Datasheet SFH309F-2, SFH309F-3, SFH309F-4, SFH309F-5 Datasheet (Siemens)

SFH 309
SFH 309 F

NPN-Silizium-Fototransistor
NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter

Silicon NPN Phototransistor
Silicon NPN Phototransistor with Daylight Filter

SFH 309
SFH 309 F

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 380 nm bis 1180 nm
(SFH 309) und bei 880 nm (SFH 309 F)

● Hohe Linearität

● 3 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse

● Gruppiert lieferbar

Anwendungen

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Semiconductor Group 253

Features

● Especially suitable for applications from

380 nm to 1180 nm (SFH 309) and of
880 nm (SFH 309 F)

● High linearity

● 3 mm LED plastic package

● Available in groups

Applications

● Light-reflecting switches for steady and

varying intensity

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

SFH 309
SFH 309 F

Typ (*ab 4/95)
Type (*as of 4/95)

Bestellnummer
Ordering Code

Gehäuse
Package

SFH 309 Q62702-P859 klares bzw. schwarzes Epoxy-Gieβharz, Lötspieβe
SFH 309-2 Q62702-P996

im 2.54-mm-Raster (

1

/10”),

Kollektorkennzeichnung: kürzerer Lötspieβ, flach

SFH 309-3 Q62702-P997
SFH 309-4 Q62702-P998
SFH 309-5
SFH 309-6

1)

1)

SFH 309 F-2

Q62702-P999
Q62702-P1000
Q62702-P174

am Gehäusebund
transparent and black epoxy resin, solder tabs

2.54 mm (1/10”) lead spacing, collector marking:
short solder lead, flat at package bottom

(*SFH 309 FA-2)
SFH 309 F-3

Q62702-P176

(*SFH 309 FA-3)
SFH 309 F-4

Q62702-P178

(*SFH 309 FA-4)
SFH 309 F-5

1)

Q62702-P180

(*SFH 309 FA-5)

1)

Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.

1)

Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we
will reserve us the right of delivering a substitute group.

Semiconductor Group 254

Grenzwerte
Maximum Ratings

SFH 309
SFH 309 F

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 5s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5s

Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 3s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3s

Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage

Kollektorstrom
Collector current

Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

S

T

S

V

CE

I

C

I

CS

Wert
Value

–55 ... +100

260

300

Einheit
Unit

o

C

o

C

o

C

35 V

15 mA

75 mA

Verlustleistung, T

= 25oC

A

Total power dissipation
Wärmewiderstand

Thermal resistance

P

R

tot

thJA

165 mW

450 K/W

Semiconductor Group 255

Kennwerte (TA = 25oC, λ = 950 nm)
Characteristics

SFH 309
SFH 309 F

Bezeichnung
Description

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von S

max

Spectral range of sensitivity
S = 10% of S

max

Bestrahlungsempfindliche Fläche (∅ 240 µm)
Radiant sensitive area

Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober­fläche
Distance chip front to case surface

Halbwinkel
Half angle

Symbol
Symbol

Wert
Value

Einheit
Unit

SFH 309 SFH 309 F

λ

S max

860 900 nm

λ 380 ... 1150 730 ... 1120 nm

A 0.045 0.045 mm

L x B

0.45 x 0.45 0.45 x 0.45 mm x mm

L x W
H 2.4 ... 2.8 2.4 ... 2.8 mm

ϕ±12 ± 12 Grad

deg.

2

Kapazität, V
Capacitance

Dunkelstrom
Dark current

V

= 25 V, E = 0

CEO

= 0 V, f = 1 MHz, E = 0

CE

C

CE

I

CEO

5.0 5.0 pF

1 (≤200) 1 (≤200) nA

Semiconductor Group 256

SFH 309
SFH 309 F

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.

Bezeichnung
Description

Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent

Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V

SFH 309:

Ev = 1000 Ix, Normlicht/

standard light A, VCE = 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit

Rise and fall time

= 1 mA, VCC = 5 V,

I

C

RL = 1 kΩ

Kollektor-Emitter­Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage

I

= I

C

PCEmin

Ee = 0.5 mW/cm

1)

x 0.3,

2

Sym­bol

I

PCE

I

PCE

tr, t

f

V

CEsa

t

Wert
Value

-2 -3 -4 -5 -6

0.4 ... 0.8

1.5

0.63 ... 1.25

2.8

1.0 ... 3.2

4.5

1.6 ... 3.2

7.2

≥2.5

10.0mAmA

Ein­heit
Unit

56 789µs

200 1200 200 200 200 mV

1)

I

ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe

PCEmin

1)

I

is the min. photocurrent of the specified group

PCEmin

Directional characteristics S

rel

= f (ϕ)

Semiconductor Group 257

SFH 309
SFH 309 F

Relative spectral sensitivity, SFH 309

S

= f (λ)

rel

Total power dissipation

P

= f (TA)

tot

Relative spectral sensitivity,SFH 309 F

S

= f (λ)

rel

Photocurrent

I

= f (VCE), Ee= Parameter

PCE

Photocurrent I

Dark curent

I

= f (VCE), E = 0

CEO

= f (Ee), VCE= 5 V

PCE

Dark curent

I

= f (TA), VCE = 25 V, E = 0

CEO

Capacitance

C

= f (VCE), f = 1 MHz, E = 0

CE

Semiconductor Group 258

Photocurrent I
V

= 5 V

CE

PCE/IPCE25

o

= f (TA),