● Hohe Linearität
● 3 mm-Plastikbauform
Anwendungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Features
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 310) and of
880 nm (SFH 310 FA)
● High linearity
● 3 mm plastic package
Applications
● Photointerrupters
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
feof6653 feo06653
Semiconductor Group 1 1998-07-13
03.96
SFH 310
SFH 310 FA
Typ
Type
SFH 310
SFH 310-2
SFH 310-3
SFH 310 FA
SFH 310 FA-2
SFH 310 FA-3
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P874
on request
on request
Q62702-P1673
on request
on request
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t ≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time
t ≤ 5 s
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
S
Wert
Value
Einheit
Unit
– 55 ... + 100 °C
260 °C
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t ≤ 3 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time
t ≤ 3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
Verlustleistung,
T
= 25 °C
A
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
T
S
V
CE
I
C
I
CS
P
tot
R
thJA
300 °C
70 V
50 mA
100 mA
165 mW
450 K/W
Semiconductor Group 2 1998-07-13
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
SFH 310
SFH 310 FA
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 310 SFH 310 FA
λ
S max
780 880 nm
λ 470 ... 1070 740 ... 1070 nm
A
L × B
× W
L
H
0.19 0.19 mm
0.65 × 0.65 0.65 × 0.65 mm × mm
2.1 ... 2.7 2.1 ... 2.7 mm
ϕ±25 ± 25 Grad
deg.
2
Kapazität,
V
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
CE
Capacitance
Dunkelstrom
Dark current
V
= 10 V, E = 0
CE
Fotostrom
Photocurrent
E
= 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
e
E
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
v
V
= 5 V
CE
C
I
I
I
CE
CEO
PCE
PCE
10 10 pF
5 (≤ 100) 5 (≤ 100) nA
≥ 0.4
4
≥ 0.4
–
mA
mA
Semiconductor Group 3 1998-07-13
SFH 310
SFH 310 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
E
= 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
e
SFH 310:
E
= 1000 Ix, Normlicht/
v
V
standard light A,
= 5 V
CE
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
= 1 mA, VCC = 5 V,
C
R
= 1 kΩ
L
Kollektor-Emitter-
Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage
PCEmin
1)
× 0.3,
2
I
= I
C
E
= 0.5 mW/cm
e
Symbol
Symbol
I
PCE
I
PCE
t
, t
r
f
V
CEsat
Wert
Value
Einheit
Unit
-1 -2 -3 -4
0.4 ... 0.8
2.1
0.63 ... 1.25
3.4
1.0 ... 2.0
5.4
≥ 1.6
8.6
mA
mA
57 812µs
150 150 150 150 mV
1)
I
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
PCEmin
1)
Directional characteristics S
I
is the min. photocurrent of the spe cified group
PCEmin
= f (ϕ)
rel
Semiconductor Group 4 1998-07-13
T
= 25 °C, λ = 950 nm
A
Rel.spectr. sensitivity SFH 310, S
Total power dissipation
= f (TA)
P
tot
200
mW
P
tot
160
= f (λ)
rel
OHF00871
Rel. spectr. sensitivity SFH 310FA,S
100
S
rel
%
80
60
40
20
0
400 600 800 1000 1200
OHF02331
nm
λ
Photocurrent
= f (VCE), Ee = Parameter
I
PCE
rel
=f (λ)
Photocurrent, I
Dark current
I
= f (VCE), E = 0
CEO
SFH 310
SFH 310 FA
PCE
= f (Ee), V
= 5 V
CE
120
80
40
0
20 40 60 80 ˚C 100
0
Dark current
= f (TA), VCE = 10 V, E = 0
I
CEO
T
A
Capacitance
= f (VCE), f = 1 MHz
C
CE
Photocurrent I
= 5 V, normalized to 25 oC
V
CE
1.6
Ι
PCE
Ι
25
PCE
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
PCE
= f (TA),
OHF01524
0.2
0
-25
0 25 50 75 100
C
T
A
Semiconductor Group 5 1998-07-13
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