Datasheet SFH309, SFH309-3, SFH309-4, SFH309-5, SFH309-6 Datasheet (Siemens)

Semiconductor Group 1

SFH 309
SFH 309 FA

NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 380 nm bis 1180 nm
(SFH 309) und bei 880 nm (SFH 309 FA)

● Hohe Linearität

● 3 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse

● Gruppiert lieferbar

Anwendungen

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Features

● Especially suitable for applications from

380 nm to 1180 nm (SFH 309) and of
880 nm (SFH 309 FA)

● High linearity

● 3 mm LED plastic package

● Available in groups

Applications

● Photointerrupters

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

SFH 309
SFH 309 FA

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified

feof6653 feo06653

01.97

Semiconductor Group 2

SFH 309
SFH 309 FA

1)

Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.

1)

Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we
will reserve us the right of delivering a substitute group.

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Typ (*vorher)
Type (*formerly)

Bestellnummer
Ordering Codes

SFH 309 Q62702-P859 SFH 309 FA

(*SFH 309 F)

Q62702-P941

SFH 309-3 Q62702-P997 SFH 309 FA-2

(*SFH 309 F-2)

Q62702-P174

SFH 309-4 Q62702-P998 SFH 309 FA-3

(*SFH 309 F-3)

Q62702-P176

SFH 309-5 Q62702-P999 SFH 309 FA-4

(*SFH 309 F-4)

Q62702-P178

SFH 309-6

1)

Q62702-P1000 SFH 309 FA-5

(*SFH 309 F-51))

Q62702-P180

Grenzwerte
Maximum Ratings

Bezeichnung
Description

Symbol
Symbol

Wert
Value

Einheit
Unit

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

T

op

; T

stg

– 55 ... + 100 °C

Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit

t ≤ 5 s

Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s

T

S

260 °C

Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit

t ≤ 3 s

Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s

T

S

300 °C

Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage

V

CE

35 V

Kollektorstrom
Collector current

I

C

15 mA

Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current

I

CS

75 mA

Semiconductor Group 3

SFH 309
SFH 309 FA

Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation

P

tot

165 mW

Wärmewiderstand
Thermal resistance

R

thJA

450 K/W

Kennwerte (

T

A

= 25 °C, λ = 950 nm)

Characteristics
Bezeichnung

Description

Symbol
Symbol

Wert

Value

Einheit
Unit

SFH 309 SFH 309 FA

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity

λ

S max

860 900 nm

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10 % von S

max

Spectral range of sensitivity

S = 10 % of S

max

λ 380 ... 1150 730 ... 1120 nm

Bestrahlungsempfindliche Fläche (∅ 240 µm)
Radiant sensitive area

A 0.2 0.2 mm

2

Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area

L × B
L

× W

0.45 × 0.45 0.45 × 0.45 mm × mm

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober­fläche
Distance chip front to case surface

H

2.4 ... 2.8 2.4 ... 2.8 mm

Halbwinkel
Half angle

ϕ±12 ± 12 Grad

deg.

Kapazität,

V

CE

= 0 V, f = 1 MHz, E = 0

Capacitance

C

CE

5.0 5.0 pF

Dunkelstrom
Dark current

V

CE

= 25 V, E = 0

I

CEO

1 (≤ 200) 1 (≤ 200) nA

Grenzwerte
Maximum Ratings (cont’d)

Bezeichnung
Description

Symbol
Symbol

Wert
Value

Einheit
Unit

Semiconductor Group 4

SFH 309
SFH 309 FA

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.

1)

I

PCEmin

ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe

1)

I

PCEmin

is the min. photocurrent of the specified group

Directional characteristics S

rel

= f (ϕ)

Bezeichnung
Description

Symbol
Symbol

Wert

Value

Einheit
Unit

-2 -3 -4 -5

Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent

E

e

= 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V

SFH 309:

E

v

= 1000 Ix, Normlicht/

standard light A, VCE = 5 V

I

PCE

I

PCE

0.4 ... 0.8

1.5

0.63 ... 1.
25

2.8

1.0 ... 2.0

4.5

1.6 ... 3.2

7.2

mA

mA

Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time

I

C

= 1 mA, VCC = 5 V,

R

L

= 1 kΩ

t

r

, t

f

5678µs

Kollektor-Emitter­Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage

I

C

= I

PCEmin

1)

× 0.3,

E

e

= 0.5 mW/cm

2

V

CEsat

200 200 200 200 mV

Semiconductor Group 5

SFH 309
SFH 309 FA

Semiconductor Group 6

SFH 309
SFH 309 FA

Relative spectral sensitivity,
SFH 309 S

rel

= f (λ)

Total power dissipation

P

tot

= f (TA)

Dark current

I

CEO

= f (TA), VCE = 25 V, E = 0

Relative spectral sensitivity,
SFH 309 FA S

rel

= f (λ)

Photocurrent

I

PCE

= f (VCE), Ee= Parameter

Capacitance

C

CE

= f (VCE), f = 1 MHz, E = 0

Photocurrent

I

PCE

= f (Ee), VCE= 5 V

Dark current

I

CEO

= f (VCE), E = 0

Photocurrent

I

PCE/IPCE25

o

= f (TA), VCE= 5 V