Datasheet SFH303FA, SFH303FA-2, SFH303FA-3, SFH303FA-4, SFH303 Datasheet (Siemens)

SFH 303
SFH 303 FA

NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor

SFH 303
SFH 303 FA

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 450 nm bis 1100 nm
(SFH 303) und bei 880 nm (SFH 303 FA)

● Hohe Linearität

● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse

● Auch gegurtet und gruppiert lieferbar

Anwendungen

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Features

● Especially suitable for applications from

450 nm to 1100 nm (SFH 303) and of
880 nm (SFH 303 FA)

● High linearity

● 5 mm LED plastic package

● Also available on tape and in groups

Applications

● Photointerrupters

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

Semiconductor Group 1

feof6351 feo06351

07.96

SFH 303
SFH 303 FA

Typ (*vorher)
Type (*formerly)

SFH 303 Q62702-P957 SFH 303 FA

Bestellnummer
Ordering Code

Typ (*vorher)
Type (*formerly)

Bestellnummer
Type (*formerly)

Q62702-P958

(*SFH 303 F)

SFH 303-2 Q62702-P228 SFH 303 FA-2)

Q62702-P222

(*SFH 303 F)

SFH 303-3 Q62702-P229 SFH 303 FA-3

Q62702-P223

(*SFH 303 F-3)

SFH 303-4

1)

Q62702-P230 SFH 303 FA-4

Q62702-P224

(*SFH 303 F-41))

1)

Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.

1)

Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we
will reserve us the right of delivering a substitute group.

Grenzwerte
Maximum Ratings

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit

t ≤ 5 s

Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s

Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit

t ≤ 3 s

Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s

Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage

Kollektorstrom
Collector current

Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

S

T

S

V

CE

I

C

I

CS

Wert
Value

Einheit
Unit

– 55 ... + 100 °C

260 °C

300 °C

50 V

50 mA

100 mA

Emitter-Basisspannung

V

Emitter-base voltage

Semiconductor Group 2

EB

7V

Grenzwerte
Maximum Ratings (cont’d)

SFH 303
SFH 303 FA

Bezeichnung
Description

Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation

Wärmewiderstand
Thermal resistance

Kennwerte (

T

= 25 °C, λ = 950 nm)

A

Characteristics
Bezeichnung

Description

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10 % von S

max

Spectral range of sensitivity

S = 10 % of S

max

Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area

Symbol
Symbol

P

tot

R

thJA

Symbol
Symbol

Wert
Value

Einheit
Unit

200 mW

375 K/W

Wert

Value

Einheit
Unit

SFH 303 SFH 303 FA

λ

S max

850 870 nm

λ 450 ... 1000 720 ... 1100 nm

A 0.2 0.2 mm

2

Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober­fläche
Distance chip front to case surface

Halbwinkel
Half angle

Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode

E

= 0.5 mW/cm2, VCB = 5 V

e

E

= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,

v

V

= 5 V

CB

L × B
L

× W

H

0.65 × 0.65 0.65 × 0.65 mm × mm

4.0 ... 4.6 4.0 ... 4.6 mm

ϕ±20 ± 20 Grad

deg.

I
I

PCB
PCB

–

15.8

4.5
–

µA
µA

Semiconductor Group 3

SFH 303
SFH 303 FA

Kennwerte (

T

= 25 °C, λ = 950 nm)

A

Characteristics (cont’d)
Bezeichnung

Description

Symbol
Symbol

Wert

Value

Einheit
Unit

SFH 303 SFH 303 FA

Kapazität
Capacitance

V

= 0 V, f = 1 MHz, E = 0

CE

V

= 0 V, f = 1 MHz, E = 0

CB

V

= 0 V, f = 1 MHz, E = 0

EB

Dunkelstrom

C
C
C

I

CE
CB
EB

CEO

10
15
21

10
15
21

pF
pF
pF

2 (≤ 50) 2 (≤ 50) nA

Dark current

V

= 10 V, E = 0

CE

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.

Bezeichnung
Description

Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent

E

= 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V

e

SFH 303:

E

= 1000 Ix, Normlicht/standard

v

light A, VCE = 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit

Rise and fall time

I

= 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ

C

Kollektor-Emitter­Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage

PCEmin

1)

× 0.3

2

I

= I

C

E

= 0.5 mW/cm

e

Stromverstärkung
Current gain

E

= 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V

e

1)

I

ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe

PCEmin

1)

I

is the min. photocurrent of the specified group

PCEmin

Symbol
Symbol

I

PCE

I

PCE

t

, t

r

f

V

CEsat

I

PCE

I

PCB

Wert

Value

Einheit
Unit

-2 -3 -4

1.0 ... 2.0

5.2

1.6 ... 3.2

8.4

≥ 2.5

13.1

mA

mA

11 13 15 µs

150 150 150 mV

330 530 830

Semiconductor Group 4

SFH 303
SFH 303 FA

Relative spectral sensitivity, SFH 303

S

= f (λ)

rel

Output characteristics

I

= f (VCE), IB= Parameter

C

Relative spectral sensitivity,SFH 303 FA

S

= f (λ)

rel

Dark current

I

= f (VCE), E = 0

CEO

Photocurrent I

Capacitance

C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0

= f (Ee), VCE= 5 V

PCE

Directional characteristics S

rel

= f (ϕ)

Semiconductor Group 5