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SFH 302
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
SFH 302
fet06017
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 450 nm bis 1100 nm
● Hohe Linearität
● TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-
Gießharz, mit Basisanschluß
● Gruppiert lieferbar
Anwendungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 302 Q62702-P1641
SFH 302-2 Q62702-P1623
SFH 302-3 Q62702-P1624
Features
● Especially suitable for applications from
450 nm to 1100 nm
● High linearity
● TO-18, base plate, transparent exposy resin
lens, with base connection
● Available in groups
Applications
● Photointerrupters
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
SFH 302-4 Q62702-P1625
SFH 302-5 Q62702-P1626
SFH 302-6 Q62702-P1627
Semiconductor Group 252
10.95
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Grenzwerte
Maximum Ratings
SFH 302
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t ≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t ≤ 3 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
S
T
S
V
CE
I
C
I
CS
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 80 °C
260 °C
300 °C
50 V
50 mA
200 mA
Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage
Verlustleistung,
T
= 25 °C
A
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
V
EB
P
tot
R
thJA
7V
150 mW
450 K/W
Semiconductor Group 253
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Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
SFH 302
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
E
= 0.5 mW/cm2, VCB = 5 V
e
E
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
v
V
= 5 V
CB
Kapazität
Capacitance
V
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
CE
V
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
CB
V
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
EB
Dunkelstrom
Dark current
V
= 10 V, E = 0
CE
Symbol
Symbol
λ
S max
Wert
Value
Einheit
Unit
880 nm
λ 450 ... 1100 nm
A 0.675 mm
L × B
L
× W
H
ϕ±50 Grad
I
PCB
I
PCB
C
CE
C
CB
C
EB
I
CEO
1 × 1mm× mm
0.2 ... 0.8 mm
deg.
4.2
12.5
23
39
47
µA
µA
pF
pF
pF
20 (≤ 200) nA
2
Semiconductor Group 254
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SFH 302
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
E
= 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
e
E
= 1000 Ix,
v
Normlicht/standard light A
V
= 5 V
CE
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
= 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ
C
Kollektor-EmitterSättigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage
PCEmin
1)
× 0.3,
2
I
= I
C
E
= 0.5 mW/cm
e
Stromverstärkung
Current gain
E
= 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
e
Symbol
I
PCE
I
PCE
t
, t
r
f
V
CEsat
I
PCE
I
PCB
Wert
Value
-2 -3 -4 -5 -6
0.4 ... 0.8
1.75
0.63 ... 1.25
2.8
1 ... 2
4.5
1.6 ... 3.2
7.1
≥ 2.5
9.5mAmA
Einheit
Unit
911 141720µs
200 200 200 200 200 mV
140 230 360 570 750
1)
I
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
PCEmin
1)
I
is the min. photocurrent of the specified group
PCEmin
Semiconductor Group 255
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SFH 302
Relative spectral sensitivity
S
= f (λ)
rel
Output characteristics
I
= f (VCE), IB= Parameter
C
Photocurrent
I
= f (Ee), VCE= 5 V
PCE
Directional characteristics
S
= f (ϕ)
rel
Total power dissipation
P
= f (TA)
tot
Semiconductor Group 256
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